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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT44K16M36RB-093E IT: A | - |  | 1540 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K16M36 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 190 | 1 066 GHz | Volatil | 576mbit | 8 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | ||
 | JS28F256J3D95B TR | - | | 2356 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F256J3 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 600 | Non volatile | 256mbitons | 95 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 95ns | |||
 | MT40A2G4PM-083E: A | - | | 3000 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (9x13.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 020 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 2G x 4 | Parallèle | - | |||
 | MTFC4GLWDM-4M AAT A TR | 11.0850 | | 8067 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Mtfc4 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Mtfc4glwdm-4maatatr | 0000.00.0000 | 2 000 | ||||||||||||||||
 | MT29F2T08EMLCEJ4-R: C TR | - | | 5391 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-R: CTR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT46H64M16LFCK-6: A TR | - | | 6233 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | Mtfc64gajaedq-aat | - | | 6783 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | Mtfc64 | Flash - Nand | - | 100 lbga (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | MMC | - | ||||
| MT47H64M16NF-25E AUT: M | - | | 6043 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 368 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
| PC48F4400P0VB02F TR | - | | 6250 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 64 LBGA | PC48F4400 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 52 MHz | Non volatile | 512mbitons | 85 ns | Éclair | 32m x 16 | Parallèle | 85ns | |||
 | M28W160CB100N6T TR | - | | 4747 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M28W160 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 16mbitons | 100 ns | Éclair | 1m x 16 | Parallèle | 100ns | |||
 | MT53D384M32D2DS-053 XT: C | - | | 6528 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | ||||
| MT29GZ5A5BPGA-53IT.87J | - | | 6047 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 149-WFBGA | MT29GZ5A5 | Flash - Nand, dram - lpddr4 | 1,8 V | 149-WFBGA (8x9,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | 1866 MHz | Non volatile, volatile | 4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR4) | Flash, Bélier | 512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDDR4) | Parallèle | - | |||
| M29W800DB70N6T TR | - | | 5605 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W800 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT58L512L18FT-10 | 14.8300 | | 5 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | |||
 | Rc28f128j3d75d tr | - | | 1907 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | RC28F128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 128mbitons | 75 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 75ns | |||
| M29W640GB7AN6E | - | | 4234 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | M29W800DT70N6E | - | | 2663 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W800 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT29F2G08ABAFAH4-S: F Tr | - | | 5236 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U TR | - | | 6543 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | MT29RZ4 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | ||||||||||||||||
| MT29F1G08ABAEAH4-IT: E | - | | 5097 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | - | ||||
| MTFC128GAVATTC-AIT | 56.1900 | | 7693 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MTFC128GAVATTC-AIT | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT46V16M16CY-5B: M | - | | 3563 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V16M16 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 368 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| Jr28f064m29ewta | - | | 7874 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JR28F064M29 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT47H16M16BG-3: B Tr | - | | 6924 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-fbga | MT47H16M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 256mbitons | 450 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT47H64M16NF-25E: M | - | | 2493 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 368 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT29C4G96MAZBACJG-5 WT | - | | 9524 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT29C4G96 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 4gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
 | Mtfc128gajaece-aat tr | - | | 4091 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | 1 (illimité) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT60B1G16HC-52B IT: G | 18.2400 | | 7376 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT60B1G16HC-52BIT: G | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR | 165.0000 | | 6125 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT28HL64 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT28HL64GRBB6EBL-0GCTTR | 0000.00.0000 | 1 000 | ||||||||||||||||
 | Mtfc8glvea-it | - | | 3755 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | MMC | - |
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