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Geste de l'alimentation (PMIC) (1138)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Applications Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Caractéristique Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Tension - entrée (max) Type de sortie Ratio - Entrée: Sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fonction COURANT - Sortie / Canal Tension - alimentation (VCC / VDD) Interface Nombre de Trities Current - Quiescent (IQ) Courant - alimentation (max) Commutateur Interne (s) Topologie Protection contre les pannes Caratérales de contôle Tension - alimentation (max) Configuration de la sortie Courant - Sortie RDS SUR (TYP) Tension - Chargement Type de moteur - Stepper Type de moteur - AC, DC Résolution de pas Atténuation Tension - alimentation (min) Tension - Sortie Type de commutateur Courant - Sortie (Max) Tension - Sortie (min / fixe) Tension - Sortie (max) Nombre de régulateurs Dépôt de tension (max) Psrr Caractéristique de protection
TA58M09S,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M09S, Matudq (J -
RFQ
 ECAD 2222 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58M09 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 80 mA - Positif 500mA 9v - 1 0,65 V @ 500mA - Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse
TB62781FNG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG, 8, EL -
RFQ
 ECAD 8436 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Support de surface 20 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) Linéaire TB62781 - 20 ssop télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 40m 9 Oui - 5,5 V - 3V 28v
TB6562ANG Toshiba Semiconductor and Storage TB6562ang -
RFQ
 ECAD 7296 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Par le trou 24-mères (0,300 ", 7,62 mm) TB6562 DMOS 10V ~ 34V 24 sdip télécharger 1 (illimité) TB6562ang (O) EAR99 8542.39.0001 100 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 1.5a 10V ~ 34V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4
TA78L006AP,T6STF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L006AP, T6STF (M -
RFQ
 ECAD 2822 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L006 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6 mA - Positif 150m 6V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 47 dB (120 Hz) Sur le Courant
TB6559FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6559FG, 8, EL 1.9800
RFQ
 ECAD 5714 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface 16 BSOP (0,252 ", 6,40 mm de grosur) + 2 onglets de chaleur TB6559 NMOS, PMOS 10V ~ 30V 16-HSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 500 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (2) 1A 10V ~ 30V - DC Brossé -
TB9051FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9051FTG, EL 8.3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Automobile Support de surface 28 PowerQfn TB9051 Bi-CMOS 4,5 V ~ 5,5 V 28-QFN (6x6) télécharger Rohs conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 3 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM Demi-pont (2) 6A - - DC Brossé -
TB67S149FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149FTG, EL 3 5500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 48-WFQFN TB67S149 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (2) 3A 10V ~ 40V Unipolaire - 1 ~ 1/32
TCR3UG285A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG285A, LF 0.1229
RFQ
 ECAD 9683 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3ug Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface 4-xfbga, wlcsp TCR3UG285 5,5 V Fixé 4-WCSPF (0,65x0,65) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 680 na Acteur Positif 300mA 2,85 V - 1 0,327v @ 300mA 70 dB (1 kHz) Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique
TCR3DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3dg25, lf 0,3900
RFQ
 ECAD 5877 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4-XFBGA, CSPBGA 5,5 V Fixé 4-WCSPE (0,65x0,65) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 5 000 Acteur Positif 300mA 2,5 V - 1 0,275 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TBD62384APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62384APG 1 9000
RFQ
 ECAD 777 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 18 DIP (0,300 ", 7,62 mm) - TBD62384 Inverseur Canal n 1: 1 18 plombes télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 800 4,5 V ~ 5,5 V En Marche / Arête 8 - Côté Bas 1,5 ohm 0v ~ 50v Mais Général 400mA
TC78H660FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H660FTG, EL 1.1900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 16-VFQFN TC78H660 DMOS 1,5 V ~ 5,5 V 16-VQFN (3x3) télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation - Demi-pont (4) 2A 2,5 V ~ 16V - DC Brossé -
TCR2LE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2le20, LM (CT 0,4100
RFQ
 ECAD 3699 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2le Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface SOT-553 Tcr2le20 5,5 V Fixé ESV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 2 µA Acteur Positif 200m 2V - 1 0,56 V @ 150mA - Sur le Courant
TB6552FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6552ftg, 8, El 0,6489
RFQ
 ECAD 1259 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Tampon Exposé 16-WFQFN TB6552 MOSFET POWER 2,7 V ~ 5,5 V 16-WQFN (3x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM, SÉRIE Demi-pont (4) 800mA 2,5 V ~ 13,5 V - DC Brossé -
TA78DS05AF(TE12L,F Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05AF (TE12L, F -
RFQ
 ECAD 2237 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface À 243aa TA78DS 29v Fixé PW-MINI (SOT-89) - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 000 1 mA - Positif 30m 5V - 1 0,3 V @ 10mA - Sur le Courant, sur la température, sur la tension, transitoire de tension
