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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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![]() | X28hc256piz-15 | 30.0167 | ![]() | 5466 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | 28 DIP (0,600 ", 15,24 mm) | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V | 28 PDICES | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 20-x28hc256piz-15 | 1 | Non volatile | 256kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallèle | 5 ms | |||||||
![]() | CG8217AAT | - | ![]() | 5973 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 210 | ||||||||||||||||||
![]() | 7014S15JG | - | ![]() | 5549 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 52 LCC (J-LEAD) | 7014S15 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 800-7014S15JG | OBSOLÈTE | 1 | Volatil | 36kbit | 15 ns | Sram | 4K x 9 | Parallèle | 15NS | |||||||
70V24S55J | - | ![]() | 8134 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 84 LCC (J-LEAD) | 70V24S | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Volatil | 64kbit | 55 ns | Sram | 4K x 16 | Parallèle | 55ns | |||||
![]() | W25Q80BVWA | - | ![]() | 6234 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | - | - | W25Q80 | Flash - ni | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W25Q80BVWA | OBSOLÈTE | 1 | 104 MHz | Non volatile | 8mbitons | 6 ns | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 3 ms | ||||
![]() | Cg7435af | - | ![]() | 3434 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Cy15b108qsn-108bkxit | 32.2259 | ![]() | 4003 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Excelon ™ -ultra, F-Ram ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Fram (Ferroelectric RAM) | 1,8 V ~ 3,6 V | 24-fbga (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2 000 | 108 MHz | Non volatile | 8mbitons | 6.7 ns | Fracture | 1m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | - | ||||||
![]() | GS81280Z18GT-250I | 212.4687 | ![]() | 7413 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Support de surface | 100 LQFP | GS81280Z18 | Sram - synchrone, zbt | 2,3V ~ 2,7 V, 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (20x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2364-GS81280Z18GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 250 MHz | Volatil | 144mbitons | Sram | 8m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | S25HS512TDPNHV010 | 10.1150 | ![]() | 7300 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 690 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | - | ||||||||
![]() | 70V27S25PF8 | - | ![]() | 3182 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 70v27 | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Volatil | 512kbit | 25 ns | Sram | 32k x 16 | Parallèle | 25ns | ||||
![]() | N24c08udtg | 0,2700 | ![]() | 219 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-N24C08UDTG-488 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1520V18-200BZC | - | ![]() | 3837 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1520 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Volatil | 72mbitons | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | MEM-3900-1GU2GB-C | 225.0000 | ![]() | 8789 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-mem-3900-1GU2GB-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS43LD32128B-18BLI | 12.2129 | ![]() | 6850 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 134-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LD32128B-18BLI | 171 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS | ||||||
![]() | GVT71256G18T-5T | - | ![]() | 5902 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - port unique, asynchrone, standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20) | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-GVT71256G18T-5T-428 | 1 | 133 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 4 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | ||||||
X28C512JIZ-12 | - | ![]() | 2538 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | X28C512 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (11.43x13.97) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 30 | Non volatile | 512kbit | 120 ns | Eeprom | 64k x 8 | Parallèle | 10 ms | |||||
![]() | 5962-9166203MYA | - | ![]() | 9614 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 84 Flatpack | 5962-9166203 | Sram - double port, synchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-fpack | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 800-5962-9166203MYA | 6 | Volatil | 64kbit | 55 ns | Sram | 4K x 16 | Parallèle | 55ns | |||||
![]() | W25n02kwtbiu tr | 4.1753 | ![]() | 3687 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 256-W25N02KWTBIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 104 MHz | Non volatile | 2 gbit | 8 ns | Éclair | 256m x 8 | Spi - quad e / o | 700 µs | ||||
![]() | IS61VF102418A-7.5B3I | - | ![]() | 1423 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61VF102418 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | CY14B512J2-SXIT | - | ![]() | 7221 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CY14B512 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 2 500 | 3,4 MHz | Non volatile | 512kbit | Nvsram | 64k x 8 | I²c | - | ||||
Thgamrg7t13bail | - | ![]() | 2231 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Thgamrg7 | Flash - Nand | - | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | STK17T88-RF25I | 15.4100 | ![]() | 105 | 0,00000000 | Simtek | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-BSSOP (0,295 ", 7,50 mm de grand) | STK17T88 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Non volatile | 256kbit | 25 ns | Nvsram | 32k x 8 | Parallèle | 25ns | ||||
S25FL512SAGBHEC10 | 52.9025 | ![]() | 3541 | 0,00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | S25FL512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-bga (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 380 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o | - | |||||
![]() | IS64WV51216BLL-10MA3-TR | - | ![]() | 8259 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS64WV51216 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-Minibga (9x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||
![]() | 57y4427-c | 62.5000 | ![]() | 5132 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-57Y4427-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
CAT28LV256GI25 | - | ![]() | 9313 | 0,00000000 | onsemi | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | Cat28lv256 | Eeprom | 3V ~ 3,6 V | 32-PLCC (11.43x13.97) | télécharger | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 32 | Non volatile | 256kbit | 250 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallèle | 10 ms | ||||||
![]() | AT49SV322D-80CU | - | ![]() | 3300 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 48-VFBGA, CSPBGA | At49sv322 | Éclair | 1,65 V ~ 1,95 V | 48-cbga (7x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 276 | Non volatile | 32mbitons | 80 ns | Éclair | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
![]() | Sm671pxdlbfst | 46.1000 | ![]() | 7735 | 0,00000000 | Silicon Motion, Inc. | - | En gros | Actif | - | Rohs3 conforme | 1984-SM671PXDLBFST | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CY7C199C-20ZI | - | ![]() | 1600 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Sac | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) | CY7C199 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-tsop i | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Volatil | 256kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 20ns | Non Vérifié | |||||
![]() | CY7C1480V25-200BZC | - | ![]() | 4752 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1480 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -Cy7c1480v25 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Volatil | 72mbitons | 3 ns | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - |
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