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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LP128F-JLLE | 2.1408 | ![]() | 1859 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25LP128 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | |||
![]() | IS61NLF51218A-7.5TQLI | 15.4275 | ![]() | 7705 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NLF51218 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Volatil | 9mbitons | 7,5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61LV12824-10BL-TR | - | ![]() | 3162 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 119-BGA | IS61LV12824 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 3mbitons | 10 ns | Sram | 128k x 24 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | IS49NLS96400-25B | - | ![]() | 9387 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 64m x 9 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16400D-7TLI | - | ![]() | 1344 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43DR81280B-25EBL | - | ![]() | 5488 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43DR81280 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS46LD32320A-25BLA2 | - | ![]() | 4628 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 134-TFBGA | IS46LD32320 | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 171 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS42S32800B-6B | - | ![]() | 7633 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61LPS25618A-200B2LI-TR | - | ![]() | 6832 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 119-BBGA | IS61LPS25618 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61LPS51236B-200TQLI | 19.1200 | ![]() | 144 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LPS51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61C1024AL-12HLI | 1.9868 | ![]() | 4225 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) | IS61C1024 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-stsop I | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 234 | Volatil | 1mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 12ns | |||
![]() | IS61LPS102436B-2000TTQLI-TR | 69.3000 | ![]() | 3399 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LPS102436 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatil | 36mbitons | 3.1 ns | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS46TR16640CL-107MBLA3 | - | ![]() | 1882 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16640 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16640CL-107MBLA3 | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |
![]() | IS49NLC93200A-25WBLI | 30.5534 | ![]() | 8947 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLC93200A-25WBLI | 104 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 32m x 9 | Hstl | - | ||||
![]() | IS25WP01G-RILE | 11.3725 | ![]() | 3939 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 lbga | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-lfbga (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WP01G-RILE | 480 | 104 MHz | Non volatile | 1 gbit | 10 ns | Éclair | 128m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | |||||
![]() | IS42RM32160E-75BL | 9.8419 | ![]() | 6343 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42RM32160 | Sdram - mobile | 2.3V ~ 3V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 6 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS25WP016D-JMLE | 0,8502 | ![]() | 2982 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | IS25WP016 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | |||
![]() | IS45S16800E-7TLA2-TR | - | ![]() | 4586 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16800F-7TL | 2.7100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1205 | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | |
![]() | IS41C16105C-50TI-TR | - | ![]() | 5579 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 44 pistes | IS41C16105 | Dram - FP | 4,5 V ~ 5,5 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | 84ns | |||
![]() | IS66WVH16M8DBLL-100B1LI | 5.0400 | ![]() | 7 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS66WVH16M8 | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 100 MHz | Volatil | 128mbitons | 40 ns | Psram | 16m x 8 | Parallèle | 40ns | ||
![]() | IS25LP512MG-RHLE-TR | 4.7755 | ![]() | 3618 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP512MG-RHLE-TR | 2 500 | 166 MHz | Non volatile | 512mbitons | 5,5 ns | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 70 µs, 4 ms | |||||
IS25CD512-JDE | - | ![]() | 9504 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | IS25CD512 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 500 | 100 MHz | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | Pimenter | 5 ms | ||||
![]() | IS61LF51218A-7.5TQLI-TR | 12.7500 | ![]() | 9897 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LF51218 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Volatil | 9mbitons | 7,5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S32200L-7TLI-TR | 3.7059 | ![]() | 7951 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43R86400E-6BL-TR | - | ![]() | 7241 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R86400 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
IS46DR16320E-25DBLA2-TR | 4.8869 | ![]() | 5772 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS46DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS43R16320E-5BL | 7.3552 | ![]() | 2924 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS61QDB21M36A-250M3L | - | ![]() | 4653 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61QDB21 | Sram - synchrone, quad | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatil | 36mbitons | 8.4 ns | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS62WV1288FBLL-45HLI-TR | 1.6344 | ![]() | 5269 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) | IS62WV1288 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 32-stsop I | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 1mbit | 45 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 45ns |
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