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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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![]() | 7016S15J | - | ![]() | 3632 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | 7016S15 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLCC (24.21x24.21) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Volatil | 144kbit | 15 ns | Sram | 16k x 9 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS42RM16200D-6BI-TR | 2.3493 | ![]() | 1292 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42RM16200 | Sdram - mobile | 2,3V ~ 2,7 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 32mbitons | 6 ns | Drachme | 2m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | SST39LF040-45-4C-WHE-T | - | ![]() | 6212 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | SST39 MPF ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 488 ", 12,40 mm de grand) | Sst39lf040 | Éclair | 3V ~ 3,6 V | 32-tsop | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 4mbbitons | 45 ns | Éclair | 512k x 8 | Parallèle | 20 µs | ||||
![]() | MT29F1T08CUCCBH8-6ITR: C TR | - | ![]() | 8418 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 152 LBGA | MT29F1T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 152 LBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT29F1T08CUCCBH8-6ITR: CTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 167 MHz | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | IS46LQ16256AL-062TBLA2 | 15.4924 | ![]() | 7398 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ16256AL-062TBLA2 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 16 | Lvstl | 18n | ||||||
![]() | 71024S20TYG | 3.8500 | ![]() | 8102 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur) | 71024S | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 23 | Volatil | 1mbit | 20 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 20ns | ||||
![]() | MT53E1G32D4NQ-046 WT: E TR | - | ![]() | 6086 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E1G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | ||||||||||
![]() | IS62WV102416AL-35MLI | 22.4621 | ![]() | 6512 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS62WV102416 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-Minibga (9x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | Volatil | 16mbitons | 35 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 35ns | ||||
![]() | SM671PECLBFSS | 29.5300 | ![]() | 5991 | 0,00000000 | Silicon Motion, Inc. | - | En gros | Actif | - | Rohs3 conforme | 1984-SM671PECLBFSS | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | STK14C88-5L35M | - | ![]() | 1289 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | STK14C88 | Nvsram (SRAM non volatile) | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (11.43x13.97) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 68 | Non volatile | 256kbit | 35 ns | Nvsram | 32k x 8 | Parallèle | 35ns | ||||
![]() | S99JL064J60TFI000 | - | ![]() | 1425 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | W77q32jwsfio | 1.4299 | ![]() | 5883 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | W77Q32 | Éclair | 1,7 V ~ 1,95 V | 16 ans | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 256-W77Q32JWSFIO | 176 | 104 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | - | Spi - quad e / o, qpi | - | ||||||
![]() | IS25WP256D-JMLE | 5.3900 | ![]() | 263 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | IS25WP256 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | ||||
70V658S10BF | 188.0752 | ![]() | 8508 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 208-LFBGA | 70V658 | Sram - double port, asynchrone | 3,15 V ~ 3 45 V | 208-Cabga (15x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | Volatil | 2mbitons | 10 ns | Sram | 64k x 36 | Parallèle | 10ns | |||||
![]() | 70V07S45pfi8 | - | ![]() | 1671 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 80 LQFP | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 80-TQFP (14x14) | - | 800-70V07S45pfi8tr | 1 | Volatil | 256kbit | 45 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 45ns | |||||||||
![]() | AS4C256M16MD4V-062BAN | 20.5900 | ![]() | 136 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1450-AS4C256M16MD4V-062BAN | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Lvstl | 18n | ||||
![]() | At93c66b-mahm-e | 0,3600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | 93C66B | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-UDFN (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 15 000 | 2 MHz | Non volatile | 4kbit | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Série de 3 FILS | 5 ms | ||||
![]() | FT24C04A-KDR-B | - | ![]() | 6267 | 0,00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | FT24C04 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8 plombs | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | Non volatile | 4kbit | 550 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | 882344-b21-C | 166.2500 | ![]() | 2569 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-882344-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
70T3599S166BC | 224.9656 | ![]() | 2156 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 256 LBGA | 70T3599 | Sram - double port, synchrone | 2,4 V ~ 2,6 V | 256-Cabga (17x17) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 166 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 3,6 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | CY7C1148KV18-450BZXC | - | ![]() | 5232 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1148 | Sram - synchrone, ddr ii + | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | Volatil | 18mbitons | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||||
![]() | Idt71v67603s133pf | - | ![]() | 8177 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Idt71v67603 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 71V67603S133PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volatil | 9mbitons | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | CY7C199C-20ZXI | 1.4100 | ![]() | 645 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Sac | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) | CY7C199 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.32.0041 | 213 | Volatil | 256kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 20ns | Non Vérifié | |||||
![]() | 23a512-i / sn | 1 9000 | ![]() | 160 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 23A512 | Sram | 1,7 V ~ 2,2 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 23a512isn | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | Volatil | 512kbit | Sram | 64k x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
![]() | W25x40vssig | - | ![]() | 5153 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | W25x40 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 75 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Pimenter | 3 ms | ||||
![]() | AT27LV256A-90JU | 2.9600 | ![]() | 2703 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | At27lv256 | Eprom - OTP | 3V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (13.97x11.43) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | At27lv256a90ju | EAR99 | 8542.32.0061 | 32 | Non volatile | 256kbit | 90 ns | Eprom | 32k x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | M28W160ECB70ZB6U TR | - | ![]() | 3552 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 46-TFBGA | M28W160 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 46-TFBGA (6.39x6.37) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 16mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
![]() | BR24T256FV-WE2 | 0.9900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | BR24T256 | Eeprom | 1,6 V ~ 5,5 V | 8-SSOP-B | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 400 kHz | Non volatile | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | S34MS01G200TFI900 | - | ![]() | 9522 | 0,00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | Plateau | Abandonné à sic | S34MS01 | - | Rohs conforme | 3 (168 Heures) | 2120-S34MS01G200TFI900 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non Vérifié | ||||||||||||||||
![]() | C-32C12864-PC400 | 17.5000 | ![]() | 9426 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-C-32C12864-PC400 | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 |
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