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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Sic programmable | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS62WV12816EBLL-45TLI | 1.8062 | ![]() | 9164 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS62WV12816 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatil | 2mbitons | 45 ns | Sram | 128k x 16 | Parallèle | 45ns | |||||
![]() | IS61C1024-15JI | - | ![]() | 3524 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur) | IS61C1024 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Q3397131 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 1mbit | 15 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS43LR32320B-5BI-TR | - | ![]() | 5682 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-LFBGA | IS43LR32320 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-LFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 500 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS25LP256D-JMLE | - | ![]() | 2458 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | IS25LP256 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | ||||
![]() | IS25LP032D-JMLE-TY | 1.0982 | ![]() | 7628 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LP032D-JMLE-TY | 176 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | 7 ns | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
![]() | IS42S32160B-75TL | - | ![]() | 3510 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 5,5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | IS71LD32160WP128-25BPLI | - | ![]() | 2817 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | IS71LD32160 | Flash - ni, dram - lpddr2 | 1,2 V, 1,8 V | 168-BGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 706-1458 | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 133 MHz | Non volatile, volatile | 128mbit (flash), 512mbit (dram) | Flash, Bélier | - | Parallèle | - | |||
![]() | IS42S16400F-7BL | - | ![]() | 9308 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42S16400 | Sdram | Non Vérifié | 3V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS41C16105C-50TI-TR | - | ![]() | 5579 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 44 pistes | IS41C16105 | Dram - FP | 4,5 V ~ 5,5 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | 84ns | ||||
![]() | IS41LV16105B-60KL | - | ![]() | 6010 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS41LV16105 | Dram - FP | 3V ~ 3,6 V | 42-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 16 | Volatil | 16mbitons | 30 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||||
![]() | IS42RM32400G-6BI-TR | - | ![]() | 6986 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42RM32400 | Sdram - mobile | 2,3V ~ 2,7 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5,5 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | IS45S16400J-7BLA2 | 4.9590 | ![]() | 9751 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | |||
IS64WV6416BLL-15TA3 | - | ![]() | 7701 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS64WV6416 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 135 | Volatil | 1mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 15NS | |||||
IS25CD512-JDLE-T-T-TR | - | ![]() | 5295 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | IS25CD512 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 500 | 100 MHz | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | Pimenter | 5 ms | |||||
IS62WV5128DBLL-45T2LI-TR | - | ![]() | 7503 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS62WV5128 | Sram - asynchrone | 2,3V ~ 3,6 V | 32-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 4mbbitons | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 45ns | |||||
![]() | IS43LD32320A-3BLI | - | ![]() | 7166 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 134-TFBGA | IS43LD32320 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 171 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS42S32400D-7BI | - | ![]() | 8692 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | |||
IS43DR16160B-37CBL | 3.9400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16160 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1273 | EAR99 | 8542.32.0024 | 209 | 266 MHz | Volatil | 256mbitons | 500 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS42S32160C-75BLI | - | ![]() | 9015 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-LFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-WBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 6 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | IS61NLP102418B-200B3L-TR | 13.8630 | ![]() | 6459 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61NLP102418 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | IS43R16320D-5TLI-TR | 7.8600 | ![]() | 8458 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 500 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS22TF16G-JCLA1 | 26.7671 | ![]() | 9178 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS22TF16G-JCLA1 | 152 | 200 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||
![]() | IS25LP512M-RHLA3-TR | 7.3017 | ![]() | 3480 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP512M-RHLA3-TR | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | 7 ns | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||||
![]() | IS46LQ32128A-062TBLA2 | - | ![]() | 4435 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ32128A-062TBLA2 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Lvstl | 18n | ||||||
![]() | IS46LQ32128AL-062BLA2 | - | ![]() | 2605 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ32128AL-062BLA2 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Lvstl | 18n | ||||||
![]() | Is29gl128-70dleb | 6.8500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | IS29GL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LFBGA (9x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS29GL128-70DEBB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 8 | Parallèle | 200 µs | |||
![]() | IS46TR81280CL-125JBLA2-TR | - | ![]() | 6862 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS46TR81280 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR81280CL-125JBLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS25LQ040B-JVLE | - | ![]() | 9055 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS25LQ040 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-VVSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LQ040B-JVLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 8 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o | 800 µs | ||
![]() | IS43TR81024BL-125KBLI-TR | 20.9076 | ![]() | 9874 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR81024BL-125KBLI-TR | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | ||||||
![]() | IS61NLP51236-250TQLI | - | ![]() | 3504 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NLP51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 250 MHz | Volatil | 18mbitons | 2.6 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - |
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