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Circuits Integrés (CI) (5782)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS43LD32640B-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BPLI -
RFQ
 ECAD 2418 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Acheter la Dernière -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 168-VFBGA IS43LD32640 SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 1,14 V ~ 1,95 V 168-VFBGA (12x12) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 168 400 MHz Volatil 2 gbit Drachme 64m x 32 Parallèle 15NS
IS42S32160B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-6TLI -
RFQ
 ECAD 4664 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS42S32160 Sdram 3V ~ 3,6 V 86-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 108 166 MHz Volatil 512mbitons 5.4 ns Drachme 16m x 32 Parallèle -
IS43R86400F-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5BL-TR 5.2800
RFQ
 ECAD 9959 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43R86400 Sdram - ddr 2,3V ~ 2,7 V 60-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 200 MHz Volatil 512mbitons 700 PS Drachme 64m x 8 Parallèle 15NS
IS61C1024AL-12HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-2HLI-TR 1.8198
RFQ
 ECAD 5441 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) IS61C1024 Sram - asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 32-stsop I télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2B 8542.32.0041 2 000 Volatil 1mbit 12 ns Sram 128k x 8 Parallèle 12ns
IS49NLC18320A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320A-25WBL 52.8000
RFQ
 ECAD 7184 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 144-TFBGA IS49NLC18320 Rldram 2 1,7 V ~ 1,9 V 144-TWBGA (11x18,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 104 400 MHz Volatil 576mbit 20 ns Drachme 32m x 18 Parallèle -
IS49NLC36800A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-18WBL 30.4983
RFQ
 ECAD 8388 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - En gros Actif 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 144-TFBGA Rldram 2 1,7 V ~ 1,9 V 144-TWBGA (11x18,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS49NLC36800A-18WBL 104 533 MHz Volatil 288mbitons 15 ns Drachme 8m x 36 Hstl -
IS62WV102416GALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416GALL-55TLI-TR 8.7750
RFQ
 ECAD 2636 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) IS62WV102416 Sram - asynchrone 1,65 V ~ 2,2 V 48-tsop i télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 500 Volatil 16mbitons 55 ns Sram 1m x 16 Parallèle 55ns
IS46TR16640B-15GBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-15GBLA1 -
RFQ
 ECAD 7983 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS46TR16640 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 190 667 MHz Volatil 1 gbit 20 ns Drachme 64m x 16 Parallèle 15NS
IS45S32200L-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-7TLA1 4.4413
RFQ
 ECAD 8148 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS45S32200 Sdram 3V ~ 3,6 V 86-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 108 143 MHz Volatil 64mbitons 5.4 ns Drachme 2m x 32 Parallèle -
IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR -
RFQ
 ECAD 3350 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS62WV6416 Sram - asynchrone 2,3V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 2 500 Volatil 1mbit 45 ns Sram 64k x 16 Parallèle 45ns
IS61NLF51236-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-7.5B3i-TR -
RFQ
 ECAD 9297 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 165-TBGA IS61NLF51236 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 165-TFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 2 000 117 MHz Volatil 18mbitons 7,5 ns Sram 512k x 36 Parallèle -
IS25LP080D-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 5126 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) IS25LP080 Flash - ni 2,3V ~ 3,6 V 8-VVSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 3 500 133 MHz Non volatile 8mbitons Éclair 1m x 8 Spi - quad e / o, qpi, dtr 800 µs
IS66WVE4M16TBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16TBL-70BLI 4.4342
RFQ
 ECAD 5755 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS66WVE4M16 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 480 Volatil 64mbitons 70 ns Psram 4m x 16 Parallèle 70ns
IS43LD32128A-25BPL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-25BPL -
RFQ
 ECAD 6536 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43LD32128A-25BPL OBSOLÈTE 1 400 MHz Volatil 4 Gbit 5,5 ns Drachme 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS49NLC93200-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25BI -
RFQ
