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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS43TR85120A-093NBL	-	RFQ	9511	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR85120	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (9x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR85120A-093NBL	EAR99	8542.32.0036	220	1 066 GHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS25WQ040-JKLE	-	RFQ	2951	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25WQ040	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	570	104 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Pimenter	1 ms
IS42S32400B-7TLI	-	RFQ	7064	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS43R83200D-6TL-TR	4.7033	RFQ	6228	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R83200	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
IS42SM16320E-6BI-TR	10.5750	RFQ	6946	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42SM16320	Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS43DR82560C-3DBLI	12.3771	RFQ	7755	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR82560	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1573	EAR99	8542.32.0036	242	333 MHz	Volatil	2 gbit	450 PS	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS25WP256D-RHLE	5.2100	RFQ	3	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS25WP256	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS43TR85120AL-107MBI-TR	-	RFQ	9608	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR85120	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (9x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR85120AL-107MBI-TR	EAR99	8542.32.0036	1 500	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS41LV16100B-60TLI-TR	-	RFQ	4460	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS41LV16100	DRAM - EDO	3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000		Volatil	16mbitons	30 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR	17.9550	RFQ	3069	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR			1 500		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
IS43LR16160G-6BI-TR	5.4750	RFQ	7796	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43LR16160	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-TFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 000	166 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS41LV16100B-60KLI	-	RFQ	2653	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS41LV16100	DRAM - EDO	3V ~ 3,6 V	42-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	16		Volatil	16mbitons	30 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS42SM16400K-75BI-TR	-	RFQ	8581	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42SM16400	Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	133 MHz	Volatil	64mbitons	6 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS43R86400F-6BLI	6.3460	RFQ	1874	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R86400	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	190	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS43TR85120AL-15HBL-TR	-	RFQ	3153	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR85120	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	667 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS61NLP102436A-166TQLI	-	RFQ	9109	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLP102436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	Volatil	36mbitons	3,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS45S16320F-7CTLA1-T-T-TR	12.6600	RFQ	8231	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS43TR81024B-107MBL	21.5163	RFQ	4465	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR81024B-107MBL			136	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	1g x 8	Parallèle	15NS
IS42VM32160D-6BLI	-	RFQ	7358	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42VM32160	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS49NLC36800-33WBLI	-	RFQ	9373	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC36800	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	104	300 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	8m x 36	Parallèle	-
IS42VM32160E-75BLI	9.1192	RFQ	1440	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42VM32160	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS61NLP102436A-166TQLI-TR	-	RFQ	6142	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLP102436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	166 MHz	Volatil	36mbitons	3,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS42RM16160E-75BI-TR	-	RFQ	9248	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42RM16160	Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	133 MHz	Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16160D-7TL-TR	-	RFQ	6712	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS62WV5128BLL-55BLI	4.1765	RFQ	2330	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS62WV5128	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS61NLF51236B-7.5TQLI-TR	-	RFQ	7656	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLF51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR	-	RFQ	4830	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	96-BGA		Sdram - ddr3l	-	96-BGA	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR			2 000	800 MHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Parallèle	-
IS42RM32800D-75BL-TR	-	RFQ	5905	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42RM32800	Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS62C256-70U	-	RFQ	9184	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	28-SOP	IS62C256	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	28-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	25		Volatil	256kbit	70 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	70ns
IS42S32160B-75BI-TR	-	RFQ	4165	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-LFBGA (13x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	133 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²