TCR3UG185A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG185A, LF 0.1237
RFQ
 ECAD 2215 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3ug Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 4-xfbga, wlcsp 4-WCSPF (0,65x0,65) - Rohs3 conforme 264-TCR3UG185A, LFTR 5 000
TB62777FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FNG, EL -
RFQ
 ECAD 7013 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Support de surface 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) Linéaire TB62777 - 16-SSOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 40m 8 Oui Registre de décalage 5,5 V - 3V 25V
TB6584AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG, C8, EL 1.4384
RFQ
 ECAD 9200 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Actif TB6584 télécharger Rohs3 conforme Tb6584afngc8el EAR99 8542.39.0001 2 000
TCR2EF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF32, LM (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 2813 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ef Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr2ef32 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 60 µA Acteur Positif 200m 3.2v - 1 0,2 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TC78H630FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H630FNG, EL 1.5800
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface 16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) TC78H630 DMOS 2,7 V ~ 5,5 V 16-TSSOP télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur PWM Pré-conducteur - demi-pont 2.1a 2,5 V ~ 15V Bipolaire DC Brossé -
TB62214AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFNG, C8, EL 2.8600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface 48-TFSOP (0 240 ", 6,10 mm de grand) exposé pavé TB62214 DMOS 4,75 V ~ 5,25 V 48-HTSSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 1 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 2A 10V ~ 38V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4
TCR2EE335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE335, LM (CT 0,0680
RFQ
 ECAD 2297 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ee Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SOT-553 TCR2EE335 5,5 V Fixé ESV télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 60 µA Acteur Positif 200m 3,35 V - 1 0,2 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TB67S142NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S142NG 4.8600
RFQ
 ECAD 5990 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Plateau Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Par le trou 24-mères (0,300 ", 7,62 mm) TB67S142 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 24 sdip télécharger Rohs3 conforme Non applicable TB67S142NG (O) EAR99 8542.39.0001 1 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (2) 3A 10V ~ 40V Unipolaire - 1, 1/2, 1/4
TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U (TE85L, F) 0,6000
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 mm (5 leads), plomb plat TAR5S16 15V Fixé UFV télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 850 µA Acteur Positif 200m 1,6 V - 1 - 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TA58L05S,ALPSAQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, Alpsaq (M -
RFQ
 ECAD 4393 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58L05 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 50 mA - Positif 250mA 5V - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
TCR2EE40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE40, LM (CT 0,3700
RFQ
 ECAD 428 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ee Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SOT-553 TCR2EE40 5,5 V Fixé ESV télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 60 µA Acteur Positif 200m 4V - 1 0,2 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TA78L008AP(6DNS,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP (6DNS, FM -
RFQ
 ECAD 5698 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L008 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 8v - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 45 dB (120 Hz) Sur le Courant
TA78L018AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP, F (J -
RFQ
 ECAD 2980 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L018 40V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 18V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 38 dB (120 Hz) Sur le Courant
TA78L075AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L075AP, F (J -
RFQ
 ECAD 8489 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L075 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 7,5 V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 45 dB (120 Hz) Sur le Courant
TCR3RM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3rm18a, lf (SE 0 4600
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3rm Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-XDFN Tcr3rm18 5,5 V Fixé 4-DFNC (1x1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 12 µA Limite Actulaire, acteur Positif 300mA 1,8 V - 1 0,22 V @ 300mA - Sur le Courant, sur la température
TA48L025F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L025F (TE12L, F) -
RFQ
 ECAD 4325 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface À 243aa TA48L025 16V Fixé PW-MINI (SOT-89) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 000 800 µA 5 mA - Positif 150m 2,5 V - 1 0,5 V @ 100mA 70 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

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    Fabricants mondiaux

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    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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