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Circuits Integrés (CI) (5782)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S16160G-6TL | 3.7208 |  | 6720 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS42S32400D-7BI-TR | - | | 6197 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS62WV5128DALL-55BI | - | | 1047 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | IS62WV5128 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 36-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 55ns | |||
 | IS25LP128-JKLE-TR | 1.6825 | | 4236 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25LP128 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-wson (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 500 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 1 ms | |||
 | IS46TR16256B-125KBLA1 | 8.4090 | | 5195 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16256 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16256B-125KBLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |
 | IS46LQ16256AL-062BLA2 | - | | 5101 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ16256AL-062BLA2 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 16 | Lvstl | 18n | |||||
| IS46TR16128A-15HBLA2 | - | | 4514 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16128 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS43TR82560CL-125KBL-TR | 3.8489 | | 7671 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR82560CL-125KBL-TR | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |||||
 | IS43R32800B-6BL | - | | 2731 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 144-LFBGA | IS43R32800 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 144-Minibga (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 189 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| IS43LR32320C-6BI-TR | 8.1130 | | 5343 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR32320C-6BI-TR | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | |||||
 | IS61LF51236A-6.5B3I-TR | - | | 6667 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61LF51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 6.5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
| IS64LPS102436B-166B3LA3 | 127.7659 | | 6048 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS64LPS102436 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 166 MHz | Volatil | 36mbitons | 3,8 ns | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS62WV5128DALL-55TLI-TR | - | | 3688 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS62WV5128 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 32-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 55ns | |||
 | IS61LPD51236A-200TQLI-TR | 19.1250 | | 5183 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LPD51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS43R86400D-6TLI-TR | 7.5000 | | 8559 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R86400 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR | 2.2324 | | 6620 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-soj | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR | 800 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||||
| IS61NVF25672-7.5B1I-TR | - | | 9927 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 209-BGA | IS61NVF25672 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 209-LFBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 117 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 256k x 72 | Parallèle | - | ||
| IS42VM32400H-75BI-TR | 4.1105 | | 1416 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42VM32400 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
| IS34MW01G164-BLI-TR | 3.4331 | | 7691 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS34MW01G164-BLI-TR | 2 500 | Non volatile | 1 gbit | 30 ns | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | 45ns | ||||||
| IS46LQ32640AL-062TBLA1 | - | | 5977 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ32640AL-062TBLA1 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 64m x 32 | Lvstl | 18n | |||||
| IS46QR16512A-083TBLA1-TR | 18.9924 | | 5318 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46QR16512A-083TBLA1-TR | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||
 | IS42S16160J-6BI-TR | 2.9790 | | 5683 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS62WV10248HBLL-45B2LI | 4.1520 | | 1967 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI | 480 | Volatil | 8mbitons | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Parallèle | 45ns | ||||||
 | IS42S32800J-6TL | 6.9700 | | 661 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS46TR85120AL-107MBLA2 | - | | 5051 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS46TR85120 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (9x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR85120AL-107MBLA2 | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | |
| IS43LR32640A-5BI-TR | 12.8850 | | 1124 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-LFBGA | IS43LR32640 | Sdram - ddr | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-WBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 500 | 200 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| IS45S16800F-6BLA1-T-T-TR | 4.8260 | | 3191 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS45S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS64VF12832A-7.5TQLA3-TR | 10.8177 | | 5483 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS64VF12832 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Volatil | 4mbbitons | 7,5 ns | Sram | 128k x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS43DR16128B-25EBLI | - | | 5190 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16128 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TW-BGA (10.5x13.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 162 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS25LP256E-RHLE | 3.8455 | | 4734 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP256E-RHLE | 480 | 166 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms |
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