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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fonction	Tension - alimentation (VCC / VDD)	Fréquence d'Horloge	Nombre de Trities	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Topologie	FRÉQUENCE - Commutation	Caratérales de contôle	Configuration de la sortie	Phases de la sortie	Cycle de Service (Max)	Réparation de synchrone	Synchronisation d'Horloge	Interfaces Séririe
IS43DR86400E-3DBL	2.7669	RFQ	6233	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR86400	Sdram - ddr2		1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1559	EAR99	8542.32.0028	242			333 MHz		Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS43R16160B-5TLI-TR	-	RFQ	4848	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R16160	Sdram - ddr		2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500			200 MHz		Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS46DR16640B-25DBLA1-T-T-TR	8.3100	RFQ	4733	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS46DR16640	Sdram - ddr2		1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 500			400 MHz		Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS61C3216AL-12TLI	1.9868	RFQ	8133	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61C3216	Sram - asynchrone		4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	135					Volatil	512kbit	12 ns	Sram	32k x 16	Parallèle	12ns
IS66WVE1M16BLL-70BLI	-	RFQ	9107	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS66WVE1M16	Psram (pseudo sram)		2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480					Volatil	16mbitons	70 ns	Psram	1m x 16	Parallèle	70ns
IS62WV12816BLL-55B2LI-TR	2.2334	RFQ	3816	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV12816	Sram - asynchrone		2,5 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500					Volatil	2mbitons	55 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	55ns
IS64C6416AL-15TLA3	3.8833	RFQ	4623	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS64C6416	Sram - asynchrone		4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	135					Volatil	1mbit	15 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	15NS
IS42S16160G-5BL	7.0499	RFQ	7178	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram		3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	348			200 MHz		Volatil	256mbitons	5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS25LQ016B-JMLE-TR	-	RFQ	1884	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	IS25LQ016	Flash - ni		2,3V ~ 3,6 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000			104 MHz		Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS61LV12816L-10BI-TR	-	RFQ	8122	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61LV12816	Sram - asynchrone		3.135V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500					Volatil	2mbitons	10 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	10ns
IS31PM3510-ZLS4-TR	-	RFQ	1014	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Téléphone 16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm)			Conducteur de transistor		16-pavé	-		3 (168 Heures)			EAR99	8542.39.0001	2 500	Step-up, Arête, pas-Up / DÉPASSATION	4,5 V ~ 55 V		1								Buck, boost, buck-boost	150 kHz ~ 650 kHz	Contrôle du Temps Mort, acteur, Contrôle de Fréquence, alimentation Bonne, Démarrage Doux	Positif	1	95,5%	Non	Oui	-
IS42VM16320E-6BLI	8.6117	RFQ	6990	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16320	Sdram - mobile		1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	348			166 MHz		Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS29GL256-70FLET-TR	5.0853	RFQ	7391	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA		Flash - Ni (SLC)		3V ~ 3,6 V	64-LFBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS29GL256-70FLET-TR			2 000					Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	32m x 8	CFI	70ns, 200µs
IS43TR16640B-107MBLI	-	RFQ	6521	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16640	Sdram - ddr3		1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	190			933 MHz		Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS65WV1288FBLL-45TLA3-TR	-	RFQ	7396	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS65WV1288	Sram - asynchrone		2.2V ~ 3,6 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	1 500					Volatil	1mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS43LD32128C-18BPL	-	RFQ	5109	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif									télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43LD32128C-18BPL	EAR99	8542.32.0036	1
IS61NLP102418B-200B3L	15.7469	RFQ	1601	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP102418	Sram - synchrone, d.		3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144			200 MHz		Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61NLP51236-250B3I	-	RFQ	3389	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP51236	Sram - synchrone, d.		3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144			250 MHz		Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS49NLC36160A-25WBLI	51.8860	RFQ	8628	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA		Rldram 2		1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49NLC36160A-25WBLI			104			400 MHz		Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	16m x 36	Hstl	-
IS42S32800J-7TLI-TR	5.6329	RFQ	8740	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32800	Sdram		3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500			143 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS46QR16256B-083RBLA2-TR	9.3765	RFQ	3236	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr4		1,14 V ~ 1,26 V	96-TWBGA (7.5x13.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46QR16256B-083RBLA2-TR			2 500			1,2 GHz		Volatil	4 Gbit	19 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
IS43DR81280C-3DBLI-TR	5.1914	RFQ	3636	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR81280	Sdram - ddr2		1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 000			333 MHz		Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS25LQ010B-JBLE-T-T-TR	-	RFQ	2622	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25LQ010	Flash - ni		2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000			104 MHz		Non volatile	1mbit		Éclair	128k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS42VM32400G-6BI-TR	-	RFQ	9404	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42VM32400	Sdram - mobile		1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500			166 MHz		Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42S32200L-6B-TR	-	RFQ	5000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram		3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500			166 MHz		Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS43TR81280BL-125JBL	-	RFQ	1476	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR81280	Sdram - ddr3l		1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	242			800 MHz		Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS25WD020-JBLE-T-T-T-TR	-	RFQ	1968	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25WD020	Flash - ni		1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000			80 MHz		Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Pimenter	3 ms
IS49RL36320-093FBL	126.1029	RFQ	6844	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 LBGA		Rldram 3		1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49RL36320-093FBL			119			1 066 GHz		Volatil	1 152 gbit	7,5 ns	Drachme	32m x 36	Parallèle	-
IS62WV5128EALL-55HLI	-	RFQ	8144	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand)	IS62WV5128	Sram - asynchrone		1,65 V ~ 2,2 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1					Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS25WP01G-RILE-T-T-T-	10.6799	RFQ	5173	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 lbga		Flash - Ni (SLC)		1,7 V ~ 1,95 V	24-lfbga (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25WP01G-RILE-T-T-TR			2 500			104 MHz		Non volatile	1 gbit	10 ns	Éclair	128m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 1 ms

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²