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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS42S16400D-6BLI	-	RFQ	2020	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	60 minibga (6,4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	286	166 MHz	Volatil	64mbitons	5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS25LP01G-RILA3	13.1287	RFQ	6371	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	24 lbga		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-lfbga (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LP01G-RILA3			480	133 MHz	Non volatile	1 gbit	8 ns	Éclair	128m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 1 ms
IS25LX512M-LHLE	9.3700	RFQ	1158	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LX512M-LHLE			480	133 MHz	Non volatile	512mbitons	6 ns	Éclair	64m x 8	Spi - e / s octal	1,8 ms
IS42S32400B-7TL	-	RFQ	9697	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42S32160B-75TLI	-	RFQ	5177	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	144	133 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS42S32800G-7BLI	7.8889	RFQ	5734	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS61VPS102436B-250TQLI-TR	87.8500	RFQ	6611	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61VPS102436	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	250 MHz	Volatil	36mbitons	2,8 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS42VM16200C-75BI-TR	-	RFQ	8564	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16200	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	133 MHz	Volatil	32mbitons	6 ns	Drachme	2m x 16	Parallèle	-
IS43R16320E-6TLI-TR	6.3636	RFQ	4004	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS61NLP204818B-2000TQLI-TR	74.6250	RFQ	5525	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLP204818	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	Volatil	36mbitons	3.1 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS43TR82560DL-107MBL-TR	4.1340	RFQ	6752	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR82560DL-107MBL-TR			2 000	933 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS25LQ512B-JVLE	-	RFQ	4734	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ512	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-VVSOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25LQ512B-JVLE	EAR99	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	512kbit	8 ns	Éclair	64k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS66WVQ4M4DALL-200BLI	3.4400	RFQ	480	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS66WVQ4M4	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480	200 MHz	Volatil	16mbitons		Psram	4m x 4	Spi - quad e / o	40ns
IS61WV10248EDBLL-10TLI-TR	10.2585	RFQ	6309	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61WV10248	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	8mbitons	10 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	10ns
IS37SML01G1-LLI	4.0752	RFQ	9803	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS37SML01	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	Non volatile	1 gbit	8 ns	Éclair	128m x 8	Pimenter	-
IS43R16800E-6TL-TR	2.1360	RFQ	6934	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R16800	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	8m x 16	Parallèle	12ns
IS43TR82560C-15HBI-TR	5.7744	RFQ	9816	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR82560	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	667 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS43R86400E-5TL	-	RFQ	3925	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43R86400E-5TL			108	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Sstl_2	15NS
IS45S32200L-7TLA2-TR	4.4516	RFQ	4715	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS45S32200	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS43DR86400E-25DBL	3.6400	RFQ	868	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR86400	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1558	EAR99	8542.32.0028	242	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS25WP064-JBLE	-	RFQ	3176	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25WP064	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1442	3A991B1A	8542.32.0071	90	133 MHz	Non volatile	64mbitons	7 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR	8.5785	RFQ	7042	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR			2 500		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
IS34MW02G084-TLI	6.8500	RFQ	1	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS34MW02	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1637	3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	2 gbit	45 ns	Éclair	256m x 8	Parallèle	45ns
IS25LP128F-JLLA3-TR	2.2238	RFQ	5087	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	2,3V ~ 3,6 V	8-WSON (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LP128F-JLLA3-TR			4 000	166 MHz	Non volatile	128mbitons	6.5 ns	Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS61WV25616EDBLL-10BI-TR	3.0281	RFQ	8859	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61WV25616	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
IS42S16320B-6TLI	-	RFQ	5904	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS65WV12816BLL-55TLA3-TR	4.1685	RFQ	7668	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS65WV12816	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	2mbitons	55 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	55ns
IS42S16160D-6TL	-	RFQ	6365	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS63LV1024-12KL-TR	-	RFQ	9656	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	32-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS63LV1024	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	32-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	800		Volatil	1mbit	12 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	12ns
IS42S32160F-7BL-TR	11.2050	RFQ	6647	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²