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Geste de l'alimentation (PMIC) (1138)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Applications | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Caractéristique | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Tension - entrée (max) | Type de sortie | Ratio - Entrée: Sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fonction | COURANT - Sortie / Canal | Tension - alimentation (VCC / VDD) | Interface | Nombre de Trities | Current - Quiescent (IQ) | Courant - alimentation (max) | Commutateur Interne (s) | Topologie | Protection contre les pannes | Caratérales de contôle | Tension - alimentation (max) | Configuration de la sortie | Courant - Sortie | RDS SUR (TYP) | Tension - Chargement | Type de moteur - Stepper | Type de moteur - AC, DC | Résolution de pas | Atténuation | Tension - alimentation (min) | Tension - Sortie | Type de commutateur | Courant - Sortie (Max) | Tension - Sortie (min / fixe) | Tension - Sortie (max) | Nombre de régulateurs | Dépôt de tension (max) | Psrr | Caractéristique de protection |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TC62D722CFG, EL | - |  | 8068 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Support de surface | 24-SOP (0,236 ", 6,00 mm de grand) | Linéaire | TC62D722 | - | 24 SSOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | 90mA | 16 | Oui | Registre de décalage | 5,5 V | - | 3V | 17V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR8BM10A, L3F | 0.4900 | | 9139 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr8bm | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XDFN | Tcr8bm10 | 5,5 V | Fixé | 5-DFNB (1.2x1.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | 36 µA | Limite Actulaire, acteur | Positif | 800mA | 1v | - | 1 | 0,23 V @ 800mA | 98 dB (1 kHz) | AU-Dessus du Courant, sur la température, Sous emplacement de tension (UVLO) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S265FTG, EL | 1.1819 | | 3827 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 48-WFQFN | TB67S265 | MOSFET POWER | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-WQFN (7x7) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle, en série | Demi-pont (4) | 2A | 10V ~ 47V | Bipolaire | - | 1, 1/2 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tcr2en115, LF (SE | 0,3800 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 60 µA | Acteur | Positif | 200m | 1,15 V | - | 1 | 0,65 V @ 150mA | - | Sur le Courant | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3UF09A, LM (CT | 0,4100 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr3uf | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | SC-74A, SOT-753 | Tcr3uf09 | 5,5 V | Fixé | SMV | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | 580 na | Acteur | Positif | 300mA | 0,9 V | - | 1 | 1.157V @ 300mA | 70 dB (1 kHz) | Sur le Courant, sur la température | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58L05S (Sumis, aq) | - | | 7219 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TA58L05 | 29v | Fixé | À 220nis | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 50 mA | - | Positif | 250mA | 5V | - | 1 | 0,4 V @ 200m | - | Sur le Courant, sur la température | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58M06S, MTDQ (J | - | | 5672 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TA58M06 | 29v | Fixé | À 220nis | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 80 mA | - | Positif | 500mA | 6V | - | 1 | 0,65 V @ 500mA | - | Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78H660FNG, EL | 1.2700 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mais Général | Support de surface | 16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TC78H660 | DMOS | 1,5 V ~ 5,5 V | 16-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | - | Demi-pont (4) | 2A | 2,5 V ~ 16V | - | DC Brossé | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK128BG, LF | 0,4800 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Décharge de Charge, Taux de Balayage Contrôlé | TCK128 | Sans inversion | Canal p | 1: 1 | 4-WCSPG (0,65x0,65) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | Pas requis | En Marche / Arête | 1 | - | Côté Haut | 343MOHM | 1V ~ 5,5 V | Mais Général | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK22971G, LF | 0,5500 | | 6777 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 6-ufbga, wlcsp | Taux de Balayage Contrôlé | TCK22971 | Sans inversion | Canal p | 1: 1 | 6-WCSPE (0,80x1.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | Pas requis | En Marche / Arête | 1 | Courant Inversé | Côté Haut | 25 Mohm | 1,1 V ~ 5,5 V | Mais Général | 2A | |||||||||||||||||||||||||||||
| TA58M06S, Q (J | - | | 2343 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TA58M06 | 29v | Fixé | À 220nis | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 80 mA | - | Positif | 500mA | 6V | - | 1 | 0,65 V @ 500mA | - | Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC62D748CFNAG, C, EB | - | | 8057 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Support de surface | 24 SSOP (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Linéaire | TC62D748 | - | 24 SSOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | 90mA | 16 | Oui | Registre de décalage | 5,5 V | - | 3V | 17V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCK22922G, LF | 0.1675 | | 9167 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 6-ufbga, wlcsp | Décharge de Charge, Taux de Balayage Contrôlé | TCK22922 | Sans inversion | Canal p | 1: 1 | 6-WCSPE (0,80x1.