SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS25LP128F-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JLLE 2.1408
RFQ
ECAD 1859 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-WDFN IS25LP128 Flash - ni 2,3V ~ 3,6 V 8-WSON (8x6) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz Non volatile 128mbitons Éclair 16m x 8 Spi - quad e / o, qpi, dtr 800 µs
IS61NLF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51218A-7.5TQLI 15.4275
RFQ
ECAD 7705 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61NLF51218 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz Volatil 9mbitons 7,5 ns Sram 512k x 18 Parallèle -
IS61LV12824-10BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10BL-TR -
RFQ
ECAD 3162 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 119-BGA IS61LV12824 Sram - asynchrone 3.135V ~ 3,6 V 119-PBGA (14x22) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 000 Volatil 3mbitons 10 ns Sram 128k x 24 Parallèle 10ns
IS49NLS96400-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-25B -
RFQ
ECAD 9387 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 144-TFBGA IS49NLS96400 Rldram 2 1,7 V ~ 1,9 V 144-FCBGA (11x18,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 104 400 MHz Volatil 576mbit 20 ns Drachme 64m x 9 Parallèle -
IS42S16400D-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TLI -
RFQ
ECAD 1344 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) IS42S16400 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 108 143 MHz Volatil 64mbitons 5.4 ns Drachme 4m x 16 Parallèle -
IS43DR81280B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-25EBL -
RFQ
ECAD 5488 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43DR81280 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 60-TWBGA (8x10,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 242 400 MHz Volatil 1 gbit 450 PS Drachme 128m x 8 Parallèle 15NS
IS46LD32320A-25BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-25BLA2 -
RFQ
ECAD 4628 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Abandonné à sic -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Support de surface 134-TFBGA IS46LD32320 SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 1,14 V ~ 1,95 V 134-TFBGA (10x11,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 171 400 MHz Volatil 1 gbit Drachme 32m x 32 Parallèle 15NS
IS42S32800B-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6B -
RFQ
ECAD 7633 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3V ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 240 166 MHz Volatil 256mbitons 5,5 ns Drachme 8m x 32 Parallèle -
IS61LPS25618A-200B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618A-200B2LI-TR -
RFQ
ECAD 6832 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 119-BBGA IS61LPS25618 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 119-PBGA (14x22) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 000 200 MHz Volatil 4,5 Mbit 3.1 ns Sram 256k x 18 Parallèle -
IS61LPS51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236B-200TQLI 19.1200
RFQ
ECAD 144 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61LPS51236 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz Volatil 18mbitons 3 ns Sram 512k x 36 Parallèle -
IS61C1024AL-12HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-12HLI 1.9868
RFQ
ECAD 4225 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) IS61C1024 Sram - asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 32-stsop I télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2B 8542.32.0041 234 Volatil 1mbit 12 ns Sram 128k x 8 Parallèle 12ns
IS61LPS102436B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102436B-2000TTQLI-TR 69.3000
RFQ
ECAD 3399 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61LPS102436 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz Volatil 36mbitons 3.1 ns Sram 1m x 36 Parallèle -
IS46TR16640CL-107MBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640CL-107MBLA3 -
RFQ
ECAD 1882 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Plateau Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS46TR16640 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS46TR16640CL-107MBLA3 EAR99 8542.32.0032 190 933 MHz Volatil 1 gbit 20 ns Drachme 64m x 16 Parallèle 15NS
IS49NLC93200A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200A-25WBLI 30.5534
RFQ
ECAD 8947 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 144-TFBGA Rldram 2 1,7 V ~ 1,9 V 144-TWBGA (11x18,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS49NLC93200A-25WBLI 104 400 MHz Volatil 288mbitons 20 ns Drachme 32m x 9 Hstl -
IS25WP01G-RILE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP01G-RILE 11.3725
RFQ
ECAD 3939 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 En gros Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 24 lbga Flash - Ni (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V 24-lfbga (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS25WP01G-RILE 480 104 MHz Non volatile 1 gbit 10 ns Éclair 128m x 8 Spi - quad e / o, qpi, dtr 50 µs, 1 ms
IS42RM32160E-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160E-75BL 9.8419
RFQ
ECAD 6343 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS42RM32160 Sdram - mobile 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 240 133 MHz Volatil 512mbitons 6 ns Drachme 16m x 32 Parallèle -
IS25WP016D-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JMLE 0,8502
RFQ
ECAD 2982 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Tube Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) IS25WP016 Flash - ni 1,65 V ~ 1,95 V 16 ans télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 44 133 MHz Non volatile 16mbitons Éclair 2m x 8 Spi - quad e / o, qpi, dtr 800 µs
IS45S16800E-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7TLA2-TR -
RFQ
ECAD 4586 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) IS45S16800 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 1 500 143 MHz Volatil 128mbitons 5.4 ns Drachme 8m x 16 Parallèle -
IS42S16800F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7TL 2.7100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) IS42S16800 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-1205 EAR99 8542.32.0002 108 143 MHz Volatil 128mbitons 5.4 ns Drachme 8m x 16 Parallèle -
IS41C16105C-50TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16105C-50TI-TR -
RFQ
ECAD 5579 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 44 pistes IS41C16105 Dram - FP 4,5 V ~ 5,5 V 50-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 1 000 Volatil 16mbitons 25 ns Drachme 1m x 16 Parallèle 84ns
IS66WVH16M8DBLL-100B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8DBLL-100B1LI 5.0400
RFQ
ECAD 7 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 24 TBGA IS66WVH16M8 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V 24-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 480 100 MHz Volatil 128mbitons 40 ns Psram 16m x 8 Parallèle 40ns
IS25LP512MG-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MG-RHLE-TR 4.7755
RFQ
ECAD 3618 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 24 TBGA Flash - Ni (SLC) 2,3V ~ 3,6 V 24-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS25LP512MG-RHLE-TR 2 500 166 MHz Non volatile 512mbitons 5,5 ns Éclair 64m x 8 Spi - quad e / o, qpi, dtr 70 µs, 4 ms
IS25CD512-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JDE -
RFQ
ECAD 9504 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) IS25CD512 Éclair 2,7 V ~ 3,6 V 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 3 500 100 MHz Non volatile 512kbit Éclair 64k x 8 Pimenter 5 ms
IS61LF51218A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51218A-7.5TQLI-TR 12.7500
RFQ
ECAD 9897 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61LF51218 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3,6 V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz Volatil 9mbitons 7,5 ns Sram 512k x 18 Parallèle -
IS42S32200L-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7TLI-TR 3.7059
RFQ
ECAD 7951 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS42S32200 Sdram 3V ~ 3,6 V 86-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 1 500 143 MHz Volatil 64mbitons 5.4 ns Drachme 2m x 32 Parallèle -
IS43R86400E-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6BL-TR -
RFQ
ECAD 7241 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43R86400 Sdram - ddr 2,3V ~ 2,7 V 60-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 166 MHz Volatil 512mbitons 700 PS Drachme 64m x 8 Parallèle 15NS
IS46DR16320E-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-25DBLA2-TR 4.8869
RFQ
ECAD 5772 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 84-TFBGA IS46DR16320 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-TWBGA (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 400 MHz Volatil 512mbitons 400 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS43R16320E-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5BL 7.3552
RFQ
ECAD 2924 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Pas de designs les nouveaux 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43R16320 Sdram - ddr 2,3V ~ 2,7 V 60-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 190 200 MHz Volatil 512mbitons 700 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS61QDB21M36A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M36A-250M3L -
RFQ
ECAD 4653 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Abandonné à sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 165 LBGA IS61QDB21 Sram - synchrone, quad 1,71 V ~ 1,89 V 165-LFBGA (15x17) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz Volatil 36mbitons 8.4 ns Sram 1m x 36 Parallèle -
IS62WV1288FBLL-45HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FBLL-45HLI-TR 1.6344
RFQ
ECAD 5269 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) IS62WV1288 Sram - asynchrone 2.2V ~ 3,6 V 32-stsop I télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2B 8542.32.0041 2 000 Volatil 1mbit 45 ns Sram 128k x 8 Parallèle 45ns
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