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Circuits Integrés (CI) (2120)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Applications Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Caractéristique Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie COURANT - ApprovisionNation Tension - entrée (max) Type de sortie Circuits Nombre Ratio - Entrée: Sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) ECCN HTSUS Norme de package Type Logique Nombre d'éléments Nombre de bits par élément COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE Fonction Courant - Quiescent (max) Tarif d'allumage -3db Bande Passante COURANT - Sortie / Canal Type d'amplificateur Gagnez le Protuit de Bande Passante COURANT - BIAIS D'ENTRÉE Tension - Décalage d'entrée Tension - Durée d'Alimentation (min) Tension - Durée d'Alimentation (max) Nombre d'Entrées Nombre d'E / S Processus de base Taille de base Vitre Connectivité Périphériques Taille de la Mémoire du programme Type de Mémoire du programme Taille de l'Éprom Bélier Tension - alimentation (VCC / VDD) ConvertSseurs de Donnés Type d'oscillleur Circuit de commutation Circuit Multiplexeur / Démultiplexeur RÉSISTANCE À L'ÉTAT (MAX) Correspondance de Canaux à Canal (ΔRON) Tension - alimentation, Célibataire (V +) Tension - alimentation, double (v ±) Temps de Commutation (Tonne, Toff) (Max) Injection d'accusation Capacité des Canaux (CS (OFF), CD (OFF)) COURANT - FUITE (IS (OFF)) (Max) Diaphonie Protocole Nombre de Chauffeurs / Récepteurs Duplex Taux de Donnés Interface Nombre de Trities Source d'alimentation de tension Delay de propagation max @ v, max cl Current - Quiescent (IQ) Courant - alimentation (max) Niveau Logique d'Entrée - Bas Niveau Logique d'Entrée - Élevé Circuit Circuits indépendants Commutateur Interne (s) Topologie FRÉQUENCE - Commutation Protection contre les pannes Caratérales de contôle Tension - alimentation (max) Configuration de la sortie Réparation de synchrone Courant - Sortie RDS SUR (TYP) Tension - Chargement Type de moteur - Stepper Type de moteur - AC, DC Résolution de pas Atténuation Tension - alimentation (min) Tension - Sortie Type de commutateur Courant - Sortie (Max) Tension - Sortie (min / fixe) Tension - Sortie (max) Tension - entrée (min) Nombre de régulateurs Dépôt de tension (max) Psrr Caractéristique de protection
TB6612FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6612FNG, C, 8, EL 2.0100
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface 24 LSSOP (0,220 ", 5,60 mm de grandeur) TB6612 MOSFET POWER 2,7 V ~ 5,5 V 24 SSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 1A 2,5 V ~ 13,5 V - DC Brossé -
TB62763FMG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62763FMG, 8, EL 0 5047
RFQ
 ECAD 8580 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Rétros Support de surface 8 mm, exposé pavé à plomb plat Régulateur DC DC TB62763 200 kHz ~ 2 MHz 8 films (2.9x2.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 80m 1 Oui Step-up (boost) 5,5 V - 2,8 V -
TA78L018AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP, T6F (J -
RFQ
 ECAD 5551 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L018 40V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 18V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 38 dB (120 Hz) Sur le Courant
TMPM4G6F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G6F10FG (DBB) 11.7800
RFQ
 ECAD 8616 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TX04 Plateau Actif -40 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP TMPM4G6 100 LQFP (14x14) télécharger Rohs conforme 3 (168 Heures) 3A991A2 8542.31.0001 90 86 ARM® Cortex®-M4F Monocore 32 bits 160 MHz CEC, EBI / EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART / USART DMA, LVD, POR, WDT 1 mois (1m x 8) Éclair 32k x 8 192k x 8 2,7 V ~ 3,6 V A / D 16x12b; D / a 2x8b Interne
TC74HC32AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC32AF (El, F) 0,5500
RFQ
 ECAD 1339 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba 74hc Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 14-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) - 74HC32 4 2v ~ 6v 14-SOP - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Ou porte 5,2 Ma, 5,2 Ma 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0,5 V ~ 1,8 V 1,5 V ~ 4,2 V
TC7SHU04FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SHU04FU, LJ (CT 0,3500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TC7SU Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7SHU04 1 2V ~ 5,5 V 5-SSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 Onduleur 8mA, 8mA 2 µA 1 7NS @ 5V, 50pf 0,3 V 1,7 V
TCV7113F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7113F (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 4470 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TCV71 5.6v Régile Advance 8-SOP (5x5) - 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 De Baisse 1 Mâle 1 MHz Positif Oui 6A 0,8 V 5.6v 2,7 V
TC74LCX541FT Toshiba Semiconductor and Storage Tc74lcx541ft -
RFQ
 ECAD 4778 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tc74lcx Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 20-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) 74LCX541 - À 3 États 1,65 V ~ 3,6 V 20-TSSOP - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Tampon, non inversé 1 8 24mA, 24mA
TC7SZ126FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ126FE, LJ (CT 0,3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TC7SZ Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface SOT-553 TC7SZ126 - À 3 États 1,65 V ~ 5,5 V ESV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 Tampon, non inversé 1 1 32mA, 32mA
74VHC4066AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC4066AFT 0,4000
RFQ
 ECAD 2793 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) 74VHC4066 4 14-TSSOPB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 500 - SPST - Non 1: 1 37 ohms 5 ohms 2V ~ 5,5 V - 12ns, 12ns - 5,5pf 100NA -45 dB à 1MHz
TA58L08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S (FJTN, aq) -
RFQ
 ECAD 8759 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58L08 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 50 mA - Positif 250mA 8v - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
TC78B025FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B025FTG, EL 4.2300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Ventilateur de MOTEUR DE MOTEUR Support de surface Pad Exposé 24-VFQFN TC78B025 CMOS 4.5V ~ 16V 24-VQFN (4x4) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur PWM Demi-pont (3) 3.5a - Multiphase DC Sans Pinceau (BLDC) -
