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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Applications	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Fréquence d'Horloge	Nombre de Trities	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Commutateur Interne (s)	Topologie	Tension - alimentation (max)	Atténuation	Tension - alimentation (min)	Tension - Sortie
IS45S16160D-7TLA1-T-T-TR	-	RFQ	2084	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS45S16160		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500		143 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS43R16800E-5TLI-TR	2.4388	RFQ	1681	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS43R16800		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500		200 MHz		Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16160B-6T	-	RFQ	3926	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS42S16160		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108		166 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16400D-6BLI	-	RFQ	2020	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	60-TFBGA		IS42S16400		Sdram	3V ~ 3,6 V	60 minibga (6,4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	286		166 MHz		Volatil	64mbitons	5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS61LF12836A-6.5TQLI	8.3815	RFQ	1416	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	100 LQFP		IS61LF12836		Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72		133 MHz		Volatil	4,5 Mbit	6.5 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
IS45VM16800E-75BLA1	-	RFQ	7283	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS45VM16800		Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348		133 MHz		Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS61QDB22M18C-250M3L	-	RFQ	9855	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	165 LBGA		IS61QDB22		Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105		250 MHz		Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS62WV6416DBLL-45B2LI	-	RFQ	4565	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	48-TFBGA		IS62WV6416		Sram - asynchrone	2,3V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	480				Volatil	1mbit	45 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	45ns
IS43DR16320D-3DBL	2.8719	RFQ	5481	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	84-TFBGA		IS43DR16320		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	209		333 MHz		Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
Is61vps204836b-200tqli	123.9810	RFQ	6414	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	100 LQFP		IS61VPS204836		Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72		200 MHz		Volatil	72mbitons	3.1 ns	Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS42SM32400G-6BLI	-	RFQ	2625	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42SM32400		Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240		166 MHz		Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS45S32400E-6BLA1	-	RFQ	8374	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS45S32400		Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240		166 MHz		Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42S16800F-6TLI-TR	2.3547	RFQ	6495	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS42S16800		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500		166 MHz		Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS43DR81280C-3DBL-TR	3.0653	RFQ	3081	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)		Support de surface	60-TFBGA				Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43DR81280C-3DBL-TR			2 000		333 MHz		Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	128m x 8	Sstl_18	15NS
IS49RL18640-093FBL	126.1029	RFQ	7297	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	168 LBGA				Rldram 3	1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49RL18640-093FBL			119		1 066 GHz		Volatil	1 152 gbit	7,5 ns	Drachme	64m x 18	Parallèle	-
IS46QR16512A-075VBLA2	22.8299	RFQ	1656	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA				Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46QR16512A-075VBLA2			136		1 333 GHz		Volatil	8 Gbit	18 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
IS25WP064A-RMLE	-	RFQ	8950	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		IS25WP064		Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1648	3A991B1A	8542.32.0071	44		133 MHz		Non volatile	64mbitons	7 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS31LT3361-SDLS4-TR	-	RFQ	1825	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Éclairage	Support de surface	SOT-89-5 / 6	Régulateur DC DC		1 MHz			SOT-89-5	-		3 (168 Heures)					2 500	1.3a		1								Oui	Interrogé (Mâle)	40V	PWM	6V	-
IS61LPS51236B-200B3LI-TR	14.6300	RFQ	4800	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	165-TBGA		IS61LPS51236		Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		200 MHz		Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS45S32800D-6BLA1	-	RFQ	3065	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS45S32400		Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240		166 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS61WV20488FBLL-8TLI-TR	9.2060	RFQ	4969	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)				Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS61WV20488FBLL-8TLI-TR			1 000				Volatil	16mbitons	8 ns	Sram	2m x 8	Parallèle	8ns
IS42SM32400H-75BI-TR	-	RFQ	5624	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42SM32400		Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500		133 MHz		Volatil	128mbitons	6 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS25LP064-JBLE	-	RFQ	2556	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)		IS25LP064		Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1338	3A991B1A	8542.32.0071	90		133 MHz		Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	800 µs
IS46LQ32640A-062BLA1	-	RFQ	4861	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	200-WFBGA				SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-VFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46LQ32640A-062BLA1			136		1,6 GHz		Volatil	2 gbit	3,5 ns	Drachme	64m x 32	Lvstl	18n
IS25LP080D-JVLE	-	RFQ	2104	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		IS25LP080		Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-VVSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	100		133 MHz		Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS45S32200E-7BLA2-T-T-TR	-	RFQ	8274	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS45S32200		Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500		143 MHz		Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS46TR16640AL-125JBLA1-T-T-TR	-	RFQ	3202	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS46TR16640		Sdram - ddr3	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 500		800 MHz		Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	-
IS42VS16160J-75TLI	-	RFQ	2025	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS42VS16160		Sdram	1,7 V ~ 1,9 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	348		133 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS43R32400E-4BL	-	RFQ	8444	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	144-LFBGA		IS43R32400		Sdram - ddr	2,4 V ~ 2,6 V	144-LFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	189		250 MHz		Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	4m x 32	Parallèle	16NS
IS64WV25616EFBLL-10BLA3	7.1635	RFQ	9091	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		Support de surface	48-TFBGA				Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS64WV25616EFBLL-10BLA3			480				Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

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15 000 m²