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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT25QL256BBB8E12-CAUT | 8.0700 |  | 2657 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -791-MT25QL256BB8E12-CAUT | 1 120 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | 5 ns | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | 1,8 ms | ||||
 | MT40A512M16TB-062E IT: R | - | | 5681 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | télécharger | Atteindre non affecté | 557-MT40A512M16TB-062EIT: R | 1 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | 19 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||||
 | MT53E128M32D2FW-046 AUT: A TR | 8.7450 | | 8649 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AUT: ATR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | 18n | |||||||
 | MT62F2G64D8EK-026 AAT: B | 126.4350 | | 2825 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT62F2G64D8EK-026AAT: B | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT46V64M8CV-5B IT: J | - | | 7775 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12.5) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
 | MT29F128G08AKCABH2-10ITZ: A TR | - | | 2990 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT29F8T08GULBEM4: B | - | | 4793 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | - | MT29F8T08 | - | - | 557-MT29F8T08GULBEM4: B | OBSOLÈTE | 1 120 | ||||||||||||||||
 | MT28EW512ABA1LPC-1SIT | - | | 1983 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | MT28EW512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64 LBGA (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 104 | Non volatile | 512mbitons | 95 ns | Éclair | 64m x 8, 32m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
| MT53E768M64D4HJ-046 WT: B TR | 36.0000 | | 9140 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046WT: BTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E768M64D4HJ-046 AIT: C TR | 58.2150 | | 4412 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | Rohs3 conforme | 557-mt53e768m64d4hj-046ait: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | 3,5 ns | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | 18n | ||||||
| MT42L64M32D1LF-18 IT: C | - | | 6363 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-WFBGA | MT42L64M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 168-fbga (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 008 | 533 MHz | Volatil | 2 gbit | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | - | ||||
| MT53B384M64D4NK-053 WT ES: B | - | | 5136 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (15x15) | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 1 866 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | |||||
 | MT58L64L18FT-8.5TR | 9.1100 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatil | 1mbit | 8,5 ns | Sram | 64k x 18 | Parallèle | - | |||
| MT53B256M32D1GZ-062 WT: B | - | | 1302 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (11x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | ||||
| MT58L64L18DT-10TR | 7.0500 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatil | 1mbit | 5 ns | Sram | 64k x 18 | Parallèle | - | |||
 | M45PE16-VMW6G | - | | 3795 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | M45PE16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-So W | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 800 | 75 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Pimenter | 3 ms | |||
 | Mt29f512g08ebhbfj4-t: b tr | - | | 5259 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F512G08EBHBFJ4-T: BTR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
| ECF840AAACN-C1-Y3 | - | | 2530 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | ECF840A | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | - | |||||||||
| MT53E1G16D1FW-046 WT: A | 11.9850 | | 4309 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E1G16D1FW-046WT: A | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | 18n | |||||||
| MT52L256M32D1PU-107 WT ES: B | - | | 5864 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 008 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | ||||||||
| MT62F1G32D4DS-031 AAT: B TR | 32.5650 | | 3030 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| MT53E768M64D4HJ-046 WT: C | 48.1050 | | 8999 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046WT: C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT42L128M32D1GU-25 WT: A TR | - | | 2093 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 134-WFBGA | MT42L128M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 134-fbga (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | - | |||
 | MT29F4G08ABAEAH4-ITS: E TR | 4.5900 | | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT53B384M64D4NK-062 XT: B TR | - | | 8517 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 1,6 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | |||
| MT58L512L18PS-7.5TR | 10.2600 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatil | 8mbitons | 4 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | |||
| Eds6432afa-75ti-ed | - | | 9194 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 080 | |||||||||||||||||
 | MT58L64L32DT-7.5TR | 5.3200 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatil | 2mbitons | 4 ns | Sram | 64k x 32 | Parallèle | - | |||
| MTFC128GBCAQTC-AIT | 57.6200 | | 7241 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MTFC128GBCAQTC-AIT | 1 520 | |||||||||||||||||||
| Mt52l4dbpg-dc tr | - | | 5527 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | MT52L4 | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 |
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