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Geste de l'alimentation (PMIC) (1138)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Applications Type de montage Package / ÉTUI Fuseau Caractéristique Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Tension - entrée (max) Type de sortie Ratio - Entrée: Sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fonction COURANT - Sortie / Canal Tension - alimentation (VCC / VDD) Interface Nombre de Trities Current - Quiescent (IQ) Courant - alimentation (max) Commutateur Interne (s) Topologie Protection contre les pannes Caratérales de contôle Tension - alimentation (max) Configuration de la sortie Courant - Sortie RDS SUR (TYP) Tension - Chargement Type de moteur - Stepper Type de moteur - AC, DC Résolution de pas Atténuation Tension - alimentation (min) Tension - Sortie Type de commutateur Courant - Sortie (Max) Tension - Sortie (min / fixe) Tension - Sortie (max) Nombre de régulateurs Dépôt de tension (max) Psrr Caractéristique de protection
TA58M12S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M12S, Q (J -
RFQ
 ECAD 7335 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58M12 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1,2 mA 80 mA - Positif 500mA 12V - 1 0,65 V @ 500mA - Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse
TBD62502AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFNG, EL 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) - TBD62502 Inverseur Canal n 1: 1 16-SSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Pas requis En Marche / Arête 7 - Côté Bas - 50v (max) Mais Général 300mA
TB62757FUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62757FUG, EL -
RFQ
 ECAD 3444 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban de Coupé (CT) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Rétros Support de surface SOT-23-6 Régulateur DC DC TB62757 1,1 MHz SOT-23-6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 20 mA 1 Oui Step-up (boost) 5,5 V PWM 2,8 V -
TCR2DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2dg28, lf 0,5000
RFQ
 ECAD 9976 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4-ufbga, wlcsp Tcr2dg28 5,5 V Fixé 4-WCSP (0,79x0,79) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 70 µA - Positif 200m 2,8 V - 1 0,12 V @ 100mA - Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique
TCR2EN30,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2en30, lf 0,0896
RFQ
 ECAD 9513 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2en Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-XFDFN Tcr2en30 5,5 V Fixé 4-SDFN (0,8x0,8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 µA Acteur Positif 200m 3V - 1 0,18 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TCR3RM29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3rm29a, lf 0 4600
RFQ
 ECAD 105 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3rm Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-XDFN Tcr3rm29 5,5 V Fixé 4-DFNC (1x1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 - Positif 300mA 2,9 V - 1 0,13 V @ 300mA 100 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TA78L24F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L24F (TE12L, F) -
RFQ
 ECAD 4095 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Support de surface À 243aa TA78L24 40V Fixé PW-MINI (SOT-89) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 000 6 mA 6.5 Ma - Positif 150m 24V - 1 - 35 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
TC78H610FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H610FNG, EL 0,7509
RFQ
 ECAD 6522 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) TC78H610 DMOS 2,7 V ~ 5,5 V 16-SSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (2) 800mA 2,5 V ~ 15V - DC Brossé -
TCR2LN32,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2ln32, LSF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ln Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 4-XFDFN 5,5 V Fixé 4-SDFN (0,8x0,8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 µA Acteur Positif 200m 3.2v - 1 0,28 V @ 150mA - Sur le Courant
TCR2LN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2ln32, lf 0,0896
RFQ
 ECAD 9032 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ln Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 4-XFDFN Tcr2ln32 5,5 V Fixé 4-SDFN (0,8x0,8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 µA Acteur Positif 200m 3.2v - 1 0,28 V @ 150mA - Sur le Courant
TBD62503APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503APG 1.3600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Par le trou 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) - TBD62503 Inverseur Canal n 1: 1 16 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TBD62503APG (Z, Hz) EAR99 8542.39.0001 25 Pas requis En Marche / Arête 7 - Côté Bas - 50v (max) Mais Général 300mA
TC78B015AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B015AFTG, EL 3.6300
RFQ
 ECAD 8838 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 36-VFQFN TC78B015 CMOS 6V ~ 30V 36-VQFN (5x5) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 5 000 Conducteur PWM, SÉRIE Demi-pont (3) 3A 36V Multiphase DC Sans Pinceau (BLDC) -
TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105, LF 0 4500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3dm Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-UDFN Tcr3dm105 5,5 V Fixé 4-DFN (1x1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 65 µA 78 µA Acteur Positif 300mA 1,05 V - 1 0,75 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TA58M05S,KDQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S, KDQ (M -
