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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS62WV12816BLL-45TLI-TR	2.9945	RFQ	7008	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV12816	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	2mbitons	55 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	55ns
IS61QDPB42M36A2-500M3L	111.7063	RFQ	8973	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDPB42	Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	500 MHz	Volatil	72mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS46TR16512BL-107MBLA1	24.1329	RFQ	9217	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46TR16512BL-107MBLA1			136	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
IS43QR8K02S2A-083TBLI	44.4450	RFQ	7842	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	*	Plateau	Actif								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43QR8K02S2A-083TBLI			136
IS46TR85120AL-125KBLA1-T-T-TR	-	RFQ	6752	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS46TR85120	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (9x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR85120AL-125KBLA1-TR	EAR99	8542.32.0036	2 000	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS46TR16K01S2AL-125KBLA1-TR	33.1569	RFQ	7883	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-LFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-LWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA1-TR			2 000	800 MHz	Volatil	16 Gbit	20 ns	Drachme	1g x 16	Parallèle	15NS
IS61WV20488FBLL-8BLI	9.7363	RFQ	1191	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS61WV20488FBLL-8BLI			480		Volatil	16mbitons	8 ns	Sram	2m x 8	Parallèle	8ns
IS46QR16512A-075VBLA2-TR	21.5460	RFQ	8851	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46QR16512A-075VBLA2-TR			2 000	1 333 GHz	Volatil	8 Gbit	18 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
IS25LQ032B-JBLE	-	RFQ	3137	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25LQ032	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1335	3A991B1A	8542.32.0071	90	104 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS61WV204816BLL-10BI-TR	19.5750	RFQ	4050	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61WV204816	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	32mbitons	10 ns	Sram	2m x 16	Parallèle	10ns
IS43DR86400E-3DBL-TR	2.4369	RFQ	4670	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43DR86400E-3DBL-TR			2 000	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	64m x 8	Sstl_18	15NS
IS49NLS93200A-25WBLI	30.5534	RFQ	8935	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLS93200	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49NLS93200A-25WBLI			104	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	32m x 9	Hstl	-
IS43TR16256AL-125KBL-TR	-	RFQ	2264	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16256	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS25LP256E-RHLA3-TR	3.9059	RFQ	2021	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Ni (SLC)	2,3V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LP256E-RHLA3-TR			2 500	166 MHz	Non volatile	256mbitons	6.5 ns	Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 1 ms
IS62WV10248HBLL-45TLI-TR	3.8443	RFQ	1023	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	44-TSOP II	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS62WV10248HBLL-45TLI-TR			1 000		Volatil	8mbitons	45 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	45ns
IS42S83200D-7TL	-	RFQ	7290	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S83200	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS49RL36160-107BL	-	RFQ	6300	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	168 LBGA	IS49RL36160	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	119	933 MHz	Volatil	576mbit	10 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
IS29GL256-70FLEB	8.1900	RFQ	3351	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	IS29GL256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-LFBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS29GL256-70FLEB	3A991B1A	8542.32.0071	144		Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	32m x 8	Parallèle	200 µs
IS61NVP51236-200B3	-	RFQ	2690	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NVP51236	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS64LF25636B-7.5B3LA3-TR	17.6890	RFQ	8400	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA		SRAM - Standard	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS64LF25636B-7.5B3LA3-TR			2 000	117 MHz	Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS25LP256D-JLLA3	4.0905	RFQ	6719	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	2,3V ~ 3,6 V	8-WSON (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LP256D-JLLA3			480	166 MHz	Non volatile	256mbitons	6.5 ns	Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS61WV5128EDBLL-10BLI	4.2400	RFQ	945	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS61WV5128	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	10ns
IS43R86400D-5B	-	RFQ	3320	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R86400	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43R86400D-5B	OBSOLÈTE		190	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS46TR82560DL-125KBLA2-TR	-	RFQ	3202	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS46TR82560	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR82560DL-125KBLA2-TR	EAR99	8542.32.0036	2 000	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS46R16320D-6BLA2	11.7704	RFQ	4394	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS46R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	190	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS46LQ32128A-062TBLA1	-	RFQ	7655	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-VFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46LQ32128A-062TBLA1			136	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 32	Lvstl	18n
IS25WX064-JHLE-TR	2.0087	RFQ	8477	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS25WX064	Éclair	1,7 V ~ 2V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25WX064-JHLE-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2 500	200 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - e / s octal	-
IS63LV1024L-10TLI	-	RFQ	5513	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS63LV1024	Sram - asynchrone	3,15 V ~ 3 45 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	117		Volatil	1mbit	10 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	10ns
IS46DR16640C-25DBLA2-TR	6.2250	RFQ	2036	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS46DR16640	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 500	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS62WV10248EBLL-45TLI	6.1500	RFQ	427	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV10248	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	8mbitons	45 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	45ns

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²