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Circuits Integrés (CI) (5782)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS45S16320F-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-6BLA1-T-T-TR 13.0500
RFQ
 ECAD 9168 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS45S16320 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TW-BGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 167 MHz Volatil 512mbitons 5.4 ns Drachme 32m x 16 Parallèle -
IS45S16320F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7BLA2 15.8813
RFQ
 ECAD 1049 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS45S16320 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TW-BGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 240 143 MHz Volatil 512mbitons 5.4 ns Drachme 32m x 16 Parallèle -
IS42S32160F-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75EBI-TR 12.9150
RFQ
 ECAD 2785 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS42S32160 Sdram 3V ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 133 MHz Volatil 512mbitons 6 ns Drachme 16m x 32 Parallèle -
IS42S16160B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TL -
RFQ
 ECAD 5263 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) IS42S16160 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 108 143 MHz Volatil 256mbitons 5.4 ns Drachme 16m x 16 Parallèle -
IS42S32200C1-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TL -
RFQ
 ECAD 6490 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS42S32200 Sdram 3,15 V ~ 3 45 V 86-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 108 143 MHz Volatil 64mbitons 5,5 ns Drachme 2m x 32 Parallèle -
IS62C1024AL-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35TLI 2.4500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) IS62C1024 Sram - asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 32-tsop I télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2B 8542.32.0041 156 Volatil 1mbit 35 ns Sram 128k x 8 Parallèle 35ns
IS93C66A-2GRLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS93C66A-2GRLI -
RFQ
 ECAD 2049 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) 93C66A Eeprom 1,8 V ~ 5,5 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-1051-5 EAR99 8542.32.0051 100 3 MHz Non volatile 4kbit Eeprom 512 x 8, 256 x 16 Microwire 5 ms
IS42S32200C1-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TI-TR -
RFQ
 ECAD 3868 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS42S32200 Sdram 3,15 V ~ 3 45 V 86-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 1 500 143 MHz Volatil 64mbitons 5,5 ns Drachme 2m x 32 Parallèle -
IS61LPS25672A-250B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25672A-250B1 -
RFQ
 ECAD 6525 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 209-BGA IS61LPS25672 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 209-LFBGA (14x22) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 84 250 MHz Volatil 18mbitons 2.6 ns Sram 256k x 72 Parallèle -
IS62LV256AL-45ULI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-45ULI-TR 1.1254
RFQ
 ECAD 6303 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 28-SOIC (0,330 ", 8,38 mm de grandeur) IS62LV256 Sram - asynchrone 3V ~ 3,6 V 28-SOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 1 000 Volatil 256kbit 45 ns Sram 32k x 8 Parallèle 45ns
IS25LQ512B-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JDLE-TR -
RFQ
 ECAD 8195 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) IS25LQ512 Flash - ni 2,3V ~ 3,6 V 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 3 500 104 MHz Non volatile 512kbit Éclair 64k x 8 Spi - quad e / o 800 µs
IS25LP064A-JGLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064A-JGLE-TR -
RFQ
 ECAD 9510 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 24 TBGA IS25LP064 Flash - ni 2,3V ~ 3,6 V 24-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 2 500 133 MHz Non volatile 64mbitons Éclair 8m x 8 Spi - quad e / o, qpi 800 µs
IS42VM32400H-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-75BI-TR 4.1105
RFQ
 ECAD 1416 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS42VM32400 Sdram - mobile 1,7 V ~ 1,95 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0002 2 500 133 MHz Volatil 128mbitons 6 ns Drachme 4m x 32 Parallèle -
IS61NVP51236B-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236B-200B3i-TR -
RFQ
 ECAD 4796 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 165-TBGA IS61NVP51236 Sram - synchrone, d. 2 375V ~ 2 625V 165-TFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 2 000 200 MHz Volatil 18mbitons 3 ns Sram 512k x 36 Parallèle -
IS46LQ32640AL-062TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062TBLA1 -
RFQ
 ECAD 5977 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 En gros Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 200-TFBGA Sdram - mobile lpddr4x 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V 200-TFBGA (10x14,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS46LQ32640AL-062TBLA1 136 1,6 GHz Volatil 2 gbit 3,5 ns Drachme 64m x 32 Lvstl 18n
