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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS61LV256AL-10TLI-TR	1.0839	RFQ	6350	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	IS61LV256	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	28-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	2 000		Volatil	256kbit	10 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	10ns
IS43LD16128C-25BI-TR	-	RFQ	6441	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-TFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LD16128C-25BI-TR			2 000	400 MHz	Volatil	2 gbit	5,5 ns	Drachme	128m x 16	HSUL_12	15NS
IS43QR16256A-093PBLI-TR	-	RFQ	1601	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43QR16256	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	1 066 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS62WV12816BLL-55TLI	2.6700	RFQ	6	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV12816	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	2mbitons	55 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	55ns
IS45S16100C1-7TLA1	-	RFQ	2089	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS61VPS102418A-250TQL-TR	-	RFQ	4781	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61VPS102418	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS42S16320D-6BL-TR	12.7950	RFQ	4200	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS34ML04G081-TLI	11.7000	RFQ	8	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS34ML04	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1634	3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	4 Gbit	25 ns	Éclair	512m x 8	Parallèle	25ns
IS49NLC36800A-25WBLI	30.5534	RFQ	1005	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA		Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49NLC36800A-25WBLI			104	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	8m x 36	Hstl	-
IS61DDP2B44M18A-400M3L	100.1770	RFQ	2889	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61DDP2	Sram - synchrone, ddr iip	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	4m x 18	Parallèle	-
IS25WE01G-RILE	12.5055	RFQ	2855	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 lbga		Flash - Ni (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	24-lfbga (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25WE01G-RILE			480	104 MHz	Non volatile	1 gbit	10 ns	Éclair	128m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 2 ms
IS43LD32128C-18BPI-TR	11.5650	RFQ	7355	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43LD32128C-18BPI-TR	EAR99	8542.32.0036	1 500
IS25LQ040-JBLE	-	RFQ	3545	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25LQ040	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	90	104 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Spi - quad e / o	700 µs
IS25LQ016B-JNLE	-	RFQ	3764	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ016	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1334	EAR99	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS43QR16256A-083RBL-TR	-	RFQ	8417	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43QR16256	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS42RM32800K-6BLI	6.1873	RFQ	2789	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42RM32800	Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240	166 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS34ML04G081-TLI-TR	8.4321	RFQ	2517	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS34ML04	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	4 Gbit	25 ns	Éclair	512m x 8	Parallèle	25ns
IS61NLP12836EC-200B3LI-TR	7.7561	RFQ	1239	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP12836	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	200 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3.1 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
IS61NLP102418-250B3i-TR	-	RFQ	1486	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP102418	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS42S16100F-7TL	-	RFQ	5979	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS61VPD102418A-250B3I-TR	-	RFQ	3106	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61VPD102418	Sram - Port Quad, synchrone	2 375V ~ 2 625V	165-PBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS42SM16400M-6BI-TR	2.9953	RFQ	7010	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42SM16400	Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS42S16100H-7TLI-TR	1.5600	RFQ	6	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	1 000	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR	-	RFQ	2475	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	IS67WVC4M16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500	104 MHz	Volatil	64mbitons	70 ns	Psram	4m x 16	Parallèle	70ns
IS42VM16400M-6BLI	3.1609	RFQ	3340	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16400	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	348	166 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS42S16400D-6BI-TR	-	RFQ	7347	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	60 minibga (6,4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS25WP080D-JKLE	1.0300	RFQ	31	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25WP080	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	570	133 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS62WV5128DBLL-45BLI	-	RFQ	4147	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS62WV5128	Sram - asynchrone	2,3V ~ 3,6 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	45ns
IS42S16160G-6BI	-	RFQ	5020	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	348	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS25LQ025B-JNLE	-	RFQ	8020	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ025	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1328	EAR99	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	256kbit		Éclair	32k x 8	Spi - quad e / o	800 µs

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²