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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mt53d4dany-dc tr | - | ![]() | 7245 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | - | MT53D4 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | Volatil | Drachme | ||||||||||
![]() | Mtfc64gapalna-aat es | - | ![]() | 1158 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Mtfc64 | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | ||||||||||||||||||
![]() | MT48LC16M16A2P-7E AIT: G TR | - | ![]() | 3549 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 14ns | ||
![]() | MT49H16M36BM-25: B | - | ![]() | 1757 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H16M36 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0032 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K TR | - | ![]() | 1226 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | MT29TZZZ8 | Flash - Nand, dram - lpddr3 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 800 MHz | Non volatile, volatile | 64gbit (nand), 8gbit (LPDDR3) | Flash, Bélier | 68g x 8 (NAND), 256m x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | ||||
MT48H8M32LFB5-10 IT | - | ![]() | 4576 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 100 MHz | Volatil | 256mbitons | 7 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | EDF8164A3PK-JD-FD | - | ![]() | 1829 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 680 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | |||
![]() | N25Q128A13EF840F TR | - | ![]() | 8622 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | N25Q128A13TF840F TR | - | ![]() | 6085 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 AIT: C | 29.0250 | ![]() | 8414 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | - | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-mt62f1g32d2ds-023ait: c | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | N25Q032A13EF640F TR | - | ![]() | 9737 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25Q032A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFN (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | MT29F2G08ABAEAWP: E | 3.8500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT | - | ![]() | 1975 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 137-VFBGA | MT29C4G96 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-VFBGA (13x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 4gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
![]() | MT49H32M18CSJ-18: B | - | ![]() | 5486 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-fbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 120 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR | - | ![]() | 9067 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 512mbit (lpdram) | Flash, Bélier | 64m x 16 (NAND), 16m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | |||||
![]() | Mtfc2gmdea-0m wt | - | ![]() | 5737 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc2g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1 520 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR | - | ![]() | 6499 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT29C4G96 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 4gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
![]() | MT29F256G08AUCABK4-10: A | - | ![]() | 8434 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 100 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | EDFA232A2MA-GD-FR TR | - | ![]() | 7730 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDFA232 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT29F1G16ABBDAHC: D | - | ![]() | 1855 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | - | |||||
![]() | M25PX16-VMW6G | - | ![]() | 9803 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | M25px16 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-So W | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 800 | 75 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
![]() | MT53E1536M64D8HJ-046 WT: B | 69.2400 | ![]() | 4930 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: B | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 mx 64 | - | - | ||||||||
![]() | MT29F256G08CBHBBJ4-3RES: B TR | - | ![]() | 9325 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | MT29F8G16ABBCAH4-IT: C | - | ![]() | 2733 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F8G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 8 Gbit | Éclair | 512m x 16 | Parallèle | - | ||||
![]() | Mt29f4g01abbfdwb-ites: f tr | - | ![]() | 1091 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-UDFN | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 83 MHz | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | |||
![]() | MT53D512M32D2NP-046 WT: E | - | ![]() | 6085 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | |||
![]() | MT42L32M32D2AC-25 AAT: A TR | - | ![]() | 4129 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | MT42L32M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-fbga (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | MT48LC4M16A2TG-75 L: G TR | - | ![]() | 7913 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT45W1MW16BDGB-708 À TR | - | ![]() | 7934 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 54-VFBGA | MT45W1MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 16mbitons | 70 ns | Psram | 1m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
MT53E512M32D1ZW-046 WT: B TR | 13.2750 | ![]() | 2178 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | MT53E512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT53E512M32D1ZW-046WT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | 18n |
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