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Circuits Integrés (CI) (5782)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Caractéristique | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Max Sortie Power x Canaux @ Charge | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS62C256-70U | - |  | 9184 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 28-SOP | IS62C256 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Volatil | 256kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 70ns | |||||||
 | IS42S32160B-75BI-TR | - | | 4165 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-LFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-LFBGA (13x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 5,5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||||||
 | IS42S16320F-7TL-TR | 10.1250 | | 5107 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||||||
 | IS25WP128F-JKLE-TR | 1.9251 | | 6852 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25WP128 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-wson (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 500 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | |||||||
 | IS61C5128AL-10TLI-TR | 3.3088 | | 8114 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61C5128 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 10ns | |||||||
 | IS46DR16640B-3DBLA2 | 10.6309 | | 7583 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS46DR16640 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||||
 | IS61LV5128AL-10K-TR | - | | 1301 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 36-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS61LV5128 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 36-SOJ | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 10ns | |||||||
 | IS64LPS25636A-166TQLA3 | 24.0718 | | 6359 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS64LPS25636 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | Volatil | 9mbitons | 3,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | ||||||
 | IS45S32400B-7BLA1-T-T-TR | - | | 6186 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||||||
 | IS32AP2123-ZLA3 | - | | 3082 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | Téléphone 16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm) | CLASSE D | - | 1 canal (mono) | 4,5 V ~ 24V | 16-pavé | télécharger | 3 (168 Heures) | 706-IS32AP2123-ZLA3 | 96 | 24W x 1 @ 4OHM | |||||||||||||||
 | IS46R16320D-6BLA2-TR | 11.2500 | | 7530 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS46R16320 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||||
 | IS62WV20488BLL-25MLI-TR | 18.5250 | | 8252 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS62WV20488 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-Minibga (9x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Sram | 2m x 8 | Parallèle | 25ns | |||||||
| IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR | 11.9035 | | 8248 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR | 2 500 | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||||||||
| IS42S16160D-7TLI-TR | - | | 3533 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||||||
| IS43DR16160A-37CBI-TR | - | | 2203 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16160 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 266 MHz | Volatil | 256mbitons | 500 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||||
| IS42S16320D-7TL | 14.4000 | | 725 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1268 | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | |||||
 | IS71LD32160WP128-3BPLI | - | | 4013 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | IS71LD32160 | Flash - ni, dram - lpddr2 | 1,2 V, 1,8 V | 168-BGA | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Q9572210 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 10 | 133 MHz | Non volatile, volatile | 128mbit (flash), 512mbit (dram) | Flash, Bélier | - | Parallèle | - | ||||||
 | IS61LPS51236A-200B3I | - | | 2184 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61LPS51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||||||
| IS43LR32100C-6BL | - | | 5993 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS43LR32100 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Volatil | 32mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 32 | Parallèle | 12ns | ||||||
 | IS42S16160D-7BL | - | | 1984 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||||||
 | IS61NLP25672-200B1-T-T-TR | - | | 4003 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 209-BGA | IS61NLP25672 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 209-LFBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 256k x 72 | Parallèle | - | ||||||
 | IS49RL36160-107BLI | - | | 3155 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168 LBGA | IS49RL36160 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | Volatil | 576mbit | 10 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | ||||||
| IS61LV6416-8TL-TR | - | | 7742 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61LV6416 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 1mbit | 8 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 8ns | |||||||
| IS42VM32400G-75BLI | - | | 9085 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42VM32400 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||||||
 | IS61VPD51236A-200B3 | - | | 8309 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61VPD51236 | Sram - Port Quad, synchrone | 2 375V ~ 2 625V | 165-PBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||||||
| IS61LV51216-10TLI | - | | 5947 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61LV51216 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 10ns | |||||||
| IS45S32400B-6BLA1 | - | | 8550 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 144 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||||||
 | IS43LD16640A-25BI-TR | - | | 1433 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 134-TFBGA | IS43LD16640 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 200 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||||
 | IS61WV25616BLL-10KLI | 4.2601 | | 8150 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61WV25616 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 10ns | |||||||
 | IS25LP040E-JYLE-TR | 0 4500 | | 1 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | IS25LP040 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LP040E-JYLE-TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 5 000 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 8 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 1,2 ms |
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