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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES: D TR | - |  | 1818 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | ||||
 | MT48V8M32LFB5-10 | - | | 6315 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48V8M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 2,3V ~ 2,7 V | 90-VFBGA (8x13) | - | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 100 MHz | Volatil | 256mbitons | 7 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29F1T08EELCEJ4-R: C TR | - | | 6064 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F1T08EELCEJ4-R: CTR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT53D1G32D4BD-053 WT: D | - | | 1221 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | ||||||||
 | MTFC64GAJAECE-AIT | - | | 5321 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | Mtfc64 | Flash - Nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | MMC | - | ||||
| M29F400FB5AM6T2 | - | | 4318 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | M29F400 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 4mbbitons | 55 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||||
| EDB4432BBJ-1DAUT-FD | - | | 4257 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 134-WFBGA | EDB4432 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-fbga (10x11,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 100 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | - | |||
| M50FW016N5G | - | | 3796 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 40-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M50FW016 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 40 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | Non volatile | 16mbitons | 250 ns | Éclair | 2m x 8 | Parallèle | - | ||
| MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W.94L TR | - | | 4195 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | |||||||||||||||||
| MT53B384M16D1Z0APWC1 | - | | 4477 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Volatil | 6gbit | Drachme | 384m x 16 | - | - | ||||
 | MT47H64M8SH-25E AIT: H | - | | 9682 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 518 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | Mt29f512g08cecbbj4-5m: b tr | - | | 3302 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | |||
| Mtfc256gbaoanam-wt es | - | | 5446 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MTFC256 | Flash - Nand | - | - | - | 1 (illimité) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F128G08CFABBWP-12IT: B | - | | 5793 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 83 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT29F256G08CKEDBJ5-12: D TR | - | | 7377 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | - | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
| Mt29f2t08cvcbbg6-6r: b tr | - | | 6372 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 272-LFBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 272-LFBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 167 MHz | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT47H256M4HQ-5E: E TR | 27.6200 | | 900 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-fbga | MT47H256M4 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 600 PS | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
| MT29F32G08ABEDBJ4-12: D | - | | 2596 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 83 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT53E512M32D2NP-046 | - | | 1305 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | |||||
 | MT28F640J3RG-115 ET TR | - | | 5134 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F640J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64mbitons | 115 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | - | |||
 | M29F400BT90N1 | - | | 4956 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29F400 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 4mbbitons | 90 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 90ns | |||
| MT29VZZZAD9FQKSM-046 W.12I TR | 59.7600 | | 6997 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-mt29vzzzad9fqksm-046w.12itr | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT28F128J3BS-12 ET TR | - | | 1676 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64-fbga | MT28F128J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128mbitons | 120 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | - | |||
 | MT46H128M32L2KQ-5 WT: B | - | | 9545 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-WFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5 ns | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
 | N25Q064A13E1241E | - | | 3783 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | N25Q064A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 122 | 108 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 16m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
| MT29F2G16ABAEAWP: E TR | - | | 8332 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 128m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | MT41K1G8SN-107 IT: A | - | | 3430 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K1G8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (9x13.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 020 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | - | ||
| MT61M512M32KPA-14 AAT: C TR | 42.1050 | | 7943 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT61M512M32KPA-14AAT: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR | - | | 2476 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-VFBGA (13x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 2gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 16 (NAND), 64m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | |||
| M29F400FB55M32 | - | | 2963 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | M29F400 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 240 | Non volatile | 4mbbitons | 55 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 55ns |
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