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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS42S83200G-7TLI-TR	6.1201	RFQ	1355	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S83200	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS43TR16256B-093NBI-TR	-	RFQ	6944	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16256	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR16256B-093NBI-TR	EAR99	8542.32.0036	1 500	1 066 GHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS42SM32200K-75BI-TR	-	RFQ	5920	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42SM32200	Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	133 MHz	Volatil	64mbitons	6 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS42S16800E-75EBL-TR	-	RFQ	4921	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	133 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS62WV5128DALL-55TLI-TR	-	RFQ	3688	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV5128	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS62WV1288DBLL-45TLI-TR	-	RFQ	9364	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS62WV1288	Sram - asynchrone	2,3V ~ 3,6 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 500		Volatil	1mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS61LF6436A-8.5TQLI	5.9867	RFQ	7951	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF6436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	90 MHz	Volatil	2mbitons	8,5 ns	Sram	64k x 36	Parallèle	-
IS43TR81280BL-125KBLI	5.9578	RFQ	3111	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR81280	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	242	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS62WV10248EBLL-45BI-TR	4.5215	RFQ	3760	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	IS62WV10248	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	8mbitons	45 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	45ns
IS46TR16128B-125KBLA1-T-T-TR	-	RFQ	3135	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS49NLC96400A-18WBL	52.0065	RFQ	8723	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA		Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49NLC96400A-18WBL			104	533 MHz	Volatil	576mbit	15 ns	Drachme	64m x 9	Hstl	-
IS61LP6436A-133TQLI-TR	5.4170	RFQ	1588	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LP6436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	133 MHz	Volatil	2mbitons	4 ns	Sram	64k x 36	Parallèle	-
IS43TR82560BL-15HBLI	-	RFQ	4670	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR82560	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	242	667 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS61DDPB22M36A-400M3L	105.0000	RFQ	4427	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61DDPB22	Sram - synchrone, ddr iip	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS66WVE2M16EALL-70BI-TR	4.0102	RFQ	1328	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS66WVE2M16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	32mbitons	70 ns	Psram	2m x 16	Parallèle	70ns
IS61WV102416FALT-20BI-TR	8.8844	RFQ	9640	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA		Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS61WV102416Falt-20Bi-TR			2 500		Volatil	16mbitons	20 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	20ns
IS61QDPB42M36A2-550M3L	-	RFQ	2551	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDPB42	Sram - Port Quad, synchrone	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	550 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS42S32160B-7TLI	-	RFQ	2000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS46DR16640C-25DBLA2	7.0301	RFQ	9571	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS46DR16640	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	209	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS46TR16640CL-125JBLA25	-	RFQ	2653	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 115 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16640	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR16640CL-125JBLA25	EAR99	8542.32.0032	190	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS61DDP2B22M36A-400M3L	100.1770	RFQ	2518	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61DDP2	Sram - synchrone, ddr iip	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS42S16160J-6BI-TR	2.9790	RFQ	5683	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS61LF102418B-6.5TQLI	17.8310	RFQ	7330	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF102418	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS43LR32320C-6BI-TR	8.1130	RFQ	5343	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA		SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LR32320C-6BI-TR			2 500	166 MHz	Volatil	1 gbit	5 ns	Drachme	32m x 32	Parallèle	15NS
IS25LP256D-JHLE-TR	3.5864	RFQ	6771	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Ni (SLC)	2,3V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LP256D-JHLE-TR			2 500	166 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS43LR32640A-5BL-TR	11.7150	RFQ	6848	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS43LR32640	Sdram - ddr	1,7 V ~ 1,95 V	90-WBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 500	200 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
IS43LD16128B-18BL-TR	9.8250	RFQ	8087	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD16128	SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	533 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR	20.7900	RFQ	6339	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS64LF25636	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	117 MHz	Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS61LV12824-10TQ	-	RFQ	3400	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LV12824	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72		Volatil	3mbitons	10 ns	Sram	128k x 24	Parallèle	10ns
IS42S32400D-7T-TR	-	RFQ	5689	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²