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Circuits Integrés (ICS) (847)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Gd9fu4g8f3amgi	7.0543	RFQ	4103	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd9f	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger				1970-gd9fu4g8f3amgi			960		Non volatile	4 Gbit	18 ns	Éclair	512m x 8	Onfi	20ns
GD25LQ64CSIGR	1.4100	RFQ	19	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	GD25LQ64	Flash - ni	1,65 V ~ 2V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	120 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o	2,4 ms
Gd25q80ceigr	0,6800	RFQ	44	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XFDFN	GD25Q80	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-USON (2x3)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000	120 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
GD25LQ16CSIG	0,4195	RFQ	7089	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Tube	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	GD25LQ16	Flash - ni	1,65 V ~ 2,1 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	9 500	104 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
GD25LQ80CTIG	0,3686	RFQ	6654	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Tube	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	GD25LQ80	Flash - ni	1,65 V ~ 2,1 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	20 000	104 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
Gd25ld40ceigr	0,3752	RFQ	1631	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XFDFN	Gd25ld40	Flash - ni	1,65 V ~ 2V	8-USON (2x3)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000	50 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Spi - double e / s	97µs, 6 ms
Gd5f2gq5reyigy	3.9138	RFQ	8997	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd5f	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 2V	8-WSON (6x8)	télécharger				1970-gd5f2gq5reyigy			4 800	80 MHz	Non volatile	2 gbit	11 ns	Éclair	256m x 8	Spi - quad e / o	600 µs
GD25Q20COIGR	-	RFQ	7018	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	GD25Q20	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000	120 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
Gd25wd80ceigr	0,7100	RFQ	81	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XFDFN	Gd25wd80	Flash - ni	1,65 V ~ 3,6 V	8-USON (2x3)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000		Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	-
Gd25ld80csig	-	RFQ	1543	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	Gd25ld80	Flash - ni	1,65 V ~ 2V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	9 500	50 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - double e / s	60 µs, 6 ms
Gd25lq40ctig	0,3366	RFQ	2162	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Tube	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	GD25LQ40	Flash - ni	1,65 V ~ 2,1 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	20 000	104 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
Gd25lf128eqegg	1.9209	RFQ	2689	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LF	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-USON (4x4)	télécharger				1970-GD25LF128EQEGRTR			3 000	166 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
GD25LQ64ET2GY	1.2776	RFQ	6914	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LQ	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-SOP	-				1970-GD25LQ64ET2GY			4 320	133 MHz	Non volatile	64mbitons	6 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	60 µs, 2,4 ms
GD25Q64EWIGR	1.3900	RFQ	8	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	GD25Q64	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	3 000	133 MHz	Non volatile	64mbitons	7 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o	70 µs, 2,4 ms
Gd55x02gebiry	25.9350	RFQ	2372	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd55x	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	-				1970-gd55x02gebiry			4 800	200 MHz	Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Spi - e / s octal, dtr	-
GD25LR128EWIGR	1.8258	RFQ	4313	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LR	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (5x6)	-				1970-GD25LR128EWIGRTR			3 000	200 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o	-
Gd25q80cs2gr	0,5970	RFQ	4404	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25Q	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	-				1970-GD25Q80CS2grtr			2 000	80 MHz	Non volatile	8mbitons	7 ns	Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	60 µs, 4 ms
Gd25b512meyigr	4.3264	RFQ	9970	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25B	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	télécharger				1970-gd25b512meyigrtr			3 000	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
Gd25lq64etigr	0,7908	RFQ	4199	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LQ	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-SOP	télécharger				1970-GD25LQ64ETIGRTR			3 000	133 MHz	Non volatile	64mbitons	6 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	60 µs, 2,4 ms
Gd55f512mfwigr	4.3329	RFQ	5638	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				1970-gd55f512mfwigrtr			3 000
Gd25q32cbigy	-	RFQ	1367	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	GD25Q32	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 800	120 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
Gd25ld40etigr	0,2865	RFQ	6302	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25ld	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-SOP	télécharger				1970-gd25ld40etigrtr			3 000	50 MHz	Non volatile	4mbbitons	12 ns	Éclair	512k x 8	Spi - double e / s	100 µs, 6 ms
Gd25lq128dbagy	2.5210	RFQ	8554	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LQ	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	24-TFBGA (6x8)	-				1970-GD25LQ128DBAGY			4 800	104 MHz	Non volatile	128mbitons	6 ns	Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o, qpi	4 ms
Gd25f256ffirr	2.3755	RFQ	2196	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25f	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOP	-				1970-gd25f256ffirrtr			1 000	200 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o	-
Gd25lr512meyigr	5.0565	RFQ	9628	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LR	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (6x8)	-				1970-gd25lr512meyigrtr			3 000	200 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o	-
GD25LB256EYIGY	2.3030	RFQ	8775	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25lb	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (6x8)	télécharger				1970-GD25LB256EYIGY			4 800	166 MHz	Non volatile	256mbitons	6 ns	Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	70 µs, 1,2 ms
Gd25q16enegr	0,8143	RFQ	2104	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25Q	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UDFN		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-USON (3x4)	télécharger				1970-GD25Q16Engrtr			3 000	133 MHz	Non volatile	16mbitons	7 ns	Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o	140 µs, 4 ms
Gd25wd20ctig	-	RFQ	4305	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Gd25wd20	Flash - ni	1,65 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	20 000		Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	-
GD25LQ20CTIGR	-	RFQ	6107	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Gd25lq20	Flash - ni	1,65 V ~ 2,1 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000	104 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
GD25F128FS2GR	1.9881	RFQ	7794	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25f	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	-				1970-GD25F128FS2GRTR			2 000	200 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (ICS) (847)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²