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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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![]() | IS25WP128F-RHLA3 | 2.7864 | ![]() | 1408 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WP128F-RHLA3 | 480 | 166 MHz | Non volatile | 128mbitons | 5,5 ns | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||||
![]() | S34SL02G200BHV003 | - | ![]() | 8674 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | SL-2 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | S34SL02 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-BGA (11x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 300 | Non volatile | 2 gbit | 25 ns | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | IS49NLS93200-25BLI | - | ![]() | 9531 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 32m x 9 | Parallèle | - | |||
![]() | S25FL164K0XMFB000 | - | ![]() | 6255 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, FL1-K | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | S25FL164 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o | 3 ms | ||||
7142LA100C | - | ![]() | 9885 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 48-DIP (0,600 ", 15,24 mm) | 7142la | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | Bradé à 48 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 8 | Volatil | 16kbit | 100 ns | Sram | 2k x 8 | Parallèle | 100ns | |||||
![]() | At27bv256-70ti | - | ![]() | 5781 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) | At27bv256 | Eprom - OTP | 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | 28 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | At27bv25670ti | EAR99 | 8542.32.0061 | 234 | Non volatile | 256kbit | 70 ns | Eprom | 32k x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | MX25L3233FZNI-08Q | 0,8900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Macronix | MXSMIO ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | MX25L3233 | Flash - ni | 2,65 V ~ 3,6 V | 8-wson (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Spi - quad e / o | 50 µs, 1,2 ms | ||||
![]() | CY7C0853AV-133BBC | - | ![]() | 3304 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 172 LBGA | CY7C0853 | Sram - double port, synchrone | 3.135V ~ 3 465V | 172-fbga (15x15) | - | Rohs non conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 126 | 133 MHz | Volatil | 9mbitons | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | Non Vérifié | |||||
![]() | MT61M512M32KPA-14 AAT: C | 42.1050 | ![]() | 3106 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT61M512M32KPA-14AAT: C | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 71016S20YG8 | - | ![]() | 9282 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | 71016S | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Volatil | 1mbit | 20 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 20ns | ||||
![]() | 709269S9PF8 | - | ![]() | 3911 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 709269 | Sram - double port, synchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatil | 256kbit | 9 ns | Sram | 16k x 16 | Parallèle | - | ||||
![]() | JS28F256P30T2E | - | ![]() | 6618 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F256P30 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 56 TSOP | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 256mbitons | 110 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 110ns | |||
![]() | Mt29f6t08etcbbm5-37es: b tr | - | ![]() | 5873 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F6T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 267 MHz | Non volatile | 6 tbit | Éclair | 768g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | IS25WE256E-RMLE-TR | 4.2125 | ![]() | 6322 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WE256E-RMLE-TR | 1 000 | 166 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | |||||||
![]() | MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C TR | 56.5050 | ![]() | 1283 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 556-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | télécharger | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 1g x 64 | Parallèle | 18n | ||||||||
![]() | 4x70f28590-c | 132.5000 | ![]() | 6064 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-4x70f28590-c | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Mt25qu01gbbb8esf-0aat tr | 14.4150 | ![]() | 7251 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Mt25qu01 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | ||||
![]() | Gd25lb512meyigr | 4.6509 | ![]() | 1068 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25lb | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 1970-gd25lb512meyigrtr | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | - | |||||||||
![]() | P770024cfyc000 | - | ![]() | 5308 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 500 | |||||||||||||||||||
![]() | IS25WP040E-JNLE-TR | 0,3011 | ![]() | 1671 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WP040E-JNLE-TR | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 8 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 40 µs, 1,2 ms | ||||||
![]() | 7133LA35PF | - | ![]() | 7066 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 7133la | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volatil | 32kbit | 35 ns | Sram | 2k x 16 | Parallèle | 35ns | ||||
![]() | S26361-F4083-L332-C | 230.0000 | ![]() | 5415 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-S26361-F4083-L332-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BR24G32FVJ-3GTE2 | 0,3700 | ![]() | 90 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) | BR24G32 | Eeprom | 1,6 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP-BJ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 400 kHz | Non volatile | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
M95128-DFMC6TG | 0,7500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | M95128 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-ufdfpn (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 5 000 | 20 MHz | Non volatile | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | Pimenter | 5 ms | |||||
![]() | Cy14b116s-bz35xi | 63.3164 | ![]() | 8962 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 165-fbga (15x17) | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 105 | Non volatile | 16mbitons | 35 ns | Nvsram | Parallèle | 35ns | |||||||||
![]() | 7005L12pfi | - | ![]() | 6380 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LQFP | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-7005L12pfi | 1 | Volatil | 64kbit | 12 ns | Sram | 8k x 8 | Parallèle | 12ns | |||||||||
![]() | S71VS064RB0AHT4L0 | 3.4300 | ![]() | 480 | 0,00000000 | Renesas | - | En gros | Obsolète | - | 2156-S71VS064RB0AHT4L0 | 88 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 7005SJ | - | ![]() | 9559 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Acheter la Dernière | - | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | Sram - double port, asynchrone | - | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-7005SJ | 1 | Volatil | 64kbit | Sram | 8k x 8 | Parallèle | - | ||||||||||
![]() | HN58C256AP10E | - | ![]() | 5361 | 0,00000000 | Renesas | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-HN58C256AP10E-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 70V27S55pfi | - | ![]() | 7962 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 70v27 | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | Volatil | 512kbit | 55 ns | Sram | 32k x 16 | Parallèle | 55ns |
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