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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 TR | - |  | 5705 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | MT29VZZZ7 | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | ||||||||||||||||||
 | M29W400FB55N3F TR | - | | 9430 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W400 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 4mbbitons | 55 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
 | MT53E256M32D2DS-046 AIT: B | 19.2500 | | 810 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E256M32D2DS-046AIT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | ||
 | MT53E2G32D4DT-046 WT ES: A TR | 96.1650 | | 1726 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E2G32D4DT-046WTES: ATR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | - | - | |||||||||
 | MT40A2G4SA-075: E | 10.1850 | | 5764 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 260 | 1,33 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 2G x 4 | Parallèle | - | |||
| MT62F1G64D4EK-023 AIT: C | 86.2500 | | 9865 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-mt62f1g64d4ek-023ait: c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | N25Q128A13BSFH0F | - | | 1124 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
| MT53E128M32D2DS-053 AUT: A | 12.1200 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E128M32D2DS-053AUT: A | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | - | - | ||
 | MT53E1G32D2FW-046 AUT: B TR | 37.9050 | | 8089 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53E1G32D2FW-046AUT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | 18n | |||||||
 | N25q032a13esec0f tr | - | | 8391 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | N25Q032A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-So W | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT29F4G01ABAFD12-AAT: F Tr | 3.8498 | | 1574 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 24 TBGA | MT29F4G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT29F4G01ABAFD12-AAT: FTR | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | ||||
 | MT29F2T08CTCBBJ7-6R: B Tr | - | | 7502 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152 LBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 152 LBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 167 MHz | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - | ||||
| Mtfc256gasaons-it tr | 86.7900 | | 1907 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MTFC256GASAONS-ITTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F4T08GMLCEJ4-QB: C TR | 78.1500 | | 2856 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QB: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F2T08GELCEJ4-QM: C TR | 39.0600 | | 6255 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-QM: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U TR | 12.3900 | | 9573 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT29AZ5 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1 000 | ||||||||||||||||||
| MT29F8T08EWLEEM5-QJ: E | 211.8900 | | 2417 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-QJ: E | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F4T08EQLEEG8-QB: E | 105.9600 | | 8758 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F4T08EQLEEG8-QB: E | 1 | |||||||||||||||||||||
 | M25p20-vmp6tgb tr | - | | 4164 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | M25P20 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-VFQFPN (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 4 000 | 75 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
| MT40A512M8RH-083E AIT: B | - | | 9088 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A512M8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (9x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 260 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | - | |||
| N25Q064A13EW7DFF | - | | 6777 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | N25Q064A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 16m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
| Mt25qu01gbbb8esf-0aat tr | 14.4150 | | 7251 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Mt25qu01 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | JS48F4400P0VB00A | - | | 4529 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Js48f4400p | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | Non volatile | 512mbitons | 85 ns | Éclair | 32m x 16 | Parallèle | 85ns | ||
| MT29F8T08EWLCEM5-QJ: C | 242.1750 | | 9688 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES: D TR | - | | 3805 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | ||||
| MT53D1536M32D6BE-046 WT: D | - | | 5800 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D1536 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT53D1536M32D6BE-046WT: D | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 1,5 GX 32 | - | - | ||||
| MT29VZZZBD81SLSL-046 W.22D TR | 33.7950 | | 1054 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29VZZZBD81SLSL-046W.22DTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F8T08GULCEM4: C TR | 156.3000 | | 2767 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F8T08GULCEM4: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT46H256M32R4JV-5 IT: B Tr | - | | 7782 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT46H256M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 8 Gbit | 5 ns | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
| MT53B512M64D4PV-062 WT ES: C | - | | 9411 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 840 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - |
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