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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N25Q256A13ESF40G | - |  | 1954 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q256A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-1575-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 225 | 108 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 64m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||
 | M29w160et70za6f tr | - | | 5676 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | M29W160 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 16mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 8, 1m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y | - | | 2589 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | MT29VZZZ7 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 520 | ||||||||||||||||
 | M25p80-vmc6g | - | | 1124 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UDFN | M25P80 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
| MT28FW512ABA1HJS-0AAT | - | | 2038 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28FW512 | Flash - ni | 1,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 512mbitons | 105 ns | Éclair | 32m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
| MTFC4GLWDM-4M AAT Z TR | - | | 7143 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Mtfc4 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Mtfc4glwdm-4maatztr | OBSOLÈTE | 1 000 | |||||||||||||||||
 | MT48H16M16LFBF-75 IT: G TR | - | | 5511 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48H16M16 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| Mt29rz4b2dzzhhps-18i.84f tr | - | | 6113 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT29RZ4 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 000 | |||||||||||||||||
 | MT29F4G08ABAFAWP-AITES: F | - | | 5951 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | 1 (illimité) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | ||||||
| MT46V32M16CY-5B XIT: J TR | - | | 4932 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12.5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT46V32M16CY-5BXIT: JTR | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | Mtfc4glgdm-ait z | - | | 8791 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | ||||
| MT47H64M16HR-3 L: H TR | - | | 9120 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
 | Mt46h16m16lfbf-6 à: h | - | | 2860 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H16M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
 | Mt25qu256aba8e12-0aat tr | 5.4450 | | 2250 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Mt25qu256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT49H16M36FM-18: B Tr | - | | 6886 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H16M36 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | ||
 | MT58L128L32P1T-7.5CTR | 4.7500 | | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatil | 4mbbitons | 4 ns | Sram | 128k x 32 | Parallèle | - | |||
| MT53B512M64D4TX-053 WT: C | - | | 8720 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | |||||
| M29F800DB70M1 | - | | 7464 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0,525 ", 13,34 mm de grosur) | M29F800 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 16 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT48H8M32LFB5-75: H TR | - | | 1257 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT28F640J3FS-115 XMET | - | | 9707 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64-fbga | MT28F640J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (10x13) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64mbitons | 115 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | - | |||
| MT62F768M64D4ZU-026 WT: B TR | 27.9300 | | 7367 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | MT62F768 | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4ZU-026WT: BTR | 2 500 | 3,2 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | - | |||||||
 | MT53D512M32D2DS-053 AAT: D TR | 19.1100 | | 9882 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1 866 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | |||
| MT28EW512ABA1LJS-0AAT | - | | 2187 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28EW512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 512mbitons | 105 ns | Éclair | 64m x 8, 32m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
 | MT46V32M16BN-6: C | - | | 1157 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | - | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT52L256M64D2LZ-107 XT: B TR | - | | 6800 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | |||
| MT41K512M8DA-107 V: P | 7.6884 | | 8926 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux pour les nouveaux | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K512M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1440 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | - | ||
| MT48H8M32LFF5-8 | - | | 4642 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 256mbitons | 7 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| MT53E256M32D2DS-053 WT: B | - | | 9091 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E256M32D2DS-053WT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||
 | Mtfc64gajaece-aat | - | | 9054 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | Mtfc64 | Flash - Nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | 1 (illimité) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
| Mt25qu01gbbb8e12-0aat tr | 17.3100 | | 1760 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Mt25qu01 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms |
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