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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS25WP032D-JKLE	1.3900	RFQ	2	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25WP032	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	570	133 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS25LP080D-JNLA3	1.1500	RFQ	11	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LP080	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25LP080D-JNLA3	EAR99	8542.32.0071	100	133 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS22TF64G-JCLA2-TR	53.0005	RFQ	1503	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA		Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS22TF64G-JCLA2-TR			2 000	200 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	EMMC_5.1	-
IS62WV5128BLL-55BI-TR	-	RFQ	2830	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS62WV5128	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS65WV1288DBLL-45TLA3	-	RFQ	7725	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS65WV1288	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	156		Volatil	1mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS43TR85120A-125KBL	-	RFQ	9430	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR85120	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	220	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS61WV6416BLL-12KLI	2.2660	RFQ	2756	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61WV6416	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	44-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	16		Volatil	1mbit	12 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	12ns
IS46DR81280C-3DBLA1	-	RFQ	6845	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS46DR81280	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	242	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS43LR32200C-6BI-TR	3.3227	RFQ	7355	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS43LR32200	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	15NS
IS43LD32320A-3BL-TR	-	RFQ	2584	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD32320	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 200	333 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	32m x 32	Parallèle	15NS
IS22ES04G-JCLA1	-	RFQ	6054	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA	IS22ES04	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS22ES04G-JCLA1	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	EMMC	-
IS43DR16640B-3DBLI-TR	6.3750	RFQ	9151	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16640	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 500	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16400F-5BL-TR	-	RFQ	1706	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	200 MHz	Volatil	64mbitons	5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS43QR8K02S2A-083TBL	52.9300	RFQ	7798	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	*	Plateau	Actif								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43QR8K02S2A-083TBL			136
IS43TR81280CL-107MBLI	3.9237	RFQ	5085	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (8x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR81280CL-107MBLI			242	933 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS62WV25616DBLL-45BI	-	RFQ	1895	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV25616	Sram - asynchrone	2,3V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	45ns
IS43LR32640A-6BL-TR	11.3550	RFQ	6458	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS43LR32640	Sdram - ddr	1,7 V ~ 1,95 V	90-WBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 500	166 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
IS43TR81280B-125KBL	-	RFQ	4310	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR81280	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR81280B-125KBL	EAR99	8542.32.0032	242	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS61WV102416FBLL-10TLI-TR	9.4500	RFQ	3200	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS61WV102416	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 500		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
IS61NLF25636A-7.5B2I	-	RFQ	2783	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	119-BBGA	IS61NLF25636	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	119-PBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	84	117 MHz	Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS61LPS51236A-250B3LI	-	RFQ	2556	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LPS51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS43R16160F-6TLI	3.5400	RFQ	2	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R16160	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS25LP512MG-RMLE	-	RFQ	9680	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	IS25LP512	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25LP512MG-RMLE	3A991B1A	8542.32.0071	44	166 MHz	Non volatile	512mbitons	5,5 ns	Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 1 ms
IS43R83200F-6TL	2.8899	RFQ	2750	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R83200	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
IS46R16320D-5TLA1	9.7086	RFQ	1635	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS46R16320	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS25LP01GG-RHLE-TR	9.1105	RFQ	6037	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LP01GG-RHLE-TR			2 500
IS61WV10248EDBLL-10BI-TR	10.1242	RFQ	4925	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61WV10248	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	8mbitons	10 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	10ns
IS66WVC2M16EALL-7010BLI	3.6544	RFQ	9430	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	IS66WVC2M16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	32mbitons	70 ns	Psram	2m x 16	Parallèle	70ns
IS46DR16128A-3DBLA1-T-T-TR	-	RFQ	2786	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-LFBGA	IS46DR16128	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-LFBGA (10,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	333 MHz	Volatil	2 gbit	450 PS	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS61C25616AL-10TLI	3.7930	RFQ	6165	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61C25616	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²