IS42S32800J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6TL 6.9700
RFQ
 ECAD 661 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS42S32800 Sdram 3V ~ 3,6 V 86-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 108 166 MHz Volatil 256mbitons 5.4 ns Drachme 8m x 32 Parallèle -
IS43LR32640A-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640A-5BI-TR 12.8850
RFQ
 ECAD 1124 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 90-LFBGA IS43LR32640 Sdram - ddr 1,7 V ~ 1,95 V 90-WBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 2 500 200 MHz Volatil 2 gbit 5 ns Drachme 64m x 32 Parallèle 15NS
IS43LD16128B-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-18BLI 11.4046
RFQ
 ECAD 2607 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Acheter la Dernière -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 134-TFBGA IS43LD16128 SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 1,14 V ~ 1,95 V 134-TFBGA (10x11,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 171 533 MHz Volatil 2 gbit Drachme 128m x 16 Parallèle 15NS
IS45S16800F-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-6BLA1-T-T-TR 4.8260
RFQ
 ECAD 3191 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS45S16800 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 2 500 166 MHz Volatil 128mbitons 5.4 ns Drachme 8m x 16 Parallèle -
IS34MW01G164-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G164-BLI-TR 3.4331
RFQ
 ECAD 7691 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 63-VFBGA Flash - Nand (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V 63-VFBGA (9x11) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS34MW01G164-BLI-TR 2 500 Non volatile 1 gbit 30 ns Éclair 64m x 16 Parallèle 45ns
IS61VF102418A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-6.5B3 -
RFQ
 ECAD 6047 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 165-TBGA IS61VF102418 Sram - synchrone, d. 2 375V ~ 2 625V 165-TFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz Volatil 18mbitons 6.5 ns Sram 1m x 18 Parallèle -
IS46TR85120AL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120AL-107MBLA2 -
RFQ
 ECAD 5051 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Plateau Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA IS46TR85120 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 78-TWBGA (9x10,5) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS46TR85120AL-107MBLA2 EAR99 8542.32.0036 136 933 MHz Volatil 4 Gbit 20 ns Drachme 512m x 8 Parallèle 15NS
IS46QR16512A-083TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-083TBLA1-TR 18.9924
RFQ
 ECAD 5318 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA Sdram - ddr4 1,14 V ~ 1,26 V 96-TWBGA (10x14) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS46QR16512A-083TBLA1-TR 2 000 1,2 GHz Volatil 8 Gbit 18 ns Drachme 512m x 16 Parallèle 15NS
IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16ECLL-70BI-TR 3.4373
RFQ
 ECAD 8352 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS66WVE2M16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 2 500 Volatil 32mbitons 70 ns Psram 2m x 16 Parallèle 70ns
IS43LQ16256A-062TBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16256A-062TBI-TR 11.7306
RFQ
 ECAD 6188 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 200-TFBGA SDRAM - MOBILE LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V 200-TFBGA (10x14,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS43LQ16256A-062TBI-TR 2 500 1,6 GHz Volatil 4 Gbit Drachme 256m x 16 Lvstl -
IS62WV10248HBLL-45B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45B2LI 4.1520
RFQ
 ECAD 1967 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA Sram - asynchrone 2.2V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI 480 Volatil 8mbitons 45 ns Sram 1m x 8 Parallèle 45ns
IS42S16160J-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6BI-TR 2.9790
RFQ
 ECAD 5683 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 2 500 166 MHz Volatil 256mbitons 5.4 ns Drachme 16m x 16 Parallèle -
IS62WV25616DALL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55TI -
RFQ
 ECAD 2832 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS62WV25616 Sram - asynchrone 1,65 V ~ 2,2 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 Volatil 4mbbitons 55 ns Sram 256k x 16 Parallèle 55ns
IS62WV5128BLL-55T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55T2LI-TR 3.3915
RFQ
 ECAD 8226 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS62WV5128 Sram - asynchrone 2,5 V ~ 3,6 V 32-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 000 Volatil 4mbbitons 55 ns Sram 512k x 8 Parallèle 55ns
IS49NLC96400-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400-25B -
RFQ
 ECAD 1539 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 144-TFBGA IS49NLC96400 Rldram 2 1,7 V ~ 1,9 V 144-FCBGA (11x18,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 104 400 MHz Volatil 576mbit 20 ns Drachme 64m x 9 Parallèle -
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