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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46V256M4TG-75: A TR | - |  | 8815 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V256M4 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 1 gbit | 750 PS | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT53D1G64D8NW-046 WT ES: E | - | | 2632 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G64 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | - | - | ||||||||
| M29F040B70K1 | - | | 9638 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | M29F040 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (11.35x13.89) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Non volatile | 4mbbitons | 70 ns | Éclair | 512k x 8 | Parallèle | 70ns | |||
 | Mt58l512y36pt-5 | 18.3500 | | 423 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | |||
| MT53D512M64D8HR-053 WT ES: B | - | | 6258 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 366-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (12x12.7) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | ||||
| Edba164b2pf-1d-fr tr | - | | 3694 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | - | EDBA164 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | Parallèle | - | |||
 | MT53E384M32D2DS-053 AIT: E | 14.7200 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E384M32D2DS-053AIT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | ||
 | M28W640HST70ZA6E | - | | 9518 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64-TFBGA | M28W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TFBGA (10.5x6.39) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | Mt25ql256aba8esf-0sit | 5.9500 | | 7 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT25QL256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1440 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT41K256M16RE-15E IT: D | - | | 3674 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 667 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,5 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||
| MT29E512G08CKCBBH7-6: B Tr | - | | 9839 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | - | MT29E512G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 167 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
| Mtfc16gjtec-it tr | - | | 1805 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc16g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT47H64M8JN-25E IT: G | - | | 3165 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
| M29f200ft55m3e2 | - | | 7759 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | M29F200 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 40 | Non volatile | 2mbitons | 55 ns | Éclair | 256k x 8, 128k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
| MT53B384M32D2DS-062 AUT: B TR | - | | 8189 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | |||
| MT53E1536M32D4DE-046 WT: B | 36.0000 | | 4958 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046WT: B | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | 3,5 ns | Drachme | 1,5 GX 32 | Parallèle | 18n | |||||||
 | MT41K64M16JT-125: G | - | | 7092 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K64M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 13,75 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | |||
| PC28F640P30BF65A | - | | 5067 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | PC28F640 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | Non volatile | 64mbitons | 65 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 65ns | ||
 | MT48LC16M16A2FG-75 IT: D TR | - | | 9090 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | Mt29f2g01abagd12-it: g tr | - | | 5973 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT29F2G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 2G x 1 | Pimenter | - | |||
 | M29F400BBB55N6T TR | - | | 2293 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29F400 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 4mbbitons | 55 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
 | MT42L16M32D1AC-25 AAT: A | - | | 9150 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | MT42L16M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
| M29w064fb6aza6f tr | - | | 5165 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | M29W064 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 64mbitons | 60 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
| MT55L256L36PT-10 | 8.2400 | | 82 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT55L256L | Sram - synchrone, zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 8mbitons | 5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | ||
 | Mt29f2g01abbgdwb-it: g tr | 2.8500 | | 27 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-UDFN | MT29F2G01 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 2G x 1 | Pimenter | - | ||||
 | MT53E768M32D4DT-053 AAT: E | 29.2650 | | 3286 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E768M32D4DT-053AAT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 768m x 32 | - | - | ||
 | MT46H64M32LFBQ-48 AIT: C | 9.8850 | | 3730 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1440 | 208 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 14.4NS | ||
| EDFA364A3PM-GD-FD | - | | 3112 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | EDFA364 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 800 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | Parallèle | - | ||||||
 | M25p16-vmn6p | - | | 3255 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | M25P16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 75 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT53E256M32D1KS-046 AUT: L | 14.5800 | | 8566 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | Support de surface | 200-VFBGA | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E256M32D1KS-046 AUT: L | 1 |
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