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | Pas requis | En Marche / Arête | 1 | Courant Inversé | Côté Haut | 25 Mohm | 1,1 V ~ 5,5 V | Mais Général | 2A | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Tcr4dg12, lf | 0,5100 | | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr4dg | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Tcr4dg12 | 5,5 V | Fixé | 4-WCSPE (0,65x0,65) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | Acteur | Positif | 420mA | 1,2 V | - | 1 | 0,781 V @ 420mA | 70 dB (1 kHz) | Sur le Courant, sur la température, circuit de la cour | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S549FTG, EL | 1.9800 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 24-VFQFN | TB67S549 | DMOS | 4,5 V ~ 33V | 24-QFN (4x4) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | PWM | Demi-pont (2) | 1.2A | 4,5 V ~ 33V | Bipolaire | DC Brossé | 1 ~ 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR8BM095A, L3F | 0 4600 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr8bm | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XDFN | 5,5 V | Fixé | 5-DFNB (1.2x1.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | 36 µA | Limite Actulaire, acteur | Positif | 800mA | 0,95 V | - | 1 | 0225 V @ 800mA | - | AU-Dessus du Courant, sur la température, Sous emplacement de tension (UVLO) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TC78S121FTG, EL | 3.1400 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 48-VFQFN | TC78S121 | MOSFET POWER | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-QFN (7x7) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (8) | 2A | 8V ~ 38V | Bipolaire | DC Brossé | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78H620FNG | - | | 5180 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mais Général | Support de surface | 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TC78H620 | DMOS | 2,7 V ~ 5,5 V | 16-SSOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 1A | 2,5 V ~ 15V | Unipolaire | DC Brossé | 1, 1/2 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tbd62003apg | 1.1500 | | 5287 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | - | TBD62003 | Inverseur | Canal n | 1: 1 | 16 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | TBD62003APG (Z, HZ) | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Pas requis | En Marche / Arête | 7 | - | Côté Bas | - | 50v (max) | Mais Général | 500mA | ||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S111PG, HJ | 4.5900 | | 284 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Plateau | Actif | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mais Général | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TB67S111 | MOSFET POWER | 4,75 V ~ 5,25 V | 16 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 000 | Conducteur | Parallèle | Demi-pont (2) | 1.5a | 0v ~ 80V | Unipolaire | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67H400AFTG, EL | 3.4100 | | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 48-WFQFN | TB67H400 | MOSFET POWER | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-WQFN (7x7) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle, PWM | Demi-pont (4) | 6A | 10V ~ 47V | - | DC Brossé | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78H653FTG, EL | 1.5600 | | 35 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 16-VFQFN | TC78H653 | DMOS | 1,8 V ~ 7V | 16-VQFN (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | - | Demi-pont (4) | 4A | 1,8 V ~ 7V | Bipolaire | DC Brossé | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB9081FG | 8.4934 | | 7253 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Automobile | Support de surface | 64 LQFP | TB9081 | Bi-CMOS | 3V ~ 5,5 V | 64 LQFP (10x10) | télécharger | Rohs conforme | 2 (1 AN) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 600 | Conducteur | PWM, SPI | Pré-pilote | 4,5 V ~ 28V | - | DC Sans Pinceau (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tcr2en36, lf | 0,3600 | | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2en | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | Tcr2en36 | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 60 µA | Acteur | Positif | 200m | 3,6 V | - | 1 | 0,18 V @ 150mA | 73 dB (1 kHz) | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58M06S, MTDQ (M | - | | 8463 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TA58M06 | 29v | Fixé | À 220nis | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 80 mA | - | Positif | 500mA | 6V | - | 1 | 0,65 V @ 500mA | - | Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TC78B006FNG, EL | 0,6922 | | 8459 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Mais Général | Support de surface | 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TC78B006 | MOSFET POWER | 3,5 V ~ 16V | 16-SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | Contrôleur - Commutation, geste de la direction | PWM | Pré-conducteur - Demi-pont (2) | - | - | - | DC Sans Pinceau (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62216FNG, C8, EL | 2.8000 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Mais Général | Support de surface | 48-TFSOP (0 240 ", 6,10 mm de grand) exposé pavé | TB62216 | MOSFET POWER | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-HTSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | PWM | Demi-pont (4) | 2A | 10V ~ 38V | - | DC Brossé | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S149AFTG, EL | 1.7809 | | 6157 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 48-WFQFN | NMOS | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-WQFN (7x7) | télécharger | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | En Marche / Arête | - | - | 10V ~ 40V | Unipolaire | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC78H620FNG, EL | 1.6300 | | 323 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mais Général | Support de surface | 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TC78H620 | DMOS | 2,7 V ~ 5,5 V | 16-SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 1A | 2,5 V ~ 15V | Unipolaire | DC Brossé | 1, 1/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L018AP, WNLF (J | - | | 7079 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | TA78L018 | 40V | Fixé | LSTM | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positif | 150m | 18V | - | 1 | 1,7 V @ 40mA (TYP) | 38 dB (120 Hz) | Sur le Courant |
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