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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Applications	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Fréquence d'Horloge	Nombre de Trities	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Commutateur Interne (s)	Topologie	Tension - alimentation (max)	Atténuation	Tension - alimentation (min)	Tension - Sortie
IS46DR16128A-3DBLA2	-	RFQ	9968	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	84-LFBGA		IS46DR16128		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-LFBGA (10,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	162		333 MHz		Volatil	2 gbit	450 PS	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS61VF102418A-7.5B3I-TR	-	RFQ	4854	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	165-TBGA		IS61VF102418		Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		117 MHz		Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR	2.6470	RFQ	4546	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS62WV5128		Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000				Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	45ns
IS61WV204816AL-10BI-TR	-	RFQ	4765	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	48-TFBGA		IS61WV204816		Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500				Volatil	32mbitons	10 ns	Sram	2m x 16	Parallèle	10ns
IS31LT3172-GRLS2-T-T-TR	-	RFQ	7700	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Éclairage	Support de surface	8-SIAC (0,154 ", 3,90 mm de grand) Exposé de tampon	Linéaire	IS31LT3172	-			8-SOP-EP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	2 500	200m		1								Oui	-	42v	PWM	5V	42v
IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR	11.4000	RFQ	2959	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	100 LQFP		IS61NLF25636		Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800		117 MHz		Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS43DR16160A-5BBLI	-	RFQ	9872	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	84-TFBGA		IS43DR16160		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	209		200 MHz		Volatil	256mbitons	600 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS42SM32100D-6BI-TR	2.1838	RFQ	6510	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42SM32100		Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500		166 MHz		Volatil	32mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 32	Parallèle	-
IS43TR16256A-107MBLI	-	RFQ	4889	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS43TR16256		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190		933 MHz		Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS46TR16512A-15HBLA1	-	RFQ	3763	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-LFBGA		IS46TR16512		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-LFBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR16512A-15HBLA1	EAR99	8542.32.0036	136		667 MHz		Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
IS42S32200L-7B-TR	-	RFQ	9416	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42S32200		Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500		143 MHz		Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS49NLS93200-25BL	-	RFQ	4450	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	144-TFBGA		IS49NLS93200		Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	104		400 MHz		Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	32m x 9	Parallèle	-
IS42S16160D-6BL	-	RFQ	4193	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42S16160		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240		166 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42RM32400G-75BI	-	RFQ	9126	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42RM32400		Sdram - mobile	2,3V ~ 2,7 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240		133 MHz		Volatil	128mbitons	6 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42S16320B-7BI-TR	-	RFQ	5106	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42S16320		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-WBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 000		143 MHz		Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS43DR16320D-3DBI	-	RFQ	9040	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	84-TFBGA		IS43DR16320		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	209		333 MHz		Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS62LV256AL-45TLI-TR	1.0839	RFQ	3822	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)		IS62LV256		Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	28-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	2 000				Volatil	256kbit	45 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	45ns
IS61LV12816L-8TL-TR	-	RFQ	5626	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS61LV12816		Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000				Volatil	2mbitons	8 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	8ns
IS42SM16160D-7BLI	-	RFQ	3737	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42SM16160		Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240		143 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS61DDPB44M18A-400M3L	100.1770	RFQ	3310	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	165 LBGA		IS61DDPB44		Sram - synchrone, ddr iip	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	105		400 MHz		Volatil	72mbitons		Sram	4m x 18	Parallèle	-
IS43TR16640ED-125KBLI	6.0222	RFQ	7625	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA				Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR16640ED-125KBLI			190		800 MHz		Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16400J-7BL-TR	1.6544	RFQ	9319	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42S16400		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500		143 MHz		Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS25WP064A-JMLE-TR	1.5149	RFQ	3766	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		IS25WP064		Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		133 MHz		Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS25LP256H-RMLE-TR	3.5165	RFQ	6157	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)				Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LP256H-RMLE-TR			1 000		166 MHz		Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 1 ms
IS45S16160G-6TLA1 -TR	5.6177	RFQ	5298	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS45S16160		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500		166 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS49RL18320-107BL	-	RFQ	1972	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	168 LBGA		IS49RL18320		Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	119		933 MHz		Volatil	576mbit	10 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
IS61NLP51236-250B3I	-	RFQ	3389	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	165-TBGA		IS61NLP51236		Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144		250 MHz		Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS43R16800E-5TL	2.4110	RFQ	1330	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS43R16800		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108		200 MHz		Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
IS25LD020-JNLE-TR	-	RFQ	9489	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		IS25LD020		Éclair	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000		100 MHz		Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Pimenter	5 ms
IS43R16160B-5TL-TR	-	RFQ	2398	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS43R16160		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500		200 MHz		Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²