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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS25WP016D-JMLE	0,8502	RFQ	2982	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	IS25WP016	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	44	133 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS45S16800E-7TLA2-TR	-	RFQ	4586	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS42S16800F-7TL	2.7100	RFQ	3	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1205	EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS41C16105C-50TI-TR	-	RFQ	5579	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 44 pistes	IS41C16105	Dram - FP	4,5 V ~ 5,5 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	84ns
IS66WVH16M8DBLL-100B1LI	5.0400	RFQ	7	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS66WVH16M8	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480	100 MHz	Volatil	128mbitons	40 ns	Psram	16m x 8	Parallèle	40ns
IS25LP512MG-RHLE-TR	4.7755	RFQ	3618	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Ni (SLC)	2,3V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LP512MG-RHLE-TR			2 500	166 MHz	Non volatile	512mbitons	5,5 ns	Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	70 µs, 4 ms
IS25CD512-JDE	-	RFQ	9504	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	IS25CD512	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 500	100 MHz	Non volatile	512kbit		Éclair	64k x 8	Pimenter	5 ms
IS61LF51218A-7.5TQLI-TR	12.7500	RFQ	9897	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF51218	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 18	Parallèle	-
IS42S32200L-7TLI-TR	3.7059	RFQ	7951	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32200	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS43R86400E-6BL-TR	-	RFQ	7241	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R86400	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS46DR16320E-25DBLA2-TR	4.8869	RFQ	5772	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS46DR16320	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS43R16320E-5BL	7.3552	RFQ	2924	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	190	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS61QDB21M36A-250M3L	-	RFQ	4653	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB21	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS62WV1288FBLL-45HLI-TR	1.6344	RFQ	5269	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand)	IS62WV1288	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	32-stsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	2 000		Volatil	1mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS61LV12816L-10BI-TR	-	RFQ	4846	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61LV12816	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	2mbitons	10 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	10ns
IS43R16160F-5TLI-TR	2.7794	RFQ	7490	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R16160	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	200 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS25WP256D-RHLE-TR	3.7224	RFQ	2498	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS25WP256	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	104 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS42S16160B-7T-T-T-TR	-	RFQ	8110	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS62WV102416FBLL-45BLI	10.3200	RFQ	4989	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	IS62WV102416	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	16mbitons	45 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	45ns
IS61LF51236A-7.5B3	-	RFQ	3124	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LF51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS25LP512MG-RHLE	6.9200	RFQ	205	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS25LP512	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25LP512MG-RHLE	3A991B1A	8542.32.0071	480	166 MHz	Non volatile	512mbitons	5,5 ns	Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 1 ms
IS43DR16160A-37CBL	-	RFQ	4897	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16160	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	209	266 MHz	Volatil	256mbitons	500 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS61LPS204818B-200TQLI-TR	74.2500	RFQ	2320	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LPS204818	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	Volatil	36mbitons	3.1 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS42S16320F-7BL	10.6570	RFQ	8589	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS41LV16100B-50KLI	-	RFQ	6372	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS41LV16100	DRAM - EDO	3V ~ 3,6 V	42-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	16		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS61NLP25618A-200B3I-TR	-	RFQ	2676	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP25618	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-PBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	200 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3.1 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-
IS43TR82560BL-125KBL	-	RFQ	7374	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR82560	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR82560BL-125KBL	EAR99	8542.32.0036	242	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR	3.2797	RFQ	2905	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS61WV5128	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	36-SOJ	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	10ns
IS61NLP204818B-250B3L	94.1664	RFQ	8722	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP204818	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	Volatil	36mbitons	2,8 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS42S32160F-75ETLI-TR	13.2000	RFQ	9756	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
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Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²