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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Applications | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Caractéristique | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Tension - entrée (max) | Type de sortie | Ratio - Entrée: Sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fonction | COURANT - Sortie / Canal | Tension - alimentation (VCC / VDD) | Interface | Nombre de Trities | Current - Quiescent (IQ) | Courant - alimentation (max) | Commutateur Interne (s) | Topologie | Protection contre les pannes | Caratérales de contôle | Tension - alimentation (max) | Configuration de la sortie | Courant - Sortie | RDS SUR (TYP) | Tension - Chargement | Type de moteur - Stepper | Type de moteur - AC, DC | Résolution de pas | Atténuation | Tension - alimentation (min) | Tension - Sortie | Type de commutateur | Courant - Sortie (Max) | Tension - Sortie (min / fixe) | Tension - Sortie (max) | Nombre de régulateurs | Dépôt de tension (max) | Psrr | Caractéristique de protection |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TC62D722FG, EL | - | ![]() | 1558 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Support de surface | 24-SOP (0,236 ", 6,00 mm de grand) | Linéaire | TC62D722 | - | 24 SSOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | 90mA | 16 | Oui | Registre de décalage | 5,5 V | - | 3V | 17V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tb6600hg | 6.3700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Plateau | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mais Général | Par le trou | 25 sippe | TB6600 | MOSFET POWER | 8V ~ 42V | 25 Hzip | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Tb6600hg (o) | EAR99 | 8542.39.0001 | 510 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 4.5a | 8V ~ 42V | Bipolaire | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62387AFNG, EL | 1.5200 | ![]() | 7086 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 20 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | - | TBD62387 | Inverseur | Canal n | 1: 1 | 20 ssop | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Tbd62387afngelct | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | 4,5 V ~ 5,5 V | En Marche / Arête | 8 | - | Côté Bas | 1,5 ohm | 0v ~ 50v | Mais Général | 500mA | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tcr2en19, lf (se | 0,3800 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 60 µA | Acteur | Positif | 200m | 1,9 V | - | 1 | 0,29 V @ 300mA, 0,3 V @ 300mA | - | Sur le Courant | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62183AFWG, EL | 1.3100 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | - | TBD62183 | Inverseur | Canal n | 1: 1 | 18-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 000 | 2,8 V ~ 25V | - | 8 | - | Côté Bas | - | 50v (max) | Mais Général | 50m | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UG185A, LF | 0.1237 | ![]() | 2215 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr3ug | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 4-xfbga, wlcsp | 4-WCSPF (0,65x0,65) | - | Rohs3 conforme | 264-TCR3UG185A, LFTR | 5 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tcr3dm28, lf | 0,0926 | ![]() | 9748 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr3dm | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-UDFN | Tcr3dm28 | 5,5 V | Fixé | 4-DFN (1x1) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 65 µA | 78 µA | Acteur | Positif | 300mA | 2,8 V | - | 1 | 0,25 V @ 300mA | 70 dB (1 kHz) | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67B054FTG, EL | 3.2800 | ![]() | 3489 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 115 ° C (TA) | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 32-VFQFN | TB67B054 | Bi-CMOS | 6V ~ 16,5V | 32-VQFN (5x5) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | PWM | - | 2MA | - | Multiphase | DC Sans Pinceau (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC78H621FNG, EL | 1,7000 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mais Général | Support de surface | 16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TC78H621 | DMOS | 2,7 V ~ 5,5 V | 16-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur | PWM | Pré-conducteur - Demi-pont (2) | 1.1A | 2,5 V ~ 15V | Bipolaire | DC Brossé | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK22973G, LF | 0.1807 | ![]() | 8208 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 6-ufbga, wlcsp | Taux de Balayage Contrôlé | TCK22973 | Sans inversion | Canal p | 1: 1 | 6-WCSPE (0,80x1.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | Pas requis | En Marche / Arête | 1 | Courant Inversé | Côté Haut | 25 Mohm | 1,1 V ~ 5,5 V | Mais Général | 2A | |||||||||||||||||||||||||||||
Tcr3rm12a, lf | 0 4600 | ![]() | 164 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr3rm | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XDFN | Tcr3rm12 | 5,5 V | Fixé | 4-DFNC (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | - | Positif | 300mA | 1,2 V | - | 1 | 0,13 V @ 300mA | 100 dB (1 kHz) | Sur le Courant, sur la température | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62755FPG, EL | - | ![]() | 7502 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Rétros | Support de surface | Pad Exposé 6-UFDFN | Régulateur DC DC | TB62755 | 1 MHz | 6 films (1,8x2) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | 20 mA | 1 | Oui | Step-up (boost) | 5,5 V | PWM | 2,8 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tcr2ln085, lf | - | ![]() | 6604 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2ln | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | Tcr2ln085 | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 2 µA | Acteur | Positif | 200m | 0,85 V | - | 1 | 1,56 V @ 150mA | - | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62262FTAG, EL | 2.1700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Appareil | Support de surface | Pad Exposé 36-WFQFN | TB62262 | MOSFET POWER | 4,75 V ~ 5,25 V | 36-WQFN (6x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | PWM | Demi-pont (4) | 800mA | 10V ~ 35V | Bipolaire | DC Brossé | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6674PG, C, 8 | - | ![]() | 1620 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -30 ° C ~ 75 ° C (TA) | Mais Général | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TB6674 | MOSFET POWER | 4,5 V ~ 5,5 V | 16 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 350m | 2,7 V ~ 22V | Bipolaire | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62218AFTG, 8, EL | - | ![]() | 2013 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 48-VFQFN | TB62218 | DMOS | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-QFN (7x7) | télécharger | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 2A | 10V ~ 38V | Bipolaire | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6559FG, 8, EL | 1.9800 | ![]() | 5714 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mais Général | Support de surface | 16 BSOP (0,252 ", 6,40 mm de grosur) + 2 onglets de chaleur | TB6559 | NMOS, PMOS | 10V ~ 30V | 16-HSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 500 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (2) | 1A | 10V ~ 30V | - | DC Brossé | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DF30, LM | 0,4000 | ![]() | 54 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr3df | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | SC-74A, SOT-753 | Tcr3df30 | 5,5 V | Fixé | SMV | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | 65 µA | 78 µA | Acteur | Positif | 300mA | 3V | - | 1 | 0,27 V @ 300mA | 70 dB (1 kHz) | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DF15, LM (CT | 0.4900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr3df | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | SC-74A, SOT-753 | Tcr3df15 | 5,5 V | Fixé | SMV | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | 65 µA | 78 µA | Acteur | Positif | 300mA | 1,5 V | - | 1 | 0,47 V @ 300mA | 70 dB (1 kHz) | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC78B015FTG, EL | 1.6758 | ![]() | 1800 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 36-VFQFN | TC78B015 | CMOS | 6V ~ 22V | 36-VQFN (5x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | Conducteur | PWM | Demi-pont (3) | 3A | - | Multiphase | DC Sans Pinceau (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67S128FTG (O, EL) | 7.8400 | ![]() | 8129 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 64-VFQFN | TB67S128 | MOSFET POWER | 0v ~ 5,5 V | 64-VQFN (9x9) | télécharger | Rohs conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 5A | 6.5V ~ 44V | Bipolaire | - | 1/8, 1/16, 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L05S, Alpsaq (J | - | ![]() | 2040 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TA58L05 | 29v | Fixé | À 220nis | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 50 mA | - | Positif | 250mA | 5V | - | 1 | 0,4 V @ 200m | - | Sur le Courant, sur la température | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UG28A, LF | 0 4700 | ![]() | 526 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr3ug | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Support de surface | 4-xfbga, wlcsp | TCR3UG28 | 5,5 V | Fixé | 4-WCSP-F (0,65x0,65) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | 680 na | Acteur | Positif | 300mA | 2,8 V | - | 1 | 0,327v @ 300mA | 70 dB (1 kHz) | Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tcr3dg31, lf | 0,1054 | ![]() | 1144 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr3dg | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Tcr3dg31 | 5,5 V | Fixé | 4-WCSPE (0,65x0,65) | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | Acteur | Positif | 300mA | 3.1 V | - | 1 | 0,235 V @ 300mA | 70 dB (1 kHz) | COURANT HABITUEL, SUR LE COURANT, SUR LA TEMPÉRATURE | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tcr2dg31, lf | 0.1445 | ![]() | 8069 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2dg | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 4-ufbga, wlcsp | Tcr2dg31 | 5,5 V | Fixé | 4-WCSP (0,79x0,79) | télécharger | Rohs3 conforme | Tcr2dg31lf | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | 70 µA | - | Positif | 200m | 3.1 V | - | 1 | 0.11V @ 100mA | - | Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tcr2dg33, lf | 0,5000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2dg | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 4-ufbga, wlcsp | Tcr2dg33 | 5,5 V | Fixé | 4-WCSP (0,79x0,79) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | 70 µA | - | Positif | 200m | 3,3 V | - | 1 | 0.11V @ 100mA | - | Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique | ||||||||||||||||||||||||||||||
TB6560AHQ, 8 | 7.2800 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mais Général | Par le trou | 25 SSIP FORMES | TB6560 | MOSFET POWER | 4,5 V ~ 5,5 V | 25 Hzip | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 14 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 3A | 4,5 V ~ 34V | Bipolaire | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78DS05CP, ASHIF (M | - | ![]() | 6359 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | TA78DS | 33v | Fixé | LSTM | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 1 mA | - | Positif | 30m | 5V | - | 1 | 0,3 V @ 10mA | - | Sur le Courant, sur la température, sur la tension, transitoire de tension | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DF11, LM (CT | 0,0906 | ![]() | 9459 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr3df | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | SC-74A, SOT-753 | Tcr3df11 | 5,5 V | Fixé | SMV | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | Acteur | Positif | 300mA | 1,1 V | - | 1 | 0,67 V @ 300mA | 70 dB (1 kHz) | COURANT HABITUEL, SUR LE COURANT, SUR LA TEMPÉRATURE | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62781APG | 1.9400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 18 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | - | TBD62781 | Sans inversion | Canal p | 1: 1 | 18 plombes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 800 | Pas requis | En Marche / Arête | 8 | - | Côté Haut | 1,6 ohm | 50v (max) | Mais Général | 400mA |
Volume de RFQ moyen quotidien
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