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Circuits Integrés (CI) (5782)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43DR86400E-3DBL-TR | 2.4369 |  | 4670 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43DR86400E-3DBL-TR | 2 000 | 333 MHz | Volatil | 512mbitons | 450 PS | Drachme | 64m x 8 | Sstl_18 | 15NS | |||||
| IS64LF25636B-7.5B3LA3-TR | 17.6890 | | 8400 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS64LF25636B-7.5B3LA3-TR | 2 000 | 117 MHz | Volatil | 9mbitons | 7,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | |||||
 | IS29GL256-70FLEB | 8.1900 | | 3351 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | IS29GL256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LFBGA (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS29GL256-70FLEB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 32m x 8 | Parallèle | 200 µs | ||
| IS25LP256D-JLLA3 | 4.0905 | | 6719 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP256D-JLLA3 | 480 | 166 MHz | Non volatile | 256mbitons | 6.5 ns | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
 | IS46LD32128A-25BPLA1-T-T-TR | - | | 7951 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46LD32128A-25BPLA1-TR | OBSOLÈTE | 1 | 400 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS | ||
| IS43QR16512A-083TBL-TR | 15.7073 | | 3831 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR16512A-083TBL-TR | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||
 | IS62WV25616BLL-55BI | - | | 2573 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS62WV25616 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
| IS46TR81024BL-107MBLA1-T-T-TR | 25.3232 | | 9579 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR81024BL-107MBLA1-TR | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | |||||
| IS46LD32128B-18BPLA1-T-T-TR | - | | 8631 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46LD32128B-18BPLA1-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS | |
 | IS49NLC36160-33B | - | | 9013 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC36160 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | ||
| IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR | 7.0800 | | 7985 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS64WV12816 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 2mbitons | 12 ns | Sram | 128k x 16 | Parallèle | 12ns | |||
 | IS43DR16320D-25DBI-TR | 5.5050 | | 6973 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS42S16100H-6BI-TR | 1.4795 | | 7906 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 16mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS25WX256-JHLA3 | 4.6211 | | 1739 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS25WX256 | Éclair | 1,7 V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25WX256-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - e / s octal | - | ||
 | IS61DDB22M18C-250B4LI | - | | 8582 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61DDB22 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volatil | 36mbitons | 8.4 ns | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | ||
 | IS42VM16320E-6BI-TR | 8.4450 | | 2880 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42VM16320 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5,5 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS46LD32128C-18BPLA1 | - | | 5984 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS46LD32128 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46LD32128C-18BPLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS | |
| IS43LR32640B-6BLI | 9.7484 | | 6941 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR32640B-6BLI | 240 | 166 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | |||||
| IS46TR16512BL-107MBLA1 | 24.1329 | | 9217 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16512BL-107MBLA1 | 136 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||
 | IS46TR85120AL-125KBLA1-T-T-TR | - | | 6752 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS46TR85120 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (9x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR85120AL-125KBLA1-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | |
| IS61WV20488FBLL-8BLI | 9.7363 | | 1191 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV20488FBLL-8BLI | 480 | Volatil | 16mbitons | 8 ns | Sram | 2m x 8 | Parallèle | 8ns | ||||||
| IS46LQ32640A-062TBLA1-TR | - | | 3094 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ32640A-062TBLA1-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | Drachme | 64m x 32 | Lvstl | - | ||||||
 | IS25LX064-JHLE | 2.6900 | | 1792 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS25LX064 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LX064-JHLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - e / s octal | - | ||
| IS25WP128F-RHLA3-TR | 2.6208 | | 3988 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WP128F-RHLA3-TR | 2 500 | 166 MHz | Non volatile | 128mbitons | 5,5 ns | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
| IS49NLS18320A-18WBLI | 57.2059 | | 2070 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLS18320A-18WBLI | 104 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Hstl | - | ||||
| IS25LP080D-JNLA3-TR | 0,7291 | | 8937 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP080D-JNLA3-TR | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 8mbitons | 7 ns | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
| IS25LP064D-JLLE-TR | 1.2855 | | 8073 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP064D-JLLE-TR | 4 000 | 166 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||||
| IS61WV102416DALL-12BLI | 10.9618 | | 9943 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV102416DALL-12BLI | 480 | Volatil | 16mbitons | 12 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 12ns | ||||||
| IS43LD16256C-18BPI-TR | - | | 1979 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS43LD16256 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43LD16256C-18BPI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 256m x 16 | HSUL_12 | 15NS | |
 | IS61LF102418A-7.5TQ-TR | - | | 7469 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LF102418 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - |
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