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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GD25D05CKIGR | 0,2725 | ![]() | 6700 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Gd25d05 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (1,5x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 100 MHz | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | Spi - double e / s | 50 µs, 4 ms | |||
![]() | GD25LQ16CTIG | 0,4057 | ![]() | 5669 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25LQ16 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 20 000 | 104 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | GD25LQ80CSIGR | - | ![]() | 6264 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25LQ80 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 104 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | GD25LQ128DSIG | 1.4585 | ![]() | 1215 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25LQ128 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9 500 | 120 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | 2,4 ms | |||
![]() | Gd25b512mebjry | 5.2136 | ![]() | 4467 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | 1970-GD25B512Mebjry | 4 800 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | - | ||||||||
![]() | Gd25q256dyigr | 3.9100 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | GD25Q256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | Gd25ve16ctigr | - | ![]() | 8137 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25VE16 | Flash - ni | 2.1V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
![]() | Gd25lq32eqegg | 0,9828 | ![]() | 3861 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (4x4) | télécharger | 1970-gd25lq32eqegrtr | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | 6 ns | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 100 µs, 4 ms | |||||||
![]() | Gd25vq80csig | - | ![]() | 7941 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25VQ80 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 9 500 | 104 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 3 ms | |||
![]() | Gd25vq80ctig | - | ![]() | 5033 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25VQ80 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 20 000 | 104 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 3 ms | |||
![]() | Gd25q40csig | - | ![]() | 4223 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25Q40 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 9 500 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | Gd5f1gq5reyjgr | 3.0154 | ![]() | 8057 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd5f | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 1970-GD5F1GQ5REYJGRTR | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 1 gbit | 9,5 ns | Éclair | 256m x 4 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 600 µs | |||||||
![]() | GD25Q16CSJG | - | ![]() | 9569 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25Q16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 9 500 | 120 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | Gd25wd05ctigr | - | ![]() | 9512 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Gd25wd05 | Flash - ni | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 100 MHz | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
![]() | Gd25ve40ctig | 0,3686 | ![]() | 4974 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25VE40 | Flash - ni | 2.1V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 20 000 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
![]() | Gd25x512mebary | 11.2385 | ![]() | 2421 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25x | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25X512MEBARY | 4 800 | 200 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - e / s octal | - | ||||||||
![]() | Gd25q40cejgr | 0,7100 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | GD25Q40 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 80 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | Gd25ld80csig | - | ![]() | 1543 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Gd25ld80 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 9 500 | 50 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - double e / s | 60 µs, 6 ms | |||
![]() | Gd25lf16eeeg | 0,7582 | ![]() | 5042 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LF | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (3x2) | télécharger | 1970-GD25LF16EEGRTR | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | 5,5 ns | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 100 µs, 4 ms | |||||||
![]() | GD25Q16CTJGR | - | ![]() | 1159 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25Q16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | Gd25ve20csig | 0,3045 | ![]() | 6545 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25VE20 | Flash - ni | 2.1V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 9 500 | 104 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
![]() | Gd25q64cfigr | 1.0164 | ![]() | 7769 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | GD25Q64 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 120 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | Gd25wq80etjgr | 0,5242 | ![]() | 9287 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | 1970-GD25WQ80ETJGRTR | 3 000 | 84 MHz | Non volatile | 8mbitons | 12 ns | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | 240 µs, 8 ms | |||||||
![]() | Gd25d10ceigr | 0,2564 | ![]() | 9121 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Gd25d10 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 100 MHz | Non volatile | 1mbit | Éclair | 128k x 8 | Spi - double e / s | 50 µs, 4 ms | |||
![]() | GD25Q32CTJG | - | ![]() | 4714 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25Q32 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 20 000 | 120 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | Gd25ld20ekigr | 0,3167 | ![]() | 4484 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25ld | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (1,5x1,5) | télécharger | 1970-GD25LD20EKIGRTR | 3 000 | 50 MHz | Non volatile | 2mbitons | 12 ns | Éclair | 256k x 8 | Spi - double e / s | 100 µs, 6 ms | |||||||
![]() | GD25Q40CSIGR | 0,5200 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25Q40 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | Gd25wd05ctig | - | ![]() | 7306 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Gd25wd05 | Flash - ni | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 20 000 | 100 MHz | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
![]() | Gd25ld05ceigr | 0,2725 | ![]() | 3135 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Gd25ld05 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 50 MHz | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | Spi - double e / s | 55 µs, 6 ms | |||
![]() | Gd25lq80ctigr | - | ![]() | 6786 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25LQ80 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms |
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