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Circuits Integrés (ICS) (847)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
GD25Q40EKIGR	0,3676	RFQ	5568	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25Q	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XFDFN		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-USON (1,5x1,5)	télécharger				1970-GD25Q40EKIGRTR			3 000	133 MHz	Non volatile	4mbbitons	7 ns	Éclair	512k x 8	Spi - quad e / o	70 µs, 2 ms
Gd25q32cnigr	0,8900	RFQ	24	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UDFN	GD25Q32	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-USON (4x3)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	3 000	120 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
Gd25vq20csig	0,2885	RFQ	8614	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Tube	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	Gd25vq20	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	9 500	104 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 3 ms
GD25LB256EBARY	4.0400	RFQ	4974	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25lb	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	24-TFBGA (6x8)	-				1970-GD25LB256EBARY			4 800	133 MHz	Non volatile	256mbitons	6 ns	Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	140 µs, 3 ms
Gd25ld20ckigr	0,3318	RFQ	5796	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25ld	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XFDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-USON (1,5x1,5)	télécharger				1970-GD25LD20CKIGRTR			3 000	50 MHz	Non volatile	2mbitons	12 ns	Éclair	256k x 8	Spi - double e / s	97µs, 6 ms
Gd25q32csig	0,5324	RFQ	7277	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Tube	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	GD25Q32	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	9 500	120 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
GD25Q32CSIGR	1.0100	RFQ	21	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	GD25Q32	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	120 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
GD25Q20EKIGR	0,3515	RFQ	4357	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25Q	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XFDFN		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-USON (1,5x1,5)	télécharger				1970-GD25Q20EKIGRTR			3 000	133 MHz	Non volatile	2mbitons	7 ns	Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	70 µs, 2 ms
GD25LB256EWIGR	2.3929	RFQ	9122	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25lb	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (5x6)	télécharger				1970-GD25LB256EWIGRTR			3 000	166 MHz	Non volatile	256mbitons	6 ns	Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	70 µs, 1,2 ms
Gd25lq40ctigr	0,5000	RFQ	5	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	GD25LQ40	Flash - ni	1,65 V ~ 2,1 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000	104 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
GD25VE20CSIGR	-	RFQ	6221	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	GD25VE20	Flash - ni	2.1V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	104 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	-
GD25Q20CSIGR	-	RFQ	7895	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	GD25Q20	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	120 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
Gd25q64cfig	0,9296	RFQ	1334	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Tube	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	GD25Q64	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1970-1044	3A991B1A	8542.32.0071	5 640	120 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 2,4 ms
Gd25wd10ctigr	0,2725	RFQ	4507	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	GD25WD10	Flash - ni	1,65 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000		Non volatile	1mbit		Éclair	128k x 8	Spi - quad e / o	-
Gd25lt512mey2gr	8.8525	RFQ	7207	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25lt	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (6x8)	-				1970-gd25lt512mey2grtr			3 000	200 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
Gd25lq20ce2gr	0,5678	RFQ	2925	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LQ	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XFDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2,1 V	8-USON (3x2)	-				1970-GD25LQ20CE2grtr			3 000	90 MHz	Non volatile	2mbitons	7 ns	Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	80 µs, 3ms
Gd25le32eeigr	0,7090	RFQ	6518	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25le	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XFDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-USON (3x2)	télécharger				1970-gd25le32eeigrtr			3 000	133 MHz	Non volatile	32mbitons	6 ns	Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi	60 µs, 2,4 ms
GD25LF255EWIGR	2.3508	RFQ	3426	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LF	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (5x6)	télécharger				1970-GD25LF255EWIGRTR			3 000	166 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
Gd25b32es2gr	0,8999	RFQ	7610	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25B	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	-				1970-gd25b32es2grtr			2 000		Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o	-
Gd5f1gq5uebigy	2.3917	RFQ	2641	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd5f	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger				1970-gd5f1gq5uebigy			4 800	133 MHz	Non volatile	1 gbit	7 ns	Éclair	128m x 8	Spi - quad e / o, dtr	600 µs
Gd25wq80etigr	0,4242	RFQ	3203	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25WQ	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger				1970-GD25WQ80ETIGRTR			3 000	104 MHz	Non volatile	8mbitons	12 ns	Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	120 µs, 4 ms
Gd25x512mebiry	6.2111	RFQ	7004	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25x	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	-				1970-GD25X512mebiry			4 800	200 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - e / s octal	-
Gd5f4gm5rfyigy	6.2620	RFQ	1854	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Plateau	Actif								-				1970-gd5f4gm5rfyigy			4 800
Gd5f4gm8uewigr	6.0398	RFQ	8624	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd5f	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (5x6)	télécharger				1970-gd5f4gm8uewigrtr			3 000	133 MHz	Non volatile	4 Gbit	7 ns	Éclair	512m x 8	Spi - quad e / o, dtr	600 µs
Gd25le128ewigr	1.4109	RFQ	2739	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25le	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (5x6)	télécharger				1970-gd25le128ewigrtr			3 000	133 MHz	Non volatile	128mbitons	6 ns	Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o, qpi	60 µs, 2,4 ms
GD25Q127CZIGY	-	RFQ	5410	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	GD25Q127	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 800	104 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o	12 µs, 2,4 ms
Gd25lf64eqegr	1.2636	RFQ	2830	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LF	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-USON (4x4)	télécharger				1970-GD25LF64EQEGRTR			3 000	166 MHz	Non volatile	64mbitons	5,5 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	100 µs, 4 ms
Gd25le80eligr	0,4666	RFQ	3418	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25le	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-XFBGA, WLCSP		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	16-wlcsp	télécharger				1970-GD25Le80ELIGRTR			3 000	133 MHz	Non volatile	8mbitons	6 ns	Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi	60 µs, 2,4 ms
Gd25lf128esigr	1.2681	RFQ	7624	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LF	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-SOP	télécharger				1970-GD25LF128esigrtr			2 000	166 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
Gd5f4gm8wewigr	6.3544	RFQ	3728	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd5f	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 2V	8-WSON (5x6)	télécharger				1970-gd5f4gm8wrewigrtr			3 000	104 MHz	Non volatile	4 Gbit	9 ns	Éclair	1g x 4	Spi - quad e / o, dtr	600 µs

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (ICS) (847)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²