TB67S289FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S289FTG, EL 4.3700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 48-VFQFN TB67S289 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 48-VQFN (7x7) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (8) 3A 10V ~ 47V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TA58LT00F(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA58LT00F (T6L1, Q) -
RFQ
 ECAD 5745 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface À 252-6, DPAK (5 leads + onglet) TA58L 26V Régile 5-HSIP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 0,8 mA 15 mA Acteur Positif 150m 2,5 V 13.4V 1 0,6 V @ 100mA - Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse
TC75W55FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W55FU, LF 0 2240
RFQ
 ECAD 8867 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-TSSOP, 8 MSOP (0,110 ", 2,80 mm de grandeur) TC75W55 20 µA - 2 8-SSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.33.0001 3 000 0,08 V / µs CMOS 160 kHz 1 pa 2 mV 1,8 V 7 V
TBD62783APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783APG 1.6600
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Par le trou 18 DIP (0,300 ", 7,62 mm) - TBD62783 Sans inversion Canal p 1: 1 18 plombes télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 20 Pas requis En Marche / Arête 8 - Côté Haut - 50v (max) Mais Général 500mA
TA78L015AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP, 6FNCF (J -
RFQ
 ECAD 4631 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L015 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 15V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 40 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
TCK101G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK101G, LF 0 2235
RFQ
 ECAD 7725 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 6-ufbga Décharge de Charge, Taux de Balayage Contrôlé TCK101 Sans inversion Canal p 1: 1 6-BGA télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 Pas requis En Marche / Arête 1 Sur la température Côté Haut 50 Mohm 1,1 V ~ 5,5 V Mais Général 1A
TB7102F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102F (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 7840 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat TB7102 5,5 V Régile PS-8 (2.9x2.4) - 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 De Baisse 1 Mâle 1 MHz Positif Oui 1A 0,8 V 4,5 V 2,7 V
TA78DS05BP,T6STF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP, T6STF (M -
RFQ
 ECAD 1267 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78DS 33v Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 1 mA - Positif 30m 5V - 1 0,3 V @ 10mA - Sur le Courant, sur la température, sur la tension, transitoire de tension
TMP86FS49BUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49BUG (C, JZ) -
RFQ
 ECAD 2353 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TLCS-870 / C Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 64 LQFP Tmp86 64 LQFP (10x10) télécharger Rohs conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.31.0001 10 56 870 / c 8 bits 16 MHz I²c, sio, uart / usart LED, PWM, WDT 60KB (60K x 8) Éclair - 2k x 8 2,7 V ~ 5,5 V A / D 16x10b Interne
TB6634FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6634FNG, C, 8, EL 1.6439
RFQ
 ECAD 4919 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -30 ° C ~ 115 ° C (TA) Mais Général Support de surface 30 LSSOP (0,220 ", 5,60 mm de grandeur) TB6634 Bi-CMOS 6,5 V ~ 16,5 V 30 ssop télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Contrôleur - Commutation, geste de la direction Parallèle Pré-conducteur - Demi-pont (3) - - - DC Sans Pinceau (BLDC) -
TCR2DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2dg30, lf 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4-ufbga, wlcsp Tcr2dg30 5,5 V Fixé 4-WCSP (0,79x0,79) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 70 µA - Positif 200m 3V - 1 0.11V @ 100mA 73 dB ~ 50 dB (1 kHz ~ 100 kHz) Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique
TA78L008AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP, HOTIF (M -
RFQ
 ECAD 4229 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L008 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 8v - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 45 dB (120 Hz) Sur le Courant
TB62747AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG, EL -
RFQ
 ECAD 1895 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Support de surface 24-SOP (0,236 ", 6,00 mm de grand) Linéaire TB62747 - 24 SSOP télécharger 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 45mA 16 Oui Registre de décalage 5,5 V - 3V 26V
TCR3UM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3um18a, lf 0 4500
RFQ
 ECAD 203 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3um Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-UDFN Tcr3um18 5,5 V Fixé 4-DFN (1x1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 na Limite Actulaire, acteur Positif 300mA 1,8 V - 1 0,457v @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TB62214AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG, 8, EL -
RFQ
 ECAD 4503 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface 28 BSOP (0,346 ", 8,80 mm de grandeur) + 2 Tabs de Chaleur TB62214 DMOS 4,75 V ~ 5,25 V 28-HSOP télécharger 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 1 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 2A 10V ~ 38V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4
TC74VHC157FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC157FTEL -
RFQ
 ECAD 8509 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TC74VHC Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) Multiplexeur 74VHC157 2V ~ 5,5 V 16-TSSOP télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 8mA, 8mA Approvisionment unique 4 x 2: 1 1
TCR3UG30A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG30A, LF 0 4700
RFQ
 ECAD 4472 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3ug Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface 4-xfbga, wlcsp TCR3UG30 5,5 V Fixé 4-WCSP-F (0,65x0,65) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 680 na Acteur Positif 300mA 3V - 1 0,273 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique
TD62004AFG,N Toshiba Semiconductor and Storage TD62004AFG, n -
RFQ
 ECAD 2430 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 16-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) Conducteur TD62004 0v ~ 50v 16-SOP - 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 50 - 7/0 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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