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Circuits Integrés (CI) (5782)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS46LQ16256A-062TBLA2-TR | 14.1246 |  | 4878 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ16256A-062TBLA2-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 16 | Lvstl | 18n | ||
| IS49NLS18160A-18WBLI | 33.5439 | | 8006 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLS18160A-18WBLI | 104 | 533 MHz | Volatil | 288mbitons | 15 ns | Drachme | 16m x 18 | Hstl | - | |
| IS49RL36320-107EBLI | 120.0345 | | 3984 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 LBGA | Rldram 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49RL36320-107EBLI | 119 | 933 MHz | Volatil | 1 152 gbit | 8 ns | Drachme | 32m x 36 | Parallèle | - | |
| IS43QR85120B-075UBLI | 10.9618 | | 8876 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR85120B-075ubli | 136 | 1 333 GHz | Volatil | 4 Gbit | 19 ns | Drachme | 512m x 8 | Coffre | 15NS | ||
| IS46QR81024A-083TBLA2 | 21.5457 | | 5636 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46QR81024A-083TBLA2 | 136 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| IS62WV2568FBLL-45HLI | 1.6913 | | 8772 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 32-stsop I | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62WV2568FBLL-45HLI | 234 | Volatil | 2mbitons | 45 ns | Sram | 256k x 8 | Parallèle | 45ns | |||
| IS61WV102416FBLL-8BLI | 9.7363 | | 1319 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV102416FBLL-8BLI | 480 | Volatil | 16mbitons | 8 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 8ns | |||
| IS65WV102416EBLL-55BLA3 | 9.6935 | | 6435 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS65WV102416EBLL-55BLA3 | 480 | Volatil | 16mbitons | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 55ns | |||
| IS43LR16160H-6BLI | 5.3162 | | 3927 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR16160H-6BLI | 300 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS66WVO16M8DBL-133BI-TR | 3.6017 | | 1064 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-is66wvo16m8dbll-133Bi-TR | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | Psram | 16m x 8 | Spi - e / s octal | 37,5ns | |||
| IS46LQ16256AL-062BLA2-TR | - | | 7439 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ16256AL-062BLA2-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 16 | Lvstl | 18n | ||
| IS46LQ16256AL-062BLA1-TR | - | | 9472 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ16256AL-062BLA1-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 16 | Lvstl | 18n | ||
| IS43TR81024B-125KBLI-TR | 20.9076 | | 4867 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR81024B-125KBI-TR | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| IS46QR16512A-083TBLA2-TR | 20.8943 | | 1215 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46QR16512A-083TBLA2-TR | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS49NLC36800A-25EWBL | 29.0237 | | 5037 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLC36800A-25EWBL | 104 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 15 ns | Drachme | 8m x 36 | Hstl | - | |
| IS61WV204816AL-12TLI-TR | 17.8353 | | 9975 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV204816ALL-12TLI-TR | 1 500 | Volatil | 32mbitons | 12 ns | Sram | 2m x 16 | Parallèle | 12ns | |||
| IS46LQ16128A-062BLA2-TR | - | | 1418 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ16128A-062BLA2-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Lvstl | 18n | ||
| IS43LR16640C-6BLI | 7.7181 | | 4633 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR16640C-6BLI | 300 | 166 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS46TR16256B-107MBLA1 | 8.8181 | | 9446 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16256B-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS46TR16256B-107MBLA2 | 10.1514 | | 8628 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16256B-107MBLA2 | 190 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS43TR16512S2DL-107MBL-TR | 18.7397 | | 8444 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-LFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-LWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR16512S2DL-107MBL-TR | 1 500 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS61WV5128FBLL-10TLI | 2.3764 | | 2464 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV5128FBLL-10TLI | 135 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 10ns | |||
| IS62WV10248HBLL-45BLI | 5.5800 | | 2110 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62WV10248HBLL-45BLI | 480 | Volatil | 8mbitons | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Parallèle | 45ns | |||
| IS46LQ16128A-062BLA1 | - | | 3510 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ16128A-062BLA1 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Lvstl | 18n | ||
| IS43TR82560DL-107MBI-TR | 4.5617 | | 3285 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR82560DL-107MBI-TR | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| IS43LR16320C-5BI-TR | 6.1327 | | 5612 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR16320C-5BI-TR | 2 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 32m x 16 | LVCMOS | 15NS | ||
| IS43TR81280C-125JBLI | 3.7208 | | 1086 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR81280C-125JBLI | 242 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| IS25WE256E-RMLE-TR | 4.2125 | | 6322 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WE256E-RMLE-TR | 1 000 | 166 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | |||
| IS25WP064D-JBLE-TR | 1.2565 | | 3421 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WP064D-JBLE-T-T-TR | 2 000 | 166 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||
| IS25WP128F-JBLA3-TR | 2.2927 | | 8781 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WP128F-JBLA3-TR | 2 000 | 166 MHz | Non volatile | 128mbitons | 5,5 ns | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs |
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