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Circuits Integrés (ICS) (10403)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT28F008B5VG-8 B TR	-	RFQ	7280	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	40-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F008B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	40 TSOP I	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	8mbitons	80 ns	Éclair	1m x 8	Parallèle	80ns
MT58L256V36PS-6TR	5.9800	RFQ	32	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	100	166 MHz	Volatil	8mbitons	3,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
MT41K256M4JP-125: G	-	RFQ	8838	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K256M4	Sdram - ddr3	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	800 MHz	Volatil	1 gbit	13,75 ns	Drachme	256m x 4	Parallèle	-
MT62F768M32D2DS-026 WT: B TR	17.6400	RFQ	5455	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT62F768M32D2DS-026WT: BTR			2 000
MT53E2G64D8TN-046 WT: A TR	92.3100	RFQ	8633	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	556-LFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	556-LFBGA (12.4x12.4)	-				557-MT53E2G64D8TN-046WT: ATR			2 000	2.133 GHz	Volatil	128 GBIT	3,5 ns	Drachme	2G x 64	Parallèle	18n
MT48H16M32L2F5-10	-	RFQ	3897	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48H16M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,9 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	100 MHz	Volatil	512mbitons	7,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
MT48LC16M4A2TG-75: G TR	-	RFQ	1622	Micron Technology Inc.	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC16M4A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 4	Parallèle	15NS
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ: A TR	-	RFQ	2990	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT29F8T08GQLCEG8-QB: C	156.3000	RFQ	6470	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F8T08GQLCEG8-QB: C			1
Mt29f64g08ceccbh1-12it: c	-	RFQ	8284	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P-V	-	RFQ	4476	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F64G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	Mourir	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE		1		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT47H32M16NF-25E AAT: H	5.7800	RFQ	582	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 368	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT29E512G08CUCDBJ6-6: D	-	RFQ	7314	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	-	MT29E512G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	132 LBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 120	167 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
N25q064a13esfa0f tr	-	RFQ	3924	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q064A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOP2	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	108 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	16m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT53E4G32D8GS-046 WT: C	127.0200	RFQ	4438	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-		SDRAM - MOBILE LPDDR4	-	-	-				557-MT53E4G32D8GS-046WT: C			1	2.133 GHz	Volatil	128 GBIT		Drachme	4G x 32	Parallèle	-
MT42L256M32D2LG-25 WT: A	-	RFQ	1880	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-WFBGA	MT42L256M32	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V	168-fbga (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 008	400 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	Parallèle	-
Mt29f256g08cjabbwp-12it: b tr	-	RFQ	3849	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
MT46V32M4TG-5B: D	-	RFQ	6243	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M4	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	200 MHz	Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	32m x 4	Parallèle	15NS
MT29F16T08GSLCEG4-QB: C	312.5850	RFQ	3687	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F16T08GSLCEG4-QB: C			1
PC28F640J3D75E	-	RFQ	7689	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	PC28F640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	864		Non volatile	64mbitons	75 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	75ns
MT29F128G08AEEBBH6-12: B	-	RFQ	4049	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152-VBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 120	83 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT55L256L36PT-10	8.2400	RFQ	82	Micron Technology Inc.	ZBT®	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	MT55L256L	Sram - synchrone, zbt	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volatil	8mbitons	5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
MT62F1G32D2DS-023 AAT: C TR	31.9350	RFQ	2943	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F1G32D2DS-023AAT: CTR			2 000	3,2 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	-
MT41K2G4TRF-125: E	-	RFQ	5022	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K2G4	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-FBGA (9,5x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	8 Gbit	13,5 ns	Drachme	2G x 4	Parallèle	-
Mt29f2g01abagd12-it: g tr	-	RFQ	5973	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT29F2G01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	2 gbit		Éclair	2G x 1	Pimenter	-
Mt29f2g01abbgdwb-it: g tr	2.8500	RFQ	27	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-UDFN	MT29F2G01	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	8-updfn (8x6) (MLP8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	2G x 1	Pimenter	-
MT46V64M8BN-6: F Tr	-	RFQ	1776	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
PC28F640P30BF65A	-	RFQ	5067	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	PC28F640	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	864	52 MHz	Non volatile	64mbitons	65 ns	Éclair	4m x 16	Parallèle	65ns
MT53B384M32D2DS-062 AUT: B TR	-	RFQ	8189	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53B384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1,6 GHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	-	-
MT48LC16M16A2FG-75 IT: D TR	-	RFQ	9090	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x14)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (ICS) (10403)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²