 ECAD 7659 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 144-TFBGA IS49NLC93200 Rldram 2 1,7 V ~ 1,9 V 144-FCBGA (11x18,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 104 400 MHz Volatil 288mbitons 20 ns Drachme 32m x 9 Parallèle -
IS42S32160A-75B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75B -
RFQ
 ECAD 3709 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 90-LFBGA IS42S32160 Sdram 3V ~ 3,6 V 90-LFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 144 133 MHz Volatil 512mbitons 6 ns Drachme 16m x 32 Parallèle -
IS64LF204818B-7.5TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF204818B-7.5TQLA3 132.3258
RFQ
 ECAD 8137 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS64LF204818 Sram - asynchrone 3.135V ~ 3 465V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz Volatil 36mbitons 7,5 ns Sram 2m x 18 Parallèle -
IS42VM16400M-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16400M-6BI-TR 2.9135
RFQ
 ECAD 5449 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS42VM16400 Sdram - mobile 1,7 V ~ 1,95 V 54-TFBGA (8x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0002 2 500 166 MHz Volatil 64mbitons 5,5 ns Drachme 4m x 16 Parallèle -
IS62WV2568BLL-55HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-55HLI-TR 1.8198
RFQ
 ECAD 8394 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) IS62WV2568 Sram - asynchrone 2,5 V ~ 3,6 V 32-stsop I télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 2 000 Volatil 2mbitons 55 ns Sram 256k x 8 Parallèle 55ns
IS61LF25618EC-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25618EC-7.5TQLI 7.5262
RFQ
 ECAD 5227 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61LF25618 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz Volatil 4,5 Mbit 7,5 ns Sram 256k x 18 Parallèle -
IS41LV16100C-50TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50TI-TR -
RFQ
 ECAD 1194 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 44 pistes IS41LV16100 DRAM - EDO 2 97V ~ 3,63 V 50-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 1 000 Volatil 16mbitons 25 ns Drachme 1m x 16 Parallèle 85ns
IS42S32400B-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7T -
RFQ
 ECAD 9247 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS42S32400 Sdram 3V ~ 3,6 V 86-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 108 143 MHz Volatil 128mbitons 5.4 ns Drachme 4m x 32 Parallèle -
IS61LV12816L-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10TLI-TR -
RFQ
 ECAD 9784 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS61LV12816 Sram - asynchrone 3.135V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 000 Volatil 2mbitons 10 ns Sram 128k x 16 Parallèle 10ns
IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16BLL-70BI-TR -
RFQ
 ECAD 1308 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS66WVE4M16 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 2 500 Volatil 64mbitons 70 ns Psram 4m x 16 Parallèle 70ns
IS45S16320D-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7TLA1 18.7367
RFQ
 ECAD 8818 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) IS45S16320 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 108 143 MHz Volatil 512mbitons 5.4 ns Drachme 32m x 16 Parallèle -
IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR -
RFQ
 ECAD 3316 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS65WV25616 Sram - asynchrone 2,3V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 Volatil 4mbbitons 45 ns Sram 256k x 16 Parallèle 45ns
IS25WD020-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JKLE -
RFQ
 ECAD 2234 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-WDFN IS25WD020 Flash - ni 1,65 V ~ 1,95 V 8-wson (6x5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 100 80 MHz Non volatile 2mbitons Éclair 256k x 8 Pimenter 3 ms
IS46LQ16256A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA1-T-T-TR 12.8611
RFQ
 ECAD 9186 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 200-TFBGA SDRAM - MOBILE LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V 200-TFBGA (10x14,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS46LQ16256A-062TBLA1-TR 2 500 1,6 GHz Volatil 4 Gbit Drachme 256m x 16 Lvstl -
IS25WP016D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JBLE 1.0900
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 ECAD 4 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) IS25WP016 Flash - ni 1,65 V ~ 1,95 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 90 133 MHz Non volatile 16mbitons Éclair 2m x 8 Spi - quad e / o, qpi, dtr 800 µs
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16BLL-55BI-TR -
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 ECAD 1365 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS66WVE1M16 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 2 500 Volatil 16mbitons 55 ns Psram 1m x 16 Parallèle 55ns
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