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Circuits Integrés (CI) (5782)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25LP128F-JBLA3 | 3.1700 |  | 9 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | IS25LP128 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LP128F-JBLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 166 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | ||
 | IS49NLC18320-25B | - | | 5005 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
 | IS42S16160B-7BL-TR | - | | 6247 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-LFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-LFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS25LD040-JVLE-TR | - | | 8308 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS25LD040 | Éclair | 2,3V ~ 3,6 V | 8-VVSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 500 | 100 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Pimenter | 5 ms | |||
 | IS42S16800F-5TLI-TR | 3.9209 | | 6687 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 200 MHz | Volatil | 128mbitons | 5 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS62WV5128BLL-55QLI-TR | 3.6397 | | 5988 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 445 ", 11,30 mm de grandeur) | IS62WV5128 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 32-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 55ns | |||
 | IS49RL18640-107EBL | 109.1224 | | 1959 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 LBGA | Rldram 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49RL18640-107EBL | 119 | 933 MHz | Volatil | 1 152 gbit | 8 ns | Drachme | 64m x 18 | Parallèle | - | ||||
 | IS42S32400E-7BLI | - | | 2186 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS43DR16640C-25DBI-TR | 5.0239 | | 9280 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16640 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 500 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS25LP512M-JLLE | 7.1138 | | 9871 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25LP512 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 1,6 ms | |||
| IS42S16320B-6TL | - | | 2870 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS49NLC18160-33WBLI | - | | 3805 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 16m x 18 | Parallèle | - | ||
 | IS43R86400E-6TLI-TR | - | | 2638 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R86400 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS41C16105C-50KLI-TR | - | | 9114 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS41C16105 | Dram - FP | 4,5 V ~ 5,5 V | 42-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | |||
 | IS43TR82560B-125KBL-TR | - | | 6165 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS43TR82560 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR82560B-125KBL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |
| IS42S32800D-6B-TR | - | | 7302 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS41LV16105B-60TL | - | | 7481 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS41LV16105 | Dram - FP | 3V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Volatil | 16mbitons | 30 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | |||
 | IS46TR16640BL-125JBLA1 | - | | 1957 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16640 | Sdram - ddr3 | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS42S32800D-6TL-TR | - | | 4557 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS61LV632A-6TQI-TR | - | | 9973 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LV632 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | Volatil | 1mbit | 6 ns | Sram | 32k x 32 | Parallèle | - | |||
| IS43TR16128DL-107MBI-TR | 4.8164 | | 2666 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16128 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR16128DL-107MBI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | |
| IS43DR16160A-25EBL | - | | 4593 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16160 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 209 | 400 MHz | Volatil | 256mbitons | 400 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS66WVH8M8ALL-166B1LI | 5.0400 | | 3 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS66WVH8M8 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1465 | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | Volatil | 64mbitons | 36 ns | Psram | 8m x 8 | Parallèle | 36ns | |
| IS64LPS204818B-166TQLA3 | 132.3258 | | 9494 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS64LPS204818 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | Volatil | 36mbitons | 3,8 ns | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | ||
| IS46LQ16128A-062BLA2 | - | | 9902 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ16128A-062BLA2 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Lvstl | 18n | |||||
| IS49NLS93200A-18WBL | 30.4983 | | 4570 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLS93200A-18WBL | 104 | 533 MHz | Volatil | 288mbitons | 15 ns | Drachme | 32m x 9 | Hstl | - | |||
 | IS42VM16800H-75BI-TR | 3.8060 | | 5461 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42VM16800 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS61NLF25636A-7.5TQLI-TR | 12.7500 | | 3910 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NLF25636 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Volatil | 9mbitons | 7,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | ||
| IS61NLF51236-7.5TQI | - | | 3044 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NLF51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR | - | | 2475 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | IS67WVC4M16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | 104 MHz | Volatil | 64mbitons | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallèle | 70ns |
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