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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Applications	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Fréquence d'Horloge	Nombre de Trities	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Commutateur Interne (s)	Topologie	Tension - alimentation (max)	Atténuation	Tension - alimentation (min)	Tension - Sortie
IS43DR16160A-3DBL	-	RFQ	2452	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	84-TFBGA		IS43DR16160		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	209		333 MHz		Volatil	256mbitons	450 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS62WV10248DBLL-55TLI	-	RFQ	8382	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS62WV10248		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135				Volatil	8mbitons	55 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	55ns
IS25WP032A-JMLE	-	RFQ	4057	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		IS25WP032		Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	44		133 MHz		Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS42S16160D-7B-TR	-	RFQ	4415	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42S16160		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500		143 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS61WV1288EEBLL-10BLI	2.5908	RFQ	2576	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	48-TFBGA				Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS61WV1288EEBLL-10BLI			480				Volatil	1mbit	10 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	10ns
IS61VF102418A-6.5B3-TR	-	RFQ	7290	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	165-TBGA		IS61VF102418		Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		133 MHz		Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS25WP128-RHLE-TR	2.1682	RFQ	3399	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	24 TBGA		IS25WP128		Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500		133 MHz		Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS42SM32200M-75BI-TR	3.2245	RFQ	3614	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42SM32200		Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	2 500		133 MHz		Volatil	64mbitons	6 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS31LT3353-V1STLS2-T-T-TR	-	RFQ	9692	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Éclairage	Support de surface	SC-74A, SOT-753	Régulateur DC DC	IS31LT3353	1 MHz			SOT-23-5	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	3 000	1a (commutateur)		1								Oui	Interrogé (Mâle)	40V	Analogique, PWM	6V	-
IS42S32200E-7TL-TR	-	RFQ	1589	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS42S32200		Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500		143 MHz		Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS61LP6432A-133TQ	-	RFQ	9649	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	100 LQFP		IS61LP6432		Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72		133 MHz		Volatil	2mbitons	4 ns	Sram	64k x 32	Parallèle	-
IS61WV51216BLL-10TLI-TR	12.3000	RFQ	9043	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS61WV51216		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000				Volatil	8mbitons	10 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	10ns
IS61LF102436B-7.5TQLI-TR	74.2500	RFQ	4928	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	100 LQFP		IS61LF102436		Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800		117 MHz		Volatil	36mbitons	7,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS43DR16160B-37CBL-TR	2.8153	RFQ	8144	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	84-TFBGA		IS43DR16160		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500		266 MHz		Volatil	256mbitons	500 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS42SM16800G-75BI-TR	-	RFQ	1481	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42SM16800		Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500		133 MHz		Volatil	128mbitons	6 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS43LD32320A-25BL	-	RFQ	4126	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	134-TFBGA		IS43LD32320		Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1356	EAR99	8542.32.0002	171		400 MHz		Volatil	1 gbit		Drachme	32m x 32	Parallèle	15NS
IS42SM32800E-75BI-TR	-	RFQ	7933	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42SM32800		Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500		133 MHz		Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42SM32400H-75BI	-	RFQ	7141	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42SM32400		Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240		133 MHz		Volatil	128mbitons	6 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS46DR16128C-3DBLA1-T-T-TR	12.4800	RFQ	6571	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	84-TFBGA		IS46DR16128		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 500		333 MHz		Volatil	2 gbit	450 PS	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS62WV1288BLL-55HI-TR	-	RFQ	3700	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand)		IS62WV1288		Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	32-stsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	2 000				Volatil	1mbit	55 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	55ns
IS45S32400F-6TLA2	8.2446	RFQ	1104	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS45S32400		Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108		166 MHz		Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS43LQ32640AL-062TBI-TR	9.2036	RFQ	4854	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	200-TFBGA				Sdram - mobile lpddr4x	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LQ32640AL-062TBI-TR			2 500		1,6 GHz		Volatil	2 gbit	3,5 ns	Drachme	64m x 32	Lvstl	18n
IS61LF102418A-7.5B3I-TR	-	RFQ	1552	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	165-TBGA		IS61LF102418		Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		117 MHz		Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61LV6416-10T-TR	-	RFQ	6974	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS61LV6416		Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	1 000				Volatil	1mbit	10 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	10ns
IS61WV25616BLL-10BI-TR	3.2736	RFQ	5707	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	48-TFBGA		IS61WV25616		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500				Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
IS43DR82560C-3DBL	9.8300	RFQ	7888	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)		Support de surface	60-TFBGA		IS43DR82560		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1571	EAR99	8542.32.0036	242		333 MHz		Volatil	2 gbit	450 PS	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS42S16100F-6TLI	-	RFQ	3940	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS42S16100		Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117		166 MHz		Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS42S32400B-7B-TR	-	RFQ	2537	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42S32400		Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500		143 MHz		Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS25LQ025B-JNLE-TR	-	RFQ	7418	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		IS25LQ025		Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000		104 MHz		Non volatile	256kbit		Éclair	32k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS61QDPB42M36A-550B4L	-	RFQ	7461	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	165 LBGA		IS61QDPB42		Sram - Port Quad, synchrone	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105		550 MHz		Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Circuits Integrés (CI) (5782)

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30 000 000

2800+

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