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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS42S16800F-7BL	2.3842	RFQ	1551	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS49NLS93200-25BI	-	RFQ	3296	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLS93200	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	104	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	32m x 9	Parallèle	-
IS43LR32200B-6BI-TR	-	RFQ	7464	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS43LR32200	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	15NS
IS61LP6432A-133TQLI	7.4300	RFQ	9	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LP6432	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	Volatil	2mbitons	4 ns	Sram	64k x 32	Parallèle	-
IS42S32200C1-7TI	-	RFQ	1715	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32200	Sdram	3,15 V ~ 3 45 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS61LV25616AL-10BI	-	RFQ	5137	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61LV25616	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	48-TFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Q11107054	3A991B2A	8542.32.0041	220		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
IS46R16320E-5BLA1-T-T-TR	7.7700	RFQ	2347	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS46R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS43R32400E-4B	-	RFQ	2506	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-LFBGA	IS43R32400	Sdram - ddr	2,4 V ~ 2,6 V	144-LFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	189	250 MHz	Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	4m x 32	Parallèle	16NS
IS43TR16128CL-15HBI-TR	5.4740	RFQ	7754	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16128	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	667 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS45S16160J-6CTLA1	5.2943	RFQ	3916	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS61NLP25636A-200B3I	-	RFQ	4250	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP25636	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	9mbitons	3.1 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS62WV102416BLL-25MLI	19.3315	RFQ	6265	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV102416	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 3,6 V	48-Minibga (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	210		Volatil	16mbitons	25 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	25ns
IS43DR16640B-25DBLI	9.4300	RFQ	152	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16640	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1276	EAR99	8542.32.0032	209	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16160G-7TL	3 5582	RFQ	7971	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S32800D-75EBL	-	RFQ	2026	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240	133 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS43DR16320D-3DBL	2.8719	RFQ	5481	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16320	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	209	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16100E-6BLI	-	RFQ	3001	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	60-TFBGA (6.4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117	166 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS62WV12816EALL-55TLI-TR	2.5643	RFQ	3170	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV12816	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	2mbitons	45 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	45ns
IS34ML01G084-TLI-TR	3.6841	RFQ	1399	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS34ML01	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	1 gbit	25 ns	Éclair	128m x 8	Parallèle	25ns
IS42S16160D-7B	-	RFQ	5233	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS46TR16256BL-107MBLA3-TR	-	RFQ	4993	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16256	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR16256BL-107MBLA3-TR	EAR99	8542.32.0036	1 500	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS43DR16320D-3DBL-TR	2.6025	RFQ	3855	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16320	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS61QDPB42M36A1-550M3LI	-	RFQ	6948	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDPB42	Sram - Port Quad, synchrone	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	550 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS42S16160B-6BI-TR	-	RFQ	8916	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-LFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-LFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS25WQ080-JKLE	-	RFQ	6626	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25WQ080	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Pimenter	700 µs
IS61LPS102436A-166TQLI-TR	-	RFQ	2910	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LPS102436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	166 MHz	Volatil	36mbitons	3,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS61QDB21M18A-2550M3L	32.3796	RFQ	5832	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB21	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	18mbitons		Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61NLF102436A-7.5TQLI	-	RFQ	1927	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLF102436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	Volatil	36mbitons	7,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS46TR16640B-125JBLA2	-	RFQ	3484	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16640	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	190	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS43TR16128CL-15HBL-TR	4.9893	RFQ	6324	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16128	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	667 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²