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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS45S32200L-6BLA1-T-T-TR | 4.8260 | ![]() | 5207 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS45S32200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | IS62WV2568EBLL-45BI-TR | 2.2026 | ![]() | 2163 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | IS62WV2568 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 2mbitons | 45 ns | Sram | 256k x 8 | Parallèle | 45ns | Non Vérifié | |||
![]() | IS41LV16100C-50KLI-TR | - | ![]() | 9629 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS41LV16100 | DRAM - EDO | 3V ~ 3,6 V | 42-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||||
IS46DR16320C-25DBLA1-T-T-TR | 7.2600 | ![]() | 3841 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS46DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS39LV040-70JCE | - | ![]() | 8043 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | IS39LV040 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 32-PLCC (11.43x13.97) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Non volatile | 4mbbitons | 70 ns | Éclair | 512k x 8 | Parallèle | 70ns | ||||
![]() | IS25WP128-JBLE | 2.6300 | ![]() | 27 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | IS25WP128 | Éclair | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1443 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | |||
![]() | IS42S32160F-6BL | 11.6311 | ![]() | 3969 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
IS43DR16320C-25DBLI | 6.5170 | ![]() | 7724 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS42S32160F-75EBLI | 13.0470 | ![]() | 4006 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 6 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | IS62WV5128EBLL-45BI-TR | - | ![]() | 2908 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | IS62WV5128 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 1 | Volatil | 4mbbitons | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 45ns | |||||
![]() | IS61WV5128EDBLL-10BI-TR | 3.0281 | ![]() | 6308 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | IS61WV5128 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 10ns | ||||
![]() | IS25LP080D-JKLE | 1.0600 | ![]() | 1140 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25LP080 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-wson (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1579 | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | |||
![]() | IS46LD32640B-25BLA2-T-T-TR | - | ![]() | 5061 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 134-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46LD32640B-25BLA2-TR | 1 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 5,5 ns | Drachme | 64m x 32 | HSUL_12 | 15NS | |||||
IS46DR16320D-25DBLA2-TR | 7.5150 | ![]() | 9997 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS46DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS43LR32320B-5BL-TR | - | ![]() | 5458 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-LFBGA | IS43LR32320 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-LFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 500 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS49NLC18320-33BI | - | ![]() | 3085 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | IS49NLC18320-25BI | - | ![]() | 3776 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | IS43R16320D-5BL-TR | 7.5000 | ![]() | 5575 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS49NLS18320-33BL | - | ![]() | 9948 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLS18320 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | IS43TR16256AL-15HBLI | - | ![]() | 5204 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16256 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS42VM16320D-75BLI | - | ![]() | 9406 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42VM16320 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 6 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | IS61LV12824-8TQ-TR | - | ![]() | 5904 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LV12824 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | Volatil | 3mbitons | 8 ns | Sram | 128k x 24 | Parallèle | 8ns | ||||
IS61LV25616AL-10TL-TR | 4.4700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61LV25616 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 10ns | |||||
![]() | IS42S32160D-6BL | 13.5037 | ![]() | 3860 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | IS43R86400D-6TL | 5.7164 | ![]() | 5027 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R86400 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS64WV6416BLL-15BA3-TR | - | ![]() | 7858 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS64WV6416 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 1mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS43LR32160C-6BI-TR | 7.3800 | ![]() | 4041 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS43LR32160 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5,5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 12ns | |||
![]() | IS61LPD25636A-200TQLI | 15.4275 | ![]() | 3269 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LPD25636 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatil | 9mbitons | 3.1 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | IS61DDB41M36A-300M3LI | - | ![]() | 2884 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61DDB41 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 300 MHz | Volatil | 36mbitons | 8.4 ns | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | IS62WV1288BLL-55TLI-TR | 1.6971 | ![]() | 9012 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS62WV1288 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 32-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 500 | Volatil | 1mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 55ns |
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