SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Applications Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Caractéristique Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie COURANT - ApprovisionNation Tension - entrée Tension - entrée (max) Type de sortie Coefficient de température Circuits Nombre Ratio - Entrée: Sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) ECCN HTSUS Norme de package Type Logique Nombre d'éléments Nombre de bits par élément COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE Fonction Courant - Quiescent (max) -3db Bande Passante COURANT - Sortie / Canal Nombre d'Entrées Type de Référence Tension - alimentation (VCC / VDD) Circuit de commutation Circuit Multiplexeur / Démultiplexeur RÉSISTANCE À L'ÉTAT (MAX) Correspondance de Canaux à canal (ΔRON) Tension - alimentation, Célibataire (V +) Tension - alimentation, double (v ±) Temps de Commutation (Tonne, Toff) (Max) Injection d'accusation Capacité des Canaux (CS (OFF), CD (OFF)) COURANT - FUITE (IS (OFF)) (Max) Diaphonie Taux de Donnés Interface Signal d'entrée Signal De Sortie Nombre de Trities Source d'alimentation de tension Delay de propagation max @ v, max cl Current - Quiescent (IQ) Courant - alimentation (max) Niveau Logique d'Entrée - Bas Niveau Logique d'Entrée - Élevé Circuit Circuits indépendants Type de Traducteur Type de canal Canax par circuit Tension - VCCA Tension - VCCB Commutateur Interne (s) Topologie Protection contre les pannes Caratérales de contôle Tension - alimentation (max) Configuration de la sortie Courant - Sortie RDS SUR (TYP) Tension - Chargement Type de moteur - Stepper Type de moteur - AC, DC Résolution de pas Atténuation Tension - alimentation (min) Tension - Sortie Type de commutateur Courant - Sortie (Max) Tension - Sortie (min / fixe) Bruit - 0,1 Hz à 10Hz Bruit - 10 Hz à 10 kHz Tension - Sortie (max) Nombre de régulateurs Dépôt de tension (max) Psrr Caractéristique de protection
TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM30, LF 0,0926
RFQ
ECAD 2827 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3dm Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-UDFN Tcr3dm30 5,5 V Fixé 4-DFN (1x1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 65 µA 78 µA Acteur Positif 300mA 3V - 1 0,25 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TB9080FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9080FG 6.3062
RFQ
ECAD 8444 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q100 Plateau Actif -40 ° C ~ 125 ° C Automobile Support de surface 64 LQFP TB9080 Bipolaire 7V ~ 18V 64 LQFP (10x10) télécharger 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 800 Contrôleur - Vissese PWM Pré-conducteur - Demi-pont (3) - - - DC Sans Pinceau (BLDC) -
TB62763FMG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62763FMG, 8, EL 0 5047
RFQ
ECAD 8580 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Rétros Support de surface 8 mm, exposé pavé à plomb plat Régulateur DC DC TB62763 200 kHz ~ 2 MHz 8 films (2.9x2.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 80m 1 Oui Step-up (boost) 5,5 V - 2,8 V -
TB67B008FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG, EL 2.1300
RFQ
ECAD 40 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Mais Général Support de surface Exposition 24-WFQFN PAD TB67B008 MOSFET POWER 5.5V ~ 22V 24-WQFN (4x4) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM Demi-pont (3) 3A 5.5V ~ 22V - DC Sans Pinceau (BLDC) -
TC7SPN334L6X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPN334L6X, LF 0.4400
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TC7SPN Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 6-ufdfn - TC7SPN334 Non inversé 1 6-MP6C (1.45x1.0) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 - - - Niveau de tension Unidirectionnel 1 1,1 V ~ 2,7 V 1,65 V ~ 3,6 V
TB62213AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFTG, 8, EL -
RFQ
ECAD 7252 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface Pad Exposé 48-VFQFN TB62213 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 48-QFN (7x7) télécharger 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 2.4a 10V ~ 38V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4
74HC4053D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC4053d 0,4800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) 74HC4053 3 16 ans télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 500 200 MHz SPDT 2: 1 100 ohms 5OHM (TYP) 2v ~ 6v - 38ns, 38ns - 5pf 100NA -50 dB à 1 MHz
TCR2LE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2le27, lm (ct 0,0762
RFQ
ECAD 4589 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2le Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface SOT-553 Tcr2le27 5,5 V Fixé ESV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 2 µA Acteur Positif 200m 2,7 V - 1 0,38 V @ 150mA - Sur le Courant
TBD62083AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFNG, EL 1 4000
RFQ
ECAD 1091 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 18 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) - TBD62083 Inverseur Canal n 1: 1 18 SSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Pas requis En Marche / Arête 8 - Côté Bas - 50v (max) Mais Général 500mA
TBD62785APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785APG 1.9800
RFQ
ECAD 120 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 18 DIP (0,300 ", 7,62 mm) - TBD62785 Inverseur Canal p 1: 1 18 plombes télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 20 2V ~ 50V En Marche / Arête 8 - Côté Haut 1,6 ohm 0v ~ 50v Mais Général 400mA
74VHC08FT Toshiba Semiconductor and Storage 74vhc08ft 0,4800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TC74VHC Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) - 74VHC08 4 2V ~ 5,5 V 14-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 500 ET Porte 8mA, 8mA 2 µA 2 7.9ns @ 5v, 50pf 0,5 V 1,5 V
TCR2LN08,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2ln08, lf (SE 0,3800
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ln Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 4-XFDFN 5,5 V Fixé 4-SDFN (0,8x0,8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 µA Acteur Positif 200m 0,8 V - 1 1,56 V @ 150mA - Sur le Courant
TC4081BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4081BF (El, N, F) 0,6000
RFQ
