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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS46TR16256AL-125KBLA1-T-T-TR | - | ![]() | 5559 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16256 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
IS25LP010E-JYLE-TR | 0,3100 | ![]() | 5802 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | IS25LP010 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LP010E-JYLE-TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 5 000 | 104 MHz | Non volatile | 1mbit | 8 ns | Éclair | 128k x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 1,2 ms | ||
![]() | IS46TR16640B-107MBLA2 | - | ![]() | 9474 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16640 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16640B-107MBLA2 | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |
![]() | IS61WV102416ALL-20MI | - | ![]() | 6995 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS61WV102416 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-Minibga (9x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | Volatil | 16mbitons | 20 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 20ns | |||
![]() | IS61NLF51236B-6.5TQLI-TR | 13.2194 | ![]() | 3584 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - synchrone, zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS61NLF51236B-6.5TQLI-TR | 800 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 6.5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | IS61LV6416-10BI | - | ![]() | 3715 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS61LV6416 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,63 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS61LV6416-10BI | OBSOLÈTE | 480 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | IS61WV5128FBLL-10BLI | 3.1286 | ![]() | 7937 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV5128FBLL-10BLI | 480 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 10ns | ||||||
![]() | IS42RM32100D-6BLI | 2.5829 | ![]() | 9451 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42RM32100 | Sdram - mobile | 2,3V ~ 2,7 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Volatil | 32mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43R16320D-5TL-TR | 5.2696 | ![]() | 7845 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 500 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS61WV102416ALL-20MLI | 22.6969 | ![]() | 5897 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS61WV102416 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-Minibga (9x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | Volatil | 16mbitons | 20 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 20ns | |||
![]() | IS43QR85120B-075UBL | 10.1363 | ![]() | 4346 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR85120B-075UBL | 136 | 1 333 GHz | Volatil | 4 Gbit | 19 ns | Drachme | 512m x 8 | Coffre | 15NS | |||||
![]() | IS66WVC4M16ECLL-7010BLI | 4.6313 | ![]() | 1320 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 54-VFBGA | IS66WVC4M16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatil | 64mbitons | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | IS42S32200C1-7TLI-TR | - | ![]() | 9249 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32200 | Sdram | 3,15 V ~ 3 45 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS25WP064A-RMLE-TY | 1.5641 | ![]() | 5600 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25WP064A-RMLE-TY | 176 | 133 MHz | Non volatile | 64mbitons | 7 ns | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||
![]() | IS61LPS12836EC-2000TQLI | 7.5262 | ![]() | 1726 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LPS12836 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 3.1 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61LPD51236A-250B3I | - | ![]() | 1361 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61LPD51236 | Sram - Port Quad, synchrone | 3.135V ~ 3 465V | 165-PBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volatil | 18mbitons | 2.6 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
IS46DR16320D-3DBA2 | - | ![]() | 8261 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS46DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46DR16320D-3DBA2 | OBSOLÈTE | 209 | 333 MHz | Volatil | 512mbitons | 450 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS42S83200D-75ETLI-TR | - | ![]() | 2041 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S83200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43DR86400C-25DBI | - | ![]() | 4738 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43DR86400 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43DR86400C-25DBI | OBSOLÈTE | 209 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS42S32800G-6BI-TR | - | ![]() | 2215 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16320D-6TL | 12.7725 | ![]() | 1647 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16400D-7TI | - | ![]() | 4495 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
IS43DR16640C-3DBLI-TR | 4.7803 | ![]() | 4083 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16640 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 500 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS43TR16128C-15HBL | 5.5338 | ![]() | 8707 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16128 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS61DDP2B21M36A-400M3L | 71.5551 | ![]() | 7798 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61DDP2 | Sram - synchrone, ddr iip | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Volatil | 36mbitons | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | |||
IS62WV10248EBLL-45TLI-TR | 4.3887 | ![]() | 1059 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS62WV10248 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 8mbitons | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Parallèle | 45ns | ||||
![]() | IS43R86400E-6TLI | - | ![]() | 2593 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R86400 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
IS61LV5128AL-10TI | - | ![]() | 6195 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61LV5128 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 10ns | ||||
![]() | IS61LV12824-8TQ | - | ![]() | 8306 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LV12824 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | Volatil | 3mbitons | 8 ns | Sram | 128k x 24 | Parallèle | 8ns | |||
![]() | IS42S32200E-7TLI-TR | - | ![]() | 5495 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - |
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