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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS42S16100C1-7B	-	RFQ	1247	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	60-TFBGA (6.4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	286	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS42VM16320E-75BLI	8.1965	RFQ	4031	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16320	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	348	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS42RM32800E-6BLI	9.2729	RFQ	5441	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42RM32800	Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240	166 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42S16320F-6BL-TR	10.7700	RFQ	8496	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	167 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS45S16800F-7CTLA1	5.7164	RFQ	2349	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS21ES08G-JCI-TR	-	RFQ	3982	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA	IS21ES08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	200 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	EMMC	-
IS42S16400D-7TL-TR	-	RFQ	5396	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS66WV51216DBLL-70TLI-TR	-	RFQ	7023	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS66WV51216	Psram (pseudo sram)	2,5 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 000		Volatil	8mbitons	70 ns	Psram	512k x 16	Parallèle	70ns
IS61NVF25672-6.5B1-T-T-TR	-	RFQ	5218	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	209-BGA	IS61NVF25672	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	209-LFBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	256k x 72	Parallèle	-
IS42S32800D-7B-TR	-	RFQ	7936	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS61VPS51236B-250B3LI	17.0617	RFQ	8103	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61VPS51236	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS43R32400E-4B-TR	-	RFQ	7234	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-LFBGA	IS43R32400	Sdram - ddr	2,4 V ~ 2,6 V	144-LFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	250 MHz	Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	4m x 32	Parallèle	16NS
IS62C5128EL-45QLI	3.5516	RFQ	7679	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 445 ", 11,30 mm de grandeur)		Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-SOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS62C5128EL-45QLI			84		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	45ns
IS61WV1288EEBLL-10TLI	2.2900	RFQ	10	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61WV1288	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	117		Volatil	1mbit	10 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	10ns
IS61NVP51236-200TQLI	-	RFQ	7240	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NVP51236	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS42RM32800D-75BLI	-	RFQ	9542	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42RM32800	Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS62WV25616DBLL-45TLI-TR	-	RFQ	8694	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV25616	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	45ns
IS65LV256AL-45TLA3-TR	2.7498	RFQ	9124	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	IS65LV256	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	28-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	2 000		Volatil	256kbit	45 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	45ns
IS62WV12816EALL-55BLI	2.7843	RFQ	5817	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV12816	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	2mbitons	45 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	55ns
IS43LQ32640A-062BLI	-	RFQ	5086	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-VFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LQ32640A-062BLI			136	1,6 GHz	Volatil	2 gbit	3,5 ns	Drachme	64m x 32	Lvstl	18n
IS25WD020-JKLE-TR	-	RFQ	8264	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25WD020	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000	80 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Pimenter	3 ms
IS25WQ020-JVLE-TR	-	RFQ	7359	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25WQ020	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-VVSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 500	104 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Pimenter	1 ms
IS45S16800E-7BLA2-TR	-	RFQ	8198	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS45S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS42S32800B-7TL	-	RFQ	3731	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	143 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS61NVP25672-200B1-T-T-TR	-	RFQ	5011	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	209-BGA	IS61NVP25672	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	209-LFBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	256k x 72	Parallèle	-
IS43DR16320E-3DBL-TR	2.2990	RFQ	1458	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43DR16320E-3DBL-TR			2 500	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	32m x 16	Sstl_18	15NS
IS43TR16640BL-125JBLI-TR	-	RFQ	8705	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16640	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 500	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS45S16800E-7BLA1	-	RFQ	2010	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS45S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS42S86400F-7TL	11.5000	RFQ	1564	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S86400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	64m x 8	Parallèle	-
IS62WV25616DBLL-45TI	-	RFQ	1700	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV25616	Sram - asynchrone	2,3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	45ns

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²