ECAD 3368 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba 4000b Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 14-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) - TC4081 4 3V ~ 18V 14-SOP - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 ET Porte 3,4mA, 3,4mA 1 µA 2 80ns @ 15v, 50pf 1,5 V ~ 4V 3,5 V ~ 11V
TA78L018AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP, T6F (J -
RFQ
ECAD 5551 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L018 40V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 18V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 38 dB (120 Hz) Sur le Courant
TA58L05S,HY-ATQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, HY-ATQ (M -
RFQ
ECAD 9220 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58L05 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 50 mA - Positif 250mA 5V - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
TCK302G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK302G, LF 0 4658
RFQ
ECAD 2363 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TCK30 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 9-ufbga, wlcsp Taux de Balayage Contrôlé, Drapeau d'ÉTAT TCK302 - Canal n 1: 1 9-WCSP (1,5x1,5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 Pas requis En Marche / Arête 1 Sur la température, aU-Dessus de la tension, Courant Inversé, Uvlo Côté Haut 73MOHM 2.3V ~ 28V Mais Général 3A
TCR8BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Tcr8bm10, l3f 0 4600
RFQ
ECAD 3470 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr8bm Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-XDFN Tcr8bm10 5,5 V Fixé 5-DFNB (1.2x1.2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 36 µA Limite Actulaire, acteur Positif 800mA 1V - 1 0,23 V @ 800mA 98 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TB6552FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6552FNG, C, 8, EL 1.5800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) TB6552 MOSFET POWER 2,7 V ~ 5,5 V 16-SSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM, SÉRIE Demi-pont (4) 800mA 2,5 V ~ 13,5 V - DC Brossé -
TA78L018AP,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP, T6F (M -
RFQ
ECAD 1498 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L018 40V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 18V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 38 dB (120 Hz) Sur le Courant
TC7SPB9306TU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPB9306TU, LF (CT 0,4200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tc7sp Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 mm, plombes plombes Interrupteur de bus TC7SPB9306 1,65 V ~ 5V, 2,3 V ~ 5,5 V Uf6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 - Double approbation 1 x 1: 1 1
TC7WZ04FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WZ04FU, LJ (CT 0,3900
RFQ
ECAD 25 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tc7wz Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-TSSOP, 8 MSOP (0,110 ", 2,80 mm de grandeur) - 7wz04 3 1,65 V ~ 5,5 V 8-SSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 Onduleur 32mA, 32mA 10 µA 3 3,6ns @ 5v, 50pf - -
TCR3DF295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF295, LM (CT 0.4900
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3df Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 TCR3DF295 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 Acteur Positif 300mA 2,95 V - 1 0,27 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) COURANT HABITUEL, SUR LE COURANT, SUR LA TEMPÉRATURE
TCR2LF21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF21, LM (CT 0,0700
RFQ
ECAD 1084 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2lf Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr2lf21 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 2 µA Acteur Positif 200m 2.1 V - 1 0,56 V @ 150mA - Sur le Courant
TCK106G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106G, LF 0.4400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 4-ufbga Taux de Balayage Contrôlé TCK106 Sans inversion Canal p 1: 1 4-WCSP (0,79x0,79) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 Pas requis En Marche / Arête 1 - Côté Haut 49MOHM 1,1 V ~ 5,5 V Mais Général 1A
TC7SH34FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH34FS (TPL3) -
RFQ
ECAD 4381 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TC7SH Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface SOT-953 TC7SH34 - Push-pull 2V ~ 5,5 V FSV - 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 Tampon, non inversé 1 1 8mA, 8mA
TA76432S(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S (TE6, F, M) -
RFQ
ECAD 7880 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète - -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA76432 - - - - LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TC7W241FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W241FUTE12LF 0,4100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tc7w Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 8-TSSOP, 8 MSOP (0,110 ", 2,80 mm de grandeur) TC7W241 - À 3 États 2v ~ 6v 8-SSOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 Tampon, non inversé 2 1 7,8 Ma, 7,8 Ma
TCR2DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG285, LF 0.1394
RFQ
ECAD 7114 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4-ufbga, wlcsp 5,5 V Fixé 4-WCSP (0,79x0,79) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 3 000 70 µA Acteur Positif 200m 2,85 V - 1 0,12 V @ 100mA - Sur le Courant, sur la température
TC7PG04AFE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TC7PG04AFE (TE85L, F -
RFQ
ECAD 7966 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tc7pg Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SOT-563, SOT-666 - 7pg04 2 0,9 V ~ 3,6 V ES6 (1.6x1.6) - 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 Onduleur 8mA, 8mA 1 µA 2 4.8ns à 3,3 V, 30pf 0,7 V ~ 0,8 V 1,7 V ~ 2V
TCR5RG09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A, LF 0,5300
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr5rg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4-xfbga, wlcsp TCR5RG09 5,5 V Fixé 4-WCSPF (0,65x0,65) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 13 µA - Positif 500mA 0,9 V - 1 - 100 dB ~ 59 dB (1 kHz ~ 1 MHz) Sur le Courant, sur la température
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock