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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT42L16M32D1AC-25 AAT: A | - |  | 9150 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | MT42L16M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
 | MT46H128M16LFDD-48 AIT: C TR | 14.8400 | | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H128M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 208 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 14.4NS | ||
 | M29w064fb6aza6f tr | - | | 5165 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | M29W064 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 64mbitons | 60 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
| M29f200ft55m3e2 | - | | 7759 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | M29F200 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 40 | Non volatile | 2mbitons | 55 ns | Éclair | 256k x 8, 128k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
 | MT46V32M16P-5B IT: J | - | | 8647 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 080 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT29E512G08CKCBBH7-6: B Tr | - | | 9839 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | - | MT29E512G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 167 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F256G08AUAAAC5-ITZ: A | - | | 9906 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 52-VLGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MTFC128GAOANEA-WT ES | - | | 8133 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Boîte | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC128 | Flash - Nand | - | - | 1 (illimité) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | MMC | - | |||||||||
 | Mt29f32g08afabawp-it: b | - | | 9164 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT48H16M32L2B5-8 TR | - | | 4014 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 512mbitons | 7,5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
 | MT29F64G08AFAAAWP-Z: A TR | - | | 4494 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | ||||
| Mtfc16gjtec-it tr | - | | 1805 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc16g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| MT52L256M64D2LZ-107 XT: B TR | - | | 6800 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | |||
| MT28EW512ABA1LJS-0AAT | - | | 2187 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28EW512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 512mbitons | 105 ns | Éclair | 64m x 8, 32m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
 | MT46V32M16BN-6: C | - | | 1157 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | - | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| EDFP112A3PB-JD-FD | - | | 1479 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | EDFP112 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 933 MHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 192m x 128 | Parallèle | - | ||||
| M29F400FB55M3T2 TR | - | | 6437 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | M29F400 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 500 | Non volatile | 4mbbitons | 55 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
| Mt53b2danl-dc | - | | 6571 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | - | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 960 | Volatil | Drachme | |||||||||||
| MT51J256M32HF-80: A TR | - | | 5860 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 170-TFBGA | MT51J256 | Sgram - gddr5 | 1,31V ~ 1,39 V, 1,46 V ~ 1,55 V | 170-FBGA (12x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | 2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Bélier | 256m x 32 | Parallèle | - | |||
| EDF8132A3PF-GD-FD | - | | 4893 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDF8132 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 680 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | - | ||||
| M29F400BB45N1 | - | | 7184 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29F400 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 4mbbitons | 45 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 45ns | |||
| M58LT256KST7ZA6E | - | | 4120 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M58LT256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MT28F800B3WP-9 B | - | | 5908 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F800B3 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 8mbitons | 90 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 90ns | |||
 | Mt25ql02gbb8e12-0sit | 34.7400 | | 6 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT25QL02 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 122 | 133 MHz | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT53E384M32D2DS-046 WT: E | - | | 8383 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E384M32D2DS-046WT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | |||
| MT29F1T08EEEEJ4-QA: E TR | 26.4750 | | 8139 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-QA: ETR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT47H64M8SH-25E AAT: H | - | | 4507 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 518 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||||
 | MT29F128G08CECGBJ4-37R: G | - | | 9888 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 267 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT: C | 56.5050 | | 7913 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AAT: C | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | 18n | |||||||
 | MT29F256G08CMCABJ2-10RZ: A TR | - | | 6778 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | - | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - |
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