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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS43TR16128DL-125KBLI	6.3600	RFQ	3	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16128	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1725	EAR99	8542.32.0036	190	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16400D-6TLI-TR	-	RFQ	6136	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS61LF6436A-8.5TQLI-TR	5.4170	RFQ	1696	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF6436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	90 MHz	Volatil	2mbitons	8,5 ns	Sram	64k x 36	Parallèle	-
IS21ES64G-JQLI	-	RFQ	5050	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga	IS21ES64	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	100-LFBGA (14x18)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS21ES64G-JQLI	3A991B1A	8542.32.0071	98	200 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	EMMC	-
IS42S16320B-6BI-TR	-	RFQ	1911	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-WBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 000	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS46R16160D-6TLA2	7.3894	RFQ	5910	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS46R16160	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS61QDB22M18-250M3I	-	RFQ	7063	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB22	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS61QDB22M18-250M3I	OBSOLÈTE		105	250 MHz	Volatil	36mbitons	1,35 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS43TR16128D-093NBL	-	RFQ	8097	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR16128D-093NBL	EAR99	8542.32.0036	190	1 066 GHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS43LD32640B-18BPL-TR	-	RFQ	4950	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-VFBGA	IS43LD32640	SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	533 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
IS25WP128F-RMLE	-	RFQ	2794	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25WP128F-RMLE	OBSOLÈTE		1	166 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS43LR16400C-6BLI	3.2873	RFQ	1686	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43LR16400	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-TFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	300	166 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	15NS
IS61WV102416BLL-10MLI	22.9500	RFQ	1	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61WV102416	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-Minibga (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	210		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
IS45S16320D-6CTLA1-TR	20.6400	RFQ	5179	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS62WV2568FBLL-45BI-TR	1.7040	RFQ	9510	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA		Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS62WV2568FBLL-45BI-TR			2 500		Volatil	2mbitons	45 ns	Sram	256k x 8	Parallèle	45ns
IS42S32200C1-7B-TR	-	RFQ	4827	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS42S32200	Sdram	3,15 V ~ 3 45 V	90-BGA (13x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	143 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS43TR81280B-125JBL	-	RFQ	6550	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR81280	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	242	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS43TR16128AL-15HBL-TR	-	RFQ	6248	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16128	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	667 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS37SML01G1-MLI	-	RFQ	8774	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	IS37SML01	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	44	104 MHz	Non volatile	1 gbit	8 ns	Éclair	128m x 8	Pimenter	-
IS61LPS25636A-200B2I	-	RFQ	1911	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	119-BBGA	IS61LPS25636	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	119-PBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	Volatil	9mbitons	3.1 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS45S16160D-7BLA2	-	RFQ	8453	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS45S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS61LV6416-10BLI	-	RFQ	5897	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61LV6416	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	480		Volatil	1mbit	10 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	10ns
IS43LR32400G-6BLI	5.0116	RFQ	7825	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS43LR32400	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	166 MHz	Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	15NS
IS61LPS102436A-166TQLI	-	RFQ	9980	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LPS102436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	Volatil	36mbitons	3,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS65WV25616DBLL-45CTLA1	-	RFQ	9156	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS65WV25616	Sram - asynchrone	2,3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	45ns
IS45S16400J-7BLA2	4.9590	RFQ	9751	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS45S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS41C16105C-50TI-TR	-	RFQ	5579	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 44 pistes	IS41C16105	Dram - FP	4,5 V ~ 5,5 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	84ns
IS43R86400F-6BL	5.9099	RFQ	4140	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R86400	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	190	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS25LP032D-JMLE-TY	1.0982	RFQ	7628	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25LP032D-JMLE-TY			176	133 MHz	Non volatile	32mbitons	7 ns	Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS61C1024-15JI	-	RFQ	3524	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur)	IS61C1024	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Q3397131	3A991B2B	8542.32.0041	1		Volatil	1mbit	15 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	15NS
IS42S32160B-75TL	-	RFQ	3510	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	144	133 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²