RFQ
 ECAD 2978 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58M05 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 80 mA - Positif 500 µA 5V - 1 0,65 V @ 500mA - Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse
TCR13AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr13agadj, lf 0 4500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr13ag Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface 6-xfbga, wlcsp TCR13 6V Régile 6-WCSP (1.2x0.80) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 92 µA Acteur Positif 1.3a 0,55 V 3,6 V 1 0,163v @ 1A 90 dB (1 kHz) Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique, Uvlo
TB67S103AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S103AFTG, EL 1.6439
RFQ
 ECAD 3309 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface Pad Exposé 48-WFQFN TB67S103 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Pimenter Demi-pont (4) 3A 10V ~ 47V Bipolaire - 1 ~ 1/32
TCK108AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AF, LF 0,4800
RFQ
 ECAD 85 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface SC-74A, SOT-753 Décharge de Charge, Taux de Balayage Contrôlé TCK108 Inverseur Canal p 1: 1 SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 Pas requis En Marche / Arête 1 - Côté Haut 63MOHM 1,1 V ~ 5,5 V Mais Général 1A
TA58L06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S, Q (J -
RFQ
 ECAD 5930 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58L06 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 50 mA - Positif 250mA 6V - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
TA78L012AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP, WNLF (J -
RFQ
 ECAD 9521 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L012 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 12V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 41 dB (120 Hz) Sur le Courant
TCK108G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108G, LF -
RFQ
 ECAD 4705 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 4-ufbga Taux de Balayage Contrôlé TCK108 Sans inversion Canal p 1: 1 4-WCSP (0,79x0,79) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 Pas requis En Marche / Arête 1 - Côté Haut 49MOHM 1,1 V ~ 5,5 V Mais Général 1A
TB62214AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG, 8, EL -
RFQ
 ECAD 9704 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface Pad Exposé 48-VFQFN TB62214 DMOS 4,75 V ~ 5,25 V 48-QFN (7x7) télécharger 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 2A 10V ~ 38V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4
TCR3DM33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3dm33, lf (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-UDFN 5,5 V Fixé 4-DFN (1x1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 Acteur Positif 300mA 3,3 V - 1 0,23 V @ 300mA - Sur le Courant, sur la température
TCR3DF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33, LM (CT 0,4200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3df Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr3df33 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 65 µA 78 µA Acteur Positif 300mA 3,3 V - 1 0,25 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3dg10, lf 0,1054
RFQ
 ECAD 4302 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 4-XFBGA, CSPBGA Tcr3dg10 5,5 V Fixé 4-WCSPE (0,65x0,65) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 65 µA 78 µA - Positif 300mA 1v - 1 0,75 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TCR3RM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3rm09a, lf (SE 0 4600
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3rm Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-XDFN Tcr3rm09 5,5 V Fixé 4-DFNC (1x1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 12 µA Limite Actulaire, acteur Positif 300mA 0,9 V - 1 - - Sur le Courant, sur la température
TCR1HF33B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF33B, LM (CT 0,4800
RFQ
 ECAD 1489 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Actif - 3 000
TCR5AM095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM095, LF 0.1344
RFQ
 ECAD 9016 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TCR5H Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 4-XDFN TCR5AM095 5,5 V Fixé 5-DFNB (1.2x1.2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 55 µA 68 µA Acteur Positif 500mA 0,95 V - 1 0,23 V @ 500mA 70 dB ~ 40 dB (1KHz ~ 10Hz) AU-Dessus du Courant, sur la température, Sous emplacement de tension (UVLO)
TA58L05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05F (TE16L1, nq -
RFQ
 ECAD 5283 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TA58L05 29v Fixé PW-Mold télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 1 mA 50 mA Acteur Positif 250mA 5V - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
TCR2EF41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF41, LM (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ef Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr2ef41 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 60 µA Acteur Positif 200m 4.1v - 1 0,2 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TA78DS05BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP, F (J -
RFQ
 ECAD 3395 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78DS 33v Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 1 mA - Positif 30m 5V - 1 0,3 V @ 10mA - Sur le Courant, sur la température, sur la tension, transitoire de tension
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    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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