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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Applications	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Fréquence d'Horloge	Nombre de Trities	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Commutateur Interne (s)	Topologie	Tension - alimentation (max)	Atténuation	Tension - alimentation (min)	Tension - Sortie
IS61QDB22M18C-250M3L	-	RFQ	9855	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	165 LBGA		IS61QDB22		Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105		250 MHz		Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS43R16800E-5TLI-TR	2.4388	RFQ	1681	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS43R16800		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500		200 MHz		Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
IS43R86400D-5BL	8.4157	RFQ	9724	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	60-TFBGA		IS43R86400		Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	190		200 MHz		Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS43DR16320C-25DBI	-	RFQ	8880	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	84-TFBGA		IS43DR16320		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	209		400 MHz		Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS43LD16640D-18BI-TR	6.8495	RFQ	4778	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif											-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LD16640D-18BI-TR			2 000
IS43R86400E-5BL	-	RFQ	7425	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	60-TFBGA		IS43R86400		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	190		200 MHz		Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS42S86400D-7TLI	14.1882	RFQ	2540	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS42S86400		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108		143 MHz		Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	64m x 8	Parallèle	-
IS31FL3198-QFLS2-TR	0,8029	RFQ	4212	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Mais Général	Support de surface	Tampon Exposé 16-WFQFN	Régulateur DC DC		1 MHz			16-QFN (3x3)	-		3 (168 Heures)					2 500	80m		3								Oui	Commutateur de condensateur (Pompe de Charge)	5,5 V	Non	3V	-
IS43R16160F-5TLI	3.0344	RFQ	2438	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS43R16160		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108		200 MHz		Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS46DR81280C-25DBLA1	-	RFQ	5282	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	60-TFBGA		IS46DR81280		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	242		400 MHz		Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS34MW04G084-TLI-TR	8.4321	RFQ	4704	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		IS34MW04		Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500				Non volatile	4 Gbit	45 ns	Éclair	512m x 8	Parallèle	45ns
IS62WV25616EALL-55BI	-	RFQ	1692	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	48-VFBGA		IS62WV25616		Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1				Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
IS25WQ040-JNLE-TR	-	RFQ	2272	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)		IS25WQ040		Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000		104 MHz		Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Pimenter	1 ms
IS45S32800J-6TLA1-T-T-TR	7.3684	RFQ	7891	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS45S32800		Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0024	1 500		166 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS61WV51216BLL-10TLI-TR	12.3000	RFQ	9043	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS61WV51216		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000				Volatil	8mbitons	10 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	10ns
IS46TR16640B-15GBLA2	-	RFQ	3279	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS46TR16640		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	190		667 MHz		Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS61NVP204818B-2000TTQLI-TR	69.6500	RFQ	7574	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	100 LQFP		IS61NVP204818		Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800		200 MHz		Volatil	36mbitons	3.1 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS25LQ025B-JKLE	-	RFQ	4200	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		IS25LQ025		Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1327	EAR99	8542.32.0071	570		104 MHz		Non volatile	256kbit		Éclair	32k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS42SM32800E-6BI-TR	-	RFQ	8469	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42SM32800		Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500		166 MHz		Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS61VF51236A-6.5B3I	-	RFQ	6002	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	165-TBGA		IS61VF51236		Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144		133 MHz		Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS46LQ32640AL-062BLA1-TR	-	RFQ	9194	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	200-VFBGA				Sdram - mobile lpddr4x	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-VFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46LQ32640AL-062BLA1-TR			2 500		1,6 GHz		Volatil	2 gbit	3,5 ns	Drachme	64m x 32	Lvstl	18n
IS61NVP51236B-200B3LI-TR	14.6300	RFQ	6150	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	165-TBGA		IS61NVP51236		Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		200 MHz		Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS43LD16640A-25BL	-	RFQ	9054	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	134-TFBGA		IS43LD16640		Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1354	EAR99	8542.32.0002	171		400 MHz		Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS46TR16128AL-15HBLA2	-	RFQ	7844	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS46TR16128		Sdram - ddr3	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190		667 MHz		Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS42VM32400G-6BLI	-	RFQ	5543	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42VM32400		Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240		166 MHz		Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42RM32200M-6BLI	-	RFQ	9155	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42RM32200		Sdram - mobile	2,3V ~ 2,7 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240		166 MHz		Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS62WV2568BLL-55TLI	2.7300	RFQ	8	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		IS62WV2568		Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	156				Volatil	2mbitons	55 ns	Sram	256k x 8	Parallèle	55ns
IS42S16800F-7TLI	3.0200	RFQ	3	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS42S16800		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1270	EAR99	8542.32.0002	108		143 MHz		Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS45S16320D-7CTLA2-TR	24.7650	RFQ	3487	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS45S16320		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 500		143 MHz		Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS43R86400F-5TLI-TR	5.3589	RFQ	2523	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS43R86400		Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500		200 MHz		Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²