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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT52L256M64D2LZ-107 XT: B TR | - | ![]() | 6800 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | MT41K512M8DA-107 V: P | 7.6884 | ![]() | 8926 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K512M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1440 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | - | ||
MT48H8M32LFF5-8 | - | ![]() | 4642 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 256mbitons | 7 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | MT53E256M32D2DS-053 WT: B | - | ![]() | 9091 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E256M32D2DS-053WT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||
Mt25qu01gbbb8e12-0aat tr | 17.3100 | ![]() | 1760 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Mt25qu01 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | ||||
MT48H8M16LFB4-6 IT: K TR | - | ![]() | 8553 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | M29F400BB45N1 | - | ![]() | 7184 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29F400 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 4mbbitons | 45 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 45ns | |||
![]() | Mt53b2danl-dc | - | ![]() | 6571 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | - | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 960 | Volatil | Drachme | |||||||||||
![]() | MT29F8T08EULCHD5-M: C TR | 167.8050 | ![]() | 8851 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-M: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 AAT: B Tr | 126.4350 | ![]() | 9278 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AAT: BTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | - | ||||||||
MT35XL512ABA2G12-0SIT TR | - | ![]() | 4539 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 24 TBGA | MT35XL512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT35XL512ABA2G12-0SITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Bus xccela | - | |||
![]() | EDB4064B3PB-8D-FD | - | ![]() | 5984 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | EDB4064 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-WFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 680 | 400 MHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 64m x 64 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT62F768M64D4EK-023 FAAT: B | 47.8950 | ![]() | 1427 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | - | Support de surface | 441-TFBGA | MT62F768 | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023FAAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | - | |||||||
![]() | EDF8132A3PF-GD-FD | - | ![]() | 4893 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDF8132 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 680 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | - | ||||
![]() | M29W256GH70ZS6F TR | - | ![]() | 8595 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | MT29F1T08EEEEJ4-QA: E TR | 26.4750 | ![]() | 8139 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-QA: ETR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
![]() | M29F400FB55M3T2 TR | - | ![]() | 6437 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | M29F400 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 500 | Non volatile | 4mbbitons | 55 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | MT28F640J3BS-115 Met | - | ![]() | 6105 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64-fbga | MT28F640J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64mbitons | 115 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | M58WR032KB70ZB6W TR | - | ![]() | 4122 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-VFBGA | M58WR032 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 56-VFBGA (7.7x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 66 MHz | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | ||
![]() | MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 | 20.2200 | ![]() | 7587 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 149-VFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 149-VFBGA (8x9,5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 | 1 | Non volatile, volatile | 8 Gbit | 25 ns | Flash, Bélier | 1g x 8 | Onfi | 30ns | ||||||||
![]() | MT29F128G08CECGBJ4-37R: G | - | ![]() | 9888 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 267 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT53E2G32D4DE-046 AAT: C | 56.5050 | ![]() | 7913 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AAT: C | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | 18n | |||||||
![]() | MT28F004B3VG-8 TET | - | ![]() | 4263 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 40-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F004B3 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 40 TSOP I | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4mbbitons | 80 ns | Éclair | 512k x 8 | Parallèle | 80ns | |||
![]() | MT51J256M32HF-80: A TR | - | ![]() | 5860 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 170-TFBGA | MT51J256 | Sgram - gddr5 | 1,31V ~ 1,39 V, 1,46 V ~ 1,55 V | 170-FBGA (12x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | 2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Bélier | 256m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | MT29E64G08CBCDBJ4-6: D | - | ![]() | 4421 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 960 | ||||||||||||||||||
![]() | N25Q128A23BSF40E | - | ![]() | 4742 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q128A23 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
![]() | MT28F128J3BS-12 Met TR | - | ![]() | 4215 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64-fbga | MT28F128J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128mbitons | 120 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | MT62F1536M64D8EK-026 WT ES: B | 102.0600 | ![]() | 1696 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026WTES: B | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 GX 64 | - | - | ||||||||
![]() | MT41K512M16HA-125 AIT: A | - | ![]() | 6111 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K512M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 020 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | 13,5 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | - | ||||
![]() | Mt29f4g08aachc: c tr | - | ![]() | 3384 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - |
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