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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Applications | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Fréquence d'Horloge | Nombre de Trities | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Commutateur Interne (s) | Topologie | Tension - alimentation (max) | Atténuation | Tension - alimentation (min) | Tension - Sortie |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS41C16100C-50TI-TR | - | ![]() | 3551 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 44 pistes | IS41C16100 | DRAM - EDO | 4,5 V ~ 5,5 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | 85ns | ||||||||||||||
![]() | IS43LD16128B-18BLI | 11.4046 | ![]() | 2607 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 134-TFBGA | IS43LD16128 | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 171 | 533 MHz | Volatil | 2 gbit | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||||||||||||
![]() | IS32FL3726A-ZLA3-TR | - | ![]() | 5165 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Automobile, Éclairage | Support de surface | 24 TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grand) | Linéaire | - | 24-pavé | - | 3 (168 Heures) | 2 500 | 60m | 16 | Oui | Registre de décalage | 5,5 V | PWM | 3V | - | |||||||||||||||||
IS61C256AL-2JLI | 1.5200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur) | IS61C256 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Volatil | 256kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 12ns | |||||||||||||||
![]() | IS43DR81280C-3DBI-TR | - | ![]() | 5866 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43DR81280 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | |||||||||||||
![]() | IS46TR16128A-125KBLA2 | - | ![]() | 5775 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16128 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||||||||||
![]() | IS42S16400J-7B2LI | 2.9583 | ![]() | 3399 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | |||||||||||||
![]() | IS49NLC36160-33BI | - | ![]() | 4492 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC36160 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | |||||||||||||
![]() | IS42S32400F-6BI-TR | - | ![]() | 1842 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||||||||||||||
![]() | IS43DR16320E-25DBL-TR | 2.2990 | ![]() | 4105 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43DR16320E-25DBL-TR | 2 500 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Sstl_18 | 15NS | ||||||||||||||||
![]() | IS42S16160J-6TLI-TR | 2.9779 | ![]() | 5382 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | |||||||||||||
![]() | IS66WVC2M16ECLL-7010BLI | 4.2635 | ![]() | 1225 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | IS66WVC2M16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatil | 32mbitons | 70 ns | Psram | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||||||||||||
![]() | IS43DR86400E-25DBL | 3.6400 | ![]() | 868 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43DR86400 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1558 | EAR99 | 8542.32.0028 | 242 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||||||||||||
![]() | IS62WV5128EBLL-45TLI | 2.7843 | ![]() | 1527 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS62WV5128 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 32-tsop I | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 156 | Volatil | 4mbbitons | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS61VPS51236A-200B3-TR | - | ![]() | 4225 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61VPS51236 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | |||||||||||||
![]() | IS65WV1288FBLL-45TLA3 | - | ![]() | 6415 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS65WV1288 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 32-tsop I | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | Volatil | 1mbit | 45 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS61LF51236A-6.5B3I-TR | - | ![]() | 6667 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61LF51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 6.5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | |||||||||||||
![]() | IS61LPS51218B-200TQLI | 15.3000 | ![]() | 4683 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LPS51218 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1539 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatil | 9mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | ||||||||||||
![]() | IS42RM32800K-75BI-TR | 5.3700 | ![]() | 7365 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42RM32800 | Sdram - mobile | 2.3V ~ 3V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 6 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | |||||||||||||
![]() | IS25LP032D-JLLE | 1.4400 | ![]() | 1041 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25LP032 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | ||||||||||||||
![]() | IS43LD16640A-25BLI | - | ![]() | 8049 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 134-TFBGA | IS43LD16640 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1355 | EAR99 | 8542.32.0002 | 171 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||||||||||
![]() | IS25WP256D-JLLE-TR | 3.5100 | ![]() | 2119 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25WP256 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 104 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | ||||||||||||||
![]() | IS39LV010-70VCE | - | ![]() | 8104 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 488 ", 12,40 mm de grand) | IS39LV010 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 32-VSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1349 | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | Non volatile | 1mbit | 70 ns | Éclair | 128k x 8 | Parallèle | 70ns | |||||||||||||
![]() | IS62WV12816BLL-55BI-TR | - | ![]() | 1855 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS62WV12816 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 2mbitons | 55 ns | Sram | 128k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||||||||||||
![]() | IS45S16320F-6BLA1-T-T-TR | 13.0500 | ![]() | 9168 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS45S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | |||||||||||||
IS64WV20488BLL-10CTLA3 | 25.7125 | ![]() | 3213 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS64WV20488 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatil | 16mbitons | 10 ns | Sram | 2m x 8 | Parallèle | 10ns | |||||||||||||||
IS62WV25616BLL-55TI-TR | - | ![]() | 8017 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS62WV25616 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 55ns | |||||||||||||||
![]() | IS43R16160D-5TL-TR | 3.4412 | ![]() | 3875 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R16160 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||||||||||
![]() | IS42S16100H-6BL | 1.4521 | ![]() | 5348 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 286 | 166 MHz | Volatil | 16mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | |||||||||||||
![]() | IS42S16100F-6BL-TR | - | ![]() | 4831 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 16mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - |
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