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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Applications	Type de montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Fréquence d'Horloge	Nombre de Trities	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Commutateur Interne (s)	Topologie	Tension - alimentation (max)	Atténuation	Tension - alimentation (min)	Tension - Sortie
IS63LV1024-8KI	-	RFQ	5111	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	32-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS63LV1024		Sram - asynchrone	3,15 V ~ 3 45 V	32-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	21				Volatil	1mbit	8 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	8ns
IS43R83200F-5TL	3.0705	RFQ	1726	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS43R83200		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108		200 MHz		Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
IS42VM32160D-75BLI	-	RFQ	6278	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42VM32160		Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240		133 MHz		Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS45S16320F-7TLA2-TR	15.3000	RFQ	9029	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS45S16320		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500		143 MHz		Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS43R83200B-6TL	-	RFQ	5624	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS43R83200		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108		166 MHz		Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
IS61NLF25636A-7.5TQLI-TR	12.7500	RFQ	3910	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	100 LQFP		IS61NLF25636		Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800		117 MHz		Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS42VM16160D-8TLI	-	RFQ	1948	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS42VM16160		Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240		125 MHz		Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16160B-6BL-TR	-	RFQ	3912	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	54-LFBGA		IS42S16160		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-LFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500		166 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS26KS512S-DPBLI00	-	RFQ	7827	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	24-VBGA		IS26KS512		Flash - ni	1,7 V ~ 1,95 V	24-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS26KS512S-DPBLI00	3A991B1A	8542.32.0071	338		166 MHz		Non volatile	512mbitons	96 ns	Éclair	64m x 8	Parallèle	-
IS42S16160D-75ETLI-TR	-	RFQ	8801	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS42S16160		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500		133 MHz		Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS65C1024AL-45TLA3	4.3530	RFQ	4218	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		IS65C1024		Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	156				Volatil	1mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS25LQ010B-JNLE	-	RFQ	4301	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		IS25LQ010		Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1322	EAR99	8542.32.0071	100		104 MHz		Non volatile	1mbit		Éclair	128k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS42S16160J-7BL-TR	3.9594	RFQ	3447	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42S16160		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500		143 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS43TR16256A-107MBL-TR	-	RFQ	6240	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS43TR16256		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500		933 MHz		Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS41LV16105D-50KLI-TR	-	RFQ	8879	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS41LV16105		Dram - FP	3V ~ 3,6 V	42-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000				Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS61C6416AL-12TLI	2.4500	RFQ	4	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS61C6416		Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	135				Volatil	1mbit	12 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	12ns
IS45S16320D-7CTLA1	20.0828	RFQ	4678	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS45S16320		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	108		143 MHz		Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS62WV25616ECLL-35TLI	4.1774	RFQ	6952	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)				Sram - asynchrone	3.135V ~ 3 465V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS62WV25616ECLL-35TLI			135				Volatil	4mbbitons	35 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	35ns
IS25WP080D-JNLE	0,8600	RFQ	4	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		IS25WP080		Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	100		133 MHz		Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS66WVH32M8DBLL-100B1LI	4.8440	RFQ	7449	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	24 TBGA				Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI			480		100 MHz		Volatil	256mbitons	40 ns	Psram	32m x 8	Parallèle	40ns
IS43LQ16128AL-062BLI	-	RFQ	2173	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	200-WFBGA				Sdram - mobile lpddr4x	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-VFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LQ16128AL-062BLI			136		1,6 GHz		Volatil	2 gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 16	Lvstl	18n
IS42S16320B-75ETL-TR	-	RFQ	7257	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS42S16320		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500		133 MHz		Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS43TR16256AL-15HBL-TR	-	RFQ	5255	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS43TR16256		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500		667 MHz		Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS46LQ16256A-062BLA1-T-T-TR	-	RFQ	4120	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	200-VFBGA				SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-VFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46LQ16256A-062BLA1-TR			2 500		1,6 GHz		Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Lvstl	-
IS42S16400D-6BL-TR	-	RFQ	2162	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	60-TFBGA		IS42S16400		Sdram	3V ~ 3,6 V	60 minibga (6,4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500		166 MHz		Volatil	64mbitons	5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS43TR16640B-15GBLI	-	RFQ	6224	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS43TR16640		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	190		667 MHz		Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16320F-7BL-TR	10.4550	RFQ	7176	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42S16320		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500		143 MHz		Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS31FL3716-GRLS4-TR	-	RFQ	2856	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Mais Général	Support de surface	20-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	Linéaire		-			20 sop	télécharger		3 (168 Heures)					2 500	40m		7								Non	-	5,5 V	I²c	2,7 V	-
IS31FL3741-QFLS4-TR	2.0250	RFQ	9023	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 125 ° C	Mais Général	Support de surface	Tampon Exposé 60-WFQFN	Linéaire	IS31FL3741	1 MHz			60-QFN (7x7)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	2 500	38m		39								Non	-	5,5 V	PWM	2,7 V	-
IS64WV102416BLL-10MLA3-TR	26.0250	RFQ	8080	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		Support de surface	48-TFBGA		IS64WV102416		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-Minibga (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000				Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²