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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Caractéristique	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Max Sortie Power x Canaux @ Charge	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS61VPS51236A-250B3-TR	-	RFQ	4370	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA			IS61VPS51236	Sram - synchrone, d.		2 375V ~ 2 625V	165-PBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS43DR16160B-3DBI-TR	-	RFQ	3966	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA			IS43DR16160	Sdram - ddr2		1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500		333 MHz	Volatil	256mbitons	450 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS42S81600F-7TLI	2.6467	RFQ	5052	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)			IS42S81600	Sdram		3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108		143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	-
IS42SM32800D-75BLI	-	RFQ	4084	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA			IS42SM32800	Sdram - mobile		3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240		133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42S16800E-6TL	-	RFQ	6590	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)			IS42S16800	Sdram		3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108		166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS45S16400J-6BLA1	4.2265	RFQ	7164	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA			IS45S16400	Sdram		3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348		166 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS61VPD102418A-250B3I-TR	-	RFQ	3106	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA			IS61VPD102418	Sram - Port Quad, synchrone		2 375V ~ 2 625V	165-PBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS43TR16128AL-125KBLI	-	RFQ	9711	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA			IS43TR16128	Sdram - ddr3l		1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190		800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS43LQ16128A-062TBLI	13.7700	RFQ	136	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA			IS43LQ16128	SDRAM - MOBILE LPDDR4		1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43LQ16128A-062TBLI	EAR99	8542.32.0036	136		1,6 GHz	Volatil	2 gbit		Drachme	128m x 16	Lvstl	-
IS66WV1M16EBLL-70BLI	3.0454	RFQ	7355	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA			IS66WV1M16	Psram (pseudo sram)		2,5 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480			Volatil	16mbitons	70 ns	Psram	1m x 16	Parallèle	70ns
IS43TR16512A-15HBL-TR	-	RFQ	2626	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-LFBGA			IS43TR16512	Sdram - ddr3		1 425V ~ 1 575 V	96-LFBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000		667 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
IS25LP032D-JBLE-TR	1.2200	RFQ	27	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)			IS25LP032	Flash - ni		2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000		133 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS49NLC36800-33BL	-	RFQ	8387	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA			IS49NLC36800	Rldram 2		1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	104		300 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	8m x 36	Parallèle	-
IS61LP6432A-133TQ	-	RFQ	9649	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP			IS61LP6432	Sram - synchrone, d.		3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72		133 MHz	Volatil	2mbitons	4 ns	Sram	64k x 32	Parallèle	-
IS43LD32320A-25BL	-	RFQ	4126	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	134-TFBGA			IS43LD32320	Sdram - mobile lpddr2		1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1356	EAR99	8542.32.0002	171		400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	32m x 32	Parallèle	15NS
IS61VF102418A-6.5B3-TR	-	RFQ	7290	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA			IS61VF102418	Sram - synchrone, d.		2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS31AP4915-QFLS2-TR	-	RFQ	6797	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Tampon Exposé 16-WQFN	Classe G	Depop, Arête, Therme de protection			1 canal (mono)	2,5 V ~ 6,5 V	16-QFN (4x4)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.33.0001	3 000	-
IS43DR86400E-3DBLI	6.7700	RFQ	5	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA			IS43DR86400	Sdram - ddr2		1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1561	EAR99	8542.32.0028	242		333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS61VPS102418B-250TQL-TR	14.7000	RFQ	7303	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP			IS61VPS102418	Sram - synchrone, d.		2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800		250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS42S32800G-6BL-TR	6.7200	RFQ	1482	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA			IS42S32800	Sdram		3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500		166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS45S16800B-7TLA1	-	RFQ	4961	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)			IS45S16800	Sdram		3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108		143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS61WV5128FBLL-10TLI	2.3764	RFQ	2464	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)				Sram - asynchrone		2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS61WV5128FBLL-10TLI			135			Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	10ns
IS42S16160G-6BLI	4.2807	RFQ	1779	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA			IS42S16160	Sdram		3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	348		166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS46DR16320E-25DBLA2	5.5581	RFQ	1677	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA			IS46DR16320	Sdram - ddr2		1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	209		400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS61LF102436B-7.5TQLI	80.9126	RFQ	5497	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP			IS61LF102436	Sram - synchrone, d.		3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72		117 MHz	Volatil	36mbitons	7,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS42S32800D-7B	-	RFQ	7843	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA			IS42S32800	Sdram		3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240		143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42S16320B-75ETL-TR	-	RFQ	7257	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)			IS42S16320	Sdram		3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500		133 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS45S16400F-7TLA1-T-T-TR	-	RFQ	8118	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)			IS45S16400	Sdram		3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500		143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS62WV51216ALL-70BLI	7.1992	RFQ	9435	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA			IS62WV51216	Sram - asynchrone		2,5 V ~ 3,6 V	48-Minibga (7.2x8.7)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	312			Volatil	8mbitons	70 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	70ns
IS64LPS12832A-200TQLA3-TR	11.0250	RFQ	4176	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP			IS64LPS12832	Sram - synchrone, d.		3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800		200 MHz	Volatil	4mbbitons	3.1 ns	Sram	128